產(chǎn)品特性：
- 采用針對更高電壓器件優(yōu)化的新型低導通電阻技術
- 在4.5V柵極驅(qū)動下額定導通電阻為8.5mΩ的80V MOSFET
- 符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定，符合RoHS指令2002/95/EC
應用范圍：
- 更高電壓器件的優(yōu)化
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用針對更高電壓器件優(yōu)化的新型低導通電阻技術的首款TrenchFET®功率MOSFET --- ThunderFET™ SiR880DP。新器件是業(yè)界首款在4.5V柵極驅(qū)動下就能導通的80V功率MOSFET。新的80V SiR880DP采用熱增強型PowerPAK® SO-8封裝，在4.5V、7.5V和10V下具有8.5m?、6.7m?和5.9m?的超低導通電阻。在4.5V柵極驅(qū)動下，該器件的典型導通電阻與柵極電荷的乘積為161，該數(shù)值是DC-DC轉(zhuǎn)換器應用中MOSFET的優(yōu)值系數(shù)(FOM，單位是nC-mΩ)。
SiR880DP針對通信負載點應用的隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器中初級側(cè)開關進行了優(yōu)化。非常低的導通電阻意味著可減少功率損耗和實現(xiàn)更綠色的解決方案，尤其是在待機模式這樣的輕負載條件下。
器件的4.5V電壓等級有助于實現(xiàn)更高頻率的設計，在POL應用中大幅降低柵極驅(qū)動損耗，并且可以使用電壓更低、成本更低的5V PWM IC。截止目前，其他80V功率MOSFET還只能在6V或更高的柵極驅(qū)動下才能導通。
SiR880DP經(jīng)過了完備的Rg和UIS測試。這款采用PowerPAK SO-8封裝的MOSFET符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定，符合RoHS指令2002/95/EC。
