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技術文章

通過1-Wire技術簡化TWS耳機解決方案

本設計將ADI公司獨有的1-Wire?技術首次運用到TWS耳機解決方案中，使用1-Wire雙向橋接器DS2488，在滿足能量傳輸和數(shù)據(jù)通信要求的基礎上，具備低成本、低功耗、高精度、小尺寸、高效率等諸多優(yōu)勢，是TWS耳機的理想解決方案。

2022-06-16

1-Wire技術 TWS耳機解決方案

基于小華HC32F460的10萬RPM高速風筒方案

電吹風已是我們生活必備的小工具，高速風筒以其高效速干、體積小質(zhì)量輕等優(yōu)勢讓使用者獲得更好的使用體驗，本篇將帶大家了解高速風筒的特點及兩款基于小華MCU的方案，歡迎來聊。

2022-06-16

小華HC32F460 風筒方案立功科技

高速光通信模塊設計

COVID-19 讓我們不得不面對一個現(xiàn)實，那就是面對面的交流變得不那么常見了。伴隨著最新一波包含無數(shù)新技術的數(shù)字化與信息化浪潮，互聯(lián)網(wǎng)訪問成為我們精準、實時的社交與交流重要手段。

2022-06-16

光通信模塊設計

SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動電壓的分析及探討

隨著制備技術的進步，在需求的不斷拉動下，碳化硅（SiC）器件與模塊的成本逐年降低。相關產(chǎn)品的研發(fā)與應用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車，可再生能源及儲能等應用領域的發(fā)展，更是不容小覷。

2022-06-15

SiC MOSFET 驅(qū)動電壓

25kW SiC直流快充設計指南(第六部分)：用于電源模塊的柵極驅(qū)動系統(tǒng)

在本系列文章的第一至第五部分[1-5]中，我們從硬件角度和控制策略上廣泛介紹了25 kW電動汽車充電樁的開發(fā)。圖1代表到目前為止所討論的系統(tǒng)。

2022-06-15

直流快充電源模塊柵極驅(qū)動

如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響

在IGBT時代，門極電壓的選擇比較統(tǒng)一，無非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領域，還未有約定俗成的門極電壓規(guī)范。本文愿就SiC MOSFET的門極電壓選擇上的困惑，提供些有用的參考。

2022-06-15

SiC MOSFET 門極電壓

性能出眾的1200V第四代SiC FET為高壓市場提供了優(yōu)秀的SiC功率解決方案

UnitedSiC（現(xiàn)名Qorvo）擴充了其1200V產(chǎn)品系列，將其突破性的第四代SiC FET技術推廣到電壓更高的應用中。新UF4C/SC系列中的六款新產(chǎn)品的規(guī)格從23毫歐到70毫歐，現(xiàn)以TO247-4L（采用開爾文連接）封裝提供，而1200V的53毫歐和70毫歐SiC FET還以TO247-3L封裝提供。這些新發(fā)布的SiC FET具有不凡的性能，...

2022-06-15

SiC FET 高壓市場解決方案

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