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LED驅(qū)動(dòng)模塊RSC6218A 5W-18W迷你高效驅(qū)動(dòng)電源應(yīng)用
REASUNOS(瑞森半導(dǎo)體)通過持續(xù)投入研發(fā)，提升LLC應(yīng)用技術(shù)，集成控制芯片與功率轉(zhuǎn)換，成功推出新一代產(chǎn)品RSC6218A WSOP-16，延續(xù)瑞森LLC拓?fù)浞桨?，時(shí)機(jī)趨勢完全迎合我國雙碳政策，電氣特性契合新版國標(biāo)GB/T 17625.1-2022和歐盟新版ERP認(rèn)證EU2019/2020雙重法規(guī)，專為中小功率的產(chǎn)品提供優(yōu)秀的方案；接下來會(huì)分幾個(gè)篇章持續(xù)介紹新方案產(chǎn)品的應(yīng)用資料和設(shè)計(jì)實(shí)例分享。
2024-04-28
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瑞森半導(dǎo)體新品攻略—小功率、小體積、高效率！LED驅(qū)動(dòng)模塊RSC6218A
瑞森半導(dǎo)體（REASUNOS）推出應(yīng)用在5W-18W LED電源上的LED驅(qū)動(dòng)模塊RSC6218A。LED驅(qū)動(dòng)模塊RSC6218A是一款LLC 諧振拓?fù)涔β誓K，帶有半橋驅(qū)動(dòng)的控制電路和功率轉(zhuǎn)化器件，適用于 LED 恒流控制線路，電路工作頻率可達(dá)200KHz。
2024-04-12
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更高能效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)驅(qū)動(dòng)模塊和開箱即用的電機(jī)開發(fā)套件
功率集成模塊(PIM)被廣泛用于驅(qū)動(dòng)、泵、暖通空調(diào) (HVAC)、能源轉(zhuǎn)換等各個(gè)領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)對(duì)能源的調(diào)制及高效利用。安森美半導(dǎo)體的創(chuàng)新的壓鑄模PIM (TMPIM)，集成最佳的IGBT / FRD技術(shù)，采用可靠的基板和環(huán)氧樹脂壓鑄模技術(shù)，比普通的凝膠填充功率模塊提高熱循環(huán)使用壽命10倍，提高功率回環(huán)使用壽命3倍，有利于逆變器系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)更高能效、更長的使用壽命及更高可靠性，適用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、泵、風(fēng)扇、熱泵、HVAC、伺服控制等多種應(yīng)用。
2020-12-09
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LED驅(qū)動(dòng)模塊在汽車照明中的新機(jī)遇
隨著LED照明在汽車電子領(lǐng)域的飛速發(fā)展，新的LED挑戰(zhàn)也接踵而至。本文介紹了當(dāng)今照明電源設(shè)計(jì)師面臨的主要限制因素，并探討了如何利用MPS新型汽車LED模塊 —— MPM6010-AEC1 解決這些問題。
2020-02-05
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典型功率MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路設(shè)計(jì)方案
功率場效應(yīng)晶體管由于承受短時(shí)過載的能力較弱，使其應(yīng)用受到一定的限制。本文分析了MOSFET器件驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路的設(shè)計(jì)要求，計(jì)算了MOSFET驅(qū)動(dòng)器的功耗及MOSFET驅(qū)動(dòng)器與MOSFET的匹配之后，在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)了基于IR2130驅(qū)動(dòng)模塊的MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路。該電路具有結(jié)構(gòu)簡單，實(shí)用性強(qiáng)，響應(yīng)速度快等特點(diǎn)。在驅(qū)動(dòng)無刷直流電機(jī)的應(yīng)用中證明，該電路驅(qū)動(dòng)能力及保護(hù)功能效果良好。
2016-07-15
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elmos推出72V集成模式BLDC直流無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)解決方案
德國elmos公司日前宣布推出一款適用于直流無刷電機(jī)(BLDC)控制的單芯片方案E523.52。該芯片的最大輸入電壓為72V，集成了一個(gè)16bit的微控制器，為馬達(dá)控制特別設(shè)計(jì)的硬件外設(shè)，多路電源發(fā)生器，MOSFET預(yù)驅(qū)動(dòng)模塊以及運(yùn)算放大器。在使用N溝道MOSFET的情況下，E523.52最大可驅(qū)動(dòng)1000W左右的直流無刷電機(jī)。
2015-06-04
