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技術(shù)文章

意法半導(dǎo)體拓展新加坡“廠內(nèi)實(shí)驗(yàn)室” 深化壓電MEMS技術(shù)合作

全球半導(dǎo)體巨頭意法半導(dǎo)體（ST）宣布擴(kuò)大新加坡"廠內(nèi)實(shí)驗(yàn)室"（Lab-in-Fab）項(xiàng)目，聯(lián)合科技研究局微電子研究所 (A*STAR IME)、愛發(fā)科（ULVAC）、新加坡科技研究局材料研究與工程研究所 (A*STAR IMRE) 及新加坡國立大學(xué)（NUS），共同推進(jìn)壓電MEMS技術(shù)開發(fā)。

2025-05-29

意法半導(dǎo)體 Lab-in-Fab 壓電MEMS技術(shù)

電解電容技術(shù)全景解析：從核心原理到國產(chǎn)替代戰(zhàn)略

電解電容作為電子系統(tǒng)的“能量水庫”，在電源管理、信號耦合和濾波電路中扮演著不可替代的角色。其獨(dú)特的高容量體積比和電壓適應(yīng)性使其成為工業(yè)設(shè)備、新能源系統(tǒng)和消費(fèi)電子的核心元件。隨著固態(tài)化、高頻化技術(shù)突破，電解電容正突破壽命與頻率限制，而中美科技競爭加速了國產(chǎn)替代進(jìn)程。本文將深入解析...

2025-05-29

電解電容

有機(jī)實(shí)心電位器選型避坑指南：國際大廠VS國產(chǎn)新勢力

有機(jī)實(shí)心電位器是一種以有機(jī)聚合物為基材，通過填充導(dǎo)電顆粒（如碳黑、石墨）形成連續(xù)電阻體的無源電子元件。其核心結(jié)構(gòu)由電阻軌道、集電刷和轉(zhuǎn)動(dòng)軸組成，通過機(jī)械旋轉(zhuǎn)改變集電刷與電阻體的接觸位置，實(shí)現(xiàn)電阻值的連續(xù)調(diào)節(jié)。

2025-05-29

有機(jī)實(shí)心電位器

CMOS有源晶振電壓特性與精準(zhǔn)測量指南

CMOS有源晶振的供電電壓（Vcc）直接決定其輸出電壓特性。這種“高壓平、低壓差”的設(shè)計(jì)確保了數(shù)字電路的噪聲容限。例如LVCMOS3V3標(biāo)準(zhǔn)要求Voh≥3.2V（3.3V供電時(shí)），以滿足下游芯片的高電平識別閾值（≥2.0V）。供電電壓的兼容性是選型核心——如YXC YSO110TR系列支持1.8~3.3V寬壓輸入，適配低功耗IoT設(shè)備...

2025-05-29

CMOS有源晶振電壓特性精準(zhǔn)測量

IO-Link技術(shù)賦能智能工廠傳感器跨協(xié)議通信實(shí)戰(zhàn)指南

在工業(yè)4.0浪潮席卷全球制造業(yè)的今天，智能工廠建設(shè)正面臨前所未有的技術(shù)挑戰(zhàn)。當(dāng)生產(chǎn)線需要同時(shí)兼容Profinet、EtherCAT、Modbus等多種工業(yè)協(xié)議時(shí)，傳統(tǒng)專用型傳感器已難以滿足柔性制造需求。本文將深度解析如何打造具備"網(wǎng)絡(luò)無關(guān)性"的智能傳感器，通過模塊化設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)溫度、壓力等物理量的精準(zhǔn)采集與...

2025-05-29

現(xiàn)場總線智能工廠傳感器 IO-Link技術(shù)

Arm 生態(tài)系統(tǒng)：從云端到邊緣全面驅(qū)動(dòng) AI

人工智能 (AI) 正以前所未有的速度重塑科技，成為人們?nèi)粘Ｉ钪胁豢苫蛉钡囊徊糠?。Arm 計(jì)算平臺正處于這場變革的核心?；?Arm 架構(gòu)的芯片出貨量迄今已累計(jì)超過

2025-05-28

Arm 生態(tài)

電容選型避坑手冊：參數(shù)、成本與場景化適配邏輯

電容器是一種通過電場儲(chǔ)存電荷的無源元件，其基本結(jié)構(gòu)由兩個(gè)導(dǎo)體極板和中間的絕緣介質(zhì)（電介質(zhì)）組成。當(dāng)兩極板施加電壓時(shí)，正負(fù)電荷在極板上積累，形成電場儲(chǔ)能。電容值（C）由極板面積（A）、極板間距（d）和電介質(zhì)介電常數(shù)（ε）決定。

2025-05-27

電容

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