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技術(shù)文章

約起來(lái)！2021全球數(shù)字經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)大會(huì)正式啟動(dòng)

數(shù)字經(jīng)濟(jì)是全球未來(lái)的發(fā)展方向，正日益成為我國(guó)經(jīng)濟(jì)發(fā)展的主形態(tài)。為響應(yīng)國(guó)家號(hào)召，加快數(shù)字化轉(zhuǎn)型，大力發(fā)展數(shù)字經(jīng)濟(jì)，進(jìn)一步提升數(shù)字經(jīng)濟(jì)核心產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力，激發(fā)對(duì)經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展的引領(lǐng)賦能作用，由深圳市工業(yè)和信息化局和深圳市福田區(qū)人民政府指導(dǎo)、高科技行業(yè)門(mén)戶OFweek維科網(wǎng)主辦的“2021全球數(shù)字經(jīng)...

2021-03-15

數(shù)字經(jīng)濟(jì) 物聯(lián)網(wǎng) 5G通信

群策群力促發(fā)展 | 百家名企齊聚2021亞太國(guó)際電源展！

近年來(lái)，電力電子技術(shù)、數(shù)字信息技術(shù)的創(chuàng)新發(fā)展，各地電源技術(shù)與產(chǎn)業(yè)保持穩(wěn)步上升。伴隨環(huán)保和可持續(xù)發(fā)展政策的落實(shí)和推進(jìn)，各國(guó)能源消費(fèi)結(jié)構(gòu)不斷優(yōu)化，電源行業(yè)順勢(shì)而上，在“綠色、安全、經(jīng)濟(jì)”方面的表現(xiàn)可圈可點(diǎn)。

2021-03-15

亞太國(guó)際電源展環(huán)保能源

【當(dāng)代材料電學(xué)測(cè)試】系列之一：納米測(cè)試（下）

【當(dāng)代材料電學(xué)測(cè)試課堂】系列涉及當(dāng)代材料科學(xué)尖端的電運(yùn)輸及量子材料/超導(dǎo)材料測(cè)試、一維/碳納米管材料測(cè)試、二維材料及石墨烯測(cè)試及納米材料的應(yīng)用測(cè)試。今天跟您分享第一篇，【當(dāng)代材料電學(xué)測(cè)試課堂】系列之一：納米測(cè)試（下）。

2021-03-15

材料電學(xué)測(cè)試納米測(cè)試

【當(dāng)代材料電學(xué)測(cè)試課堂】系列之一：納米測(cè)試（上）

材料性質(zhì)的研究是當(dāng)代材料科學(xué)的重要一環(huán)，所謂材料的性質(zhì)是指對(duì)材料功能特性和效用的定量度量和描述，即材料對(duì)電、磁、光、熱、機(jī)械載荷的反應(yīng)。源表SMU 在當(dāng)代材料科學(xué)研究中，起到舉足輕重的作用，選擇適合某類(lèi)材料電性能測(cè)試的SMU，如何降低測(cè)試誤差，測(cè)試中應(yīng)當(dāng)注意什么，這些問(wèn)題都需要重點(diǎn)關(guān)...

2021-03-15

材料電學(xué)測(cè)試納米測(cè)試

關(guān)于SiP與先進(jìn)封裝的異同點(diǎn)

SiP系統(tǒng)級(jí)封裝（System in Package)，先進(jìn)封裝HDAP（High Density Advanced Package)，兩者都是當(dāng)今芯片封裝技術(shù)的熱點(diǎn)，受到整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的高度關(guān)注。那么，二者有什么異同點(diǎn)呢？

2021-03-15

SiP 先進(jìn)封裝

如何選取輸入電源Y電容？

隔離電源在初次級(jí)上加Y電容是為了給次級(jí)的共模電流提供一個(gè)回路到初級(jí)，減少共模電流對(duì)輸出的影響。有時(shí)候Y電容串接在大電解電容的正和或者是地之間，這都是可以的。有時(shí)候原副邊串兩個(gè)Y電容是為了提供更高的耐壓。

2021-03-15

電源 Y電容

詳解PWM驅(qū)動(dòng)MOS管H橋電路

H橋是一個(gè)典型的直流電機(jī)控制電路，因?yàn)樗碾娐沸螤羁崴谱帜窰，故得名與“H橋”。4個(gè)三極管組成H的4條垂直腿，而電機(jī)就是H中的橫杠（注意：圖中只是簡(jiǎn)略示意圖，而不是完整的電路圖，其中三極管的驅(qū)動(dòng)電路沒(méi)有畫(huà)出來(lái)）。

2021-03-15

PWM驅(qū)動(dòng) MOS管 H橋電路

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【當(dāng)代材料電學(xué)測(cè)試】系列之一：納米測(cè)試（下）

【當(dāng)代材料電學(xué)測(cè)試課堂】系列之一：納米測(cè)試（上）

關(guān)于SiP與先進(jìn)封裝的異同點(diǎn)

如何選取輸入電源Y電容？

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【當(dāng)代材料電學(xué)測(cè)試】系列之一： 納米測(cè)試（下）

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【當(dāng)代材料電學(xué)測(cè)試】系列之一：納米測(cè)試（下）

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