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電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊的電路設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn),全速運(yùn)轉(zhuǎn)是關(guān)鍵
驅(qū)動(dòng)電路采用H型橋式PWM脈寬調(diào)制驅(qū)動(dòng)形式，如圖1所示。電路主要由大功率三極管B772、D882、三極管8050和光電耦合器等元件組成。該驅(qū)動(dòng)電路可控制電機(jī)的正轉(zhuǎn)、反轉(zhuǎn)和停止。
2014-09-27
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基于2SD315模塊的IGBT驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路設(shè)計(jì)
IGBT 驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路是IGBT可靠、穩(wěn)定、高效運(yùn)行的基礎(chǔ)，也是IGBT所構(gòu)成系統(tǒng)可靠運(yùn)行所必不可少的。本文所提出的IGBT驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路是應(yīng)用于二極管箝位式的三電平變頻器當(dāng)中，在介紹IGBT主要特性的前提下，介紹應(yīng)用CONCEPT公司的2SD315模塊設(shè)計(jì)具有高可靠性、高集成度，高效率等特點(diǎn)的 IGBT驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路，最后給出以型號(hào)為2SD315AI-33驅(qū)動(dòng)模塊的實(shí)際驅(qū)動(dòng)電路。
2013-08-24
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解讀各種IGBT驅(qū)動(dòng)電路和IGBT保護(hù)方法
保證IGBT的可靠工作，驅(qū)動(dòng)電路起著至關(guān)重要的作用，本文討論IGBT驅(qū)動(dòng)電路和IGBT的保護(hù)，包括驅(qū)動(dòng)電路EXB841/840、M57959L/M57962L厚膜驅(qū)動(dòng)電路、2SD315A集成驅(qū)動(dòng)模塊、IGBT短路失效機(jī)理和IGBT過流保護(hù)方法。
2013-08-08
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如何解決驅(qū)動(dòng)單元設(shè)計(jì)中的電磁兼容問題
驅(qū)動(dòng)單元的主電路都有可能對(duì)電磁環(huán)境存在干擾，所以在設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)模塊時(shí)，電磁兼容性問題就是我們必須考慮的問題，從而避免驅(qū)動(dòng)單元對(duì)外界的干擾。本文介紹了電磁兼容基本原理、電磁兼容的實(shí)施辦法，并且主對(duì)諧波電流的抑制方法進(jìn)行了具體闡述，同時(shí)對(duì)其它干擾也介紹了處理方法。
2013-04-19
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充分發(fā)揮MOSFET優(yōu)點(diǎn)的電機(jī)保護(hù)電路設(shè)計(jì)
如何設(shè)計(jì)出可靠和合理的驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路，對(duì)于充分發(fā)揮MOSFET功率管的優(yōu)點(diǎn)，起著至關(guān)重要的作用，也是有效利用MOSFET管的前提和關(guān)鍵。文中用IR2130驅(qū)動(dòng)模塊為核心，設(shè)計(jì)了功率MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路應(yīng)用與無刷直流電機(jī)控制系統(tǒng)中，同時(shí)也闡述了本電路各個(gè)部分的設(shè)計(jì)要求。該設(shè)計(jì)使系統(tǒng)功率驅(qū)動(dòng)部分的可靠性大大的提高。
2013-03-16
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實(shí)例分析，MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)
本文以IR2130驅(qū)動(dòng)模塊為核心，分析了MOSFET器件驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路的設(shè)計(jì)要求，并且計(jì)算了MOSFET驅(qū)動(dòng)器的功耗以及MOSFET驅(qū)動(dòng)器與MOSFET的匹配，而且還設(shè)計(jì)了基于IR2130驅(qū)動(dòng)模塊的MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路。
2013-03-15
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
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