- 導通電阻僅為150mΩ
- 柵源間電壓為±30V
- 額定漏電流為20A
- 空調等家電產(chǎn)品
瑞薩電子宣布開發(fā)出了導通電阻僅為150mΩ（柵源間電壓為10V時的標稱值）的600V耐壓超結（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，將從2012年9月開始樣品供貨。超結是可在不犧牲耐壓的情況下，降低導通電阻的功率MOSFET的元件構造。雖然其他競爭公司已經(jīng)推出了采用這種構造的功率MOSFET，但據(jù)瑞薩電子介紹，“RJL60S5系列”在600V耐壓產(chǎn)品中實現(xiàn)了業(yè)界最小水平的導通電阻。馬達驅動電路和逆變器等采用RJL60S5系列功率MOSFET后，可以降低功耗，該產(chǎn)品主要面向空調等家電產(chǎn)品。
RJL60S5系列的柵源間電壓為±30V，額定漏電流為20A。漏源間電壓為25V時，反饋電容為13pF（標稱值）。柵源間閾值電壓的最小值為3V，最大值為5V。內置快恢復二極管（FRD：Fast Recovery Diode），F(xiàn)RD的正向電壓為0.96V。該產(chǎn)品將FRD的反向恢復時間縮短至150ns，約相當于瑞薩原來的SJ型功率MOSFET的約1/3，因此還可應用于高速馬達驅動用途。
RJL60S5系列備有三種封裝的產(chǎn)品，分別是采用TO-220EP封裝的“RJL60S5DPP”，采用TO-3PSG封裝的“RJL60S5DPK”，以及采用LDPAK封裝的“RJL60S5DPE”。三款產(chǎn)品的樣品價格均為200日元，將從2012年12月開始量產(chǎn)，量產(chǎn)規(guī)模方面，預定截至2013年3月達到月產(chǎn)50萬個。
