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技術(shù)文章

汽車 GPU 算力新高度支持智駕芯片實(shí)現(xiàn)架構(gòu)創(chuàng)新

隨著汽車行業(yè)在“新四化”領(lǐng)域內(nèi)迅猛地進(jìn)步，汽車電子電氣架構(gòu)正在發(fā)生顯著的變化。智能化的深入促使汽車計(jì)算架構(gòu)逐步由傳統(tǒng)的以分域來(lái)進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)控制的分布式架構(gòu)，轉(zhuǎn)向以強(qiáng)調(diào)高性能計(jì)算同時(shí)減少冗余硬件和系統(tǒng)復(fù)雜性，從而提高系統(tǒng)效率和可靠性的中央計(jì)算架構(gòu)。與此同時(shí)，一些新興的功能在新車中的滲...

2024-12-03

汽車 GPU 算力智駕芯片

貿(mào)澤電子與Analog Devices和Bourns聯(lián)手發(fā)布全新電子書

貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Analog Devices, Inc. (ADI) 和Bourns合作推出全新電子書，探討氮化鎵 (GaN) 在效率、性能和可持續(xù)性方面的優(yōu)勢(shì)，以及發(fā)揮這些優(yōu)勢(shì)所面臨的挑戰(zhàn)。

2024-12-03

貿(mào)澤電子 Analog Devices Bourns 電子書

英飛凌AURIX TC3x新增支持FreeRTOS

全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的AURIX? TC3x微控制器（MCU）系列新增了對(duì)FreeRTOS的支持。

2024-12-03

英飛凌

【“源”察秋毫系列】纖維器件及其陣列電學(xué)測(cè)試方案詳解

使用電壓表或SMU源表等測(cè)試設(shè)備（如數(shù)字多用表的電壓測(cè)量檔等），將電壓表的探頭與纖維電學(xué)器件的兩個(gè)輸出電極相連接，確保連接牢固且接觸良好，以減少接觸電阻對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響。當(dāng)纖維電學(xué)器件處于工作狀態(tài)（如受到特定刺激，像壓電纖維器件受到外力作用、光電器件受到光照等）或在特定的電路環(huán)境...

2024-12-02

纖維器件電學(xué)測(cè)試

借助支持邊緣 AI 的 MCU 優(yōu)化實(shí)時(shí)控制系統(tǒng)中的系統(tǒng)故障檢測(cè)

本文中將討論集成式微控制器 (MCU) 如何增強(qiáng)高壓實(shí)時(shí)控制系統(tǒng)中的故障檢測(cè)功能。此類 MCU 使用集成神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理單元 (NPU) 運(yùn)行卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò) (CNN) 模型，幫助在監(jiān)測(cè)系統(tǒng)故障時(shí)降低延遲和功耗。通過(guò)將邊緣 AI 功能集成到用于管理實(shí)時(shí)控制的同一 MCU 中，可以幫助您優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)，同時(shí)增強(qiáng)整體性能。

2024-12-02

邊緣 AI MCU 實(shí)時(shí)控制系統(tǒng)

第10講：SiC的加工工藝（2）柵極絕緣層

SiC可以通過(guò)與Si類似的熱氧化過(guò)程，在晶圓表面形成優(yōu)質(zhì)的SiO2絕緣膜。這在制造SiC器件方面具有非常大的優(yōu)勢(shì)。在平面柵SiC MOSFET中，這種熱氧化形成的SiO2通常被用作柵極絕緣膜，并已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品化。然而，SiC的熱氧化與Si的熱氧化存在一些差異，在將熱氧化工藝應(yīng)用于SiC器件時(shí)必須考慮到這一點(diǎn)。

2024-12-02

SiC 柵極絕緣層

優(yōu)化簡(jiǎn)易PCB電路板的大規(guī)模測(cè)試，提高生產(chǎn)效率

隨著各行業(yè)對(duì)高效完成大批量生產(chǎn)的需求日益增強(qiáng)，構(gòu)建穩(wěn)健的測(cè)試策略也變得至關(guān)重要。此篇是德科技署名文章旨在深入探討簡(jiǎn)易電路板生產(chǎn)制造領(lǐng)域中適用的創(chuàng)新測(cè)試方法，力求在保障質(zhì)量的前提下，實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)效率的最優(yōu)化。

2024-12-02

PCB 電路板

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