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IOTE將帶您挖掘物聯(lián)網(wǎng)億萬市場，領略六大展區(qū)展示的物聯(lián)網(wǎng)頭部企業(yè)新產(chǎn)品、新科技
讀】在數(shù)字化時代，碎片化應用讓我們對于物聯(lián)網(wǎng)的印象似乎是模糊的，清晰透明的物聯(lián)網(wǎng)藍圖是我們對未來的渴求。隨著物聯(lián)網(wǎng)技術在2020疫情防控的全力出擊、新基建的核心要素，這些給我們帶來希望和心安的是物聯(lián)網(wǎng)積蓄數(shù)十載所綻放的魄力。
2021-03-04
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三月ITES開講啦！5場行業(yè)千人會，50+技術論壇火爆全場！
2021新啟，為幫助制造業(yè)企業(yè)開拓市場、挖掘商機、洞悉未來，ITES深圳工業(yè)展特別開創(chuàng)“展+會+展”的全新展覽模式，鏈通垂直產(chǎn)業(yè)上下游，推動企業(yè)實現(xiàn)有效溝通交流。請跟隨四組有趣的數(shù)字，打開2021 ITES！
2021-03-03
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Maxim I/O集線器助力歐姆龍公司擴展NXR系列IO-Link產(chǎn)線，實現(xiàn)工業(yè)4.0
中國，北京—2021年2月23日—Maxim Integrated Products, Inc (NASDAQ: MXIM)宣布其雙通道IO-Link?產(chǎn)品被歐姆龍(OMRON Corporation)所采納，用于該公司NXR系列的IO-Link控制器和IO-Link I/O集線器，以擴展IO-Link雙向控制器和數(shù)字IO性能。借助Maxim Integrated的MAX14819A雙通道IO-Link控制器和MAX14827A IO-Link器件，以及MAX14912和MAX14915數(shù)字輸出器件，NXR系列產(chǎn)品為歐姆龍客戶提供便捷途徑，擴展其工廠自動化系統(tǒng)IO，并將智能化推向產(chǎn)線前沿。歐姆龍的創(chuàng)新NXR系列產(chǎn)品可持續(xù)診斷、監(jiān)測客戶現(xiàn)場生產(chǎn)設備的健康狀況及工作狀態(tài)。
2021-02-23
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集成電路是如何被發(fā)明的？
也許上天有意要人類發(fā)明出集成電路（IC：Integrated Circuit），幾乎在同時，兩組人在個不知曉對方發(fā)明工作的情況下，獨立設計出幾乎相同的集成電路。
2021-02-05
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采用具有驅(qū)動器源極引腳的低電感表貼封裝的SiC MOSFET
人們普遍認為，SiCMOSFET可以實現(xiàn)非常快的開關速度，有助于顯著降低電力電子領域功率轉(zhuǎn)換過程中的能量損耗。然而，由于傳統(tǒng)功率半導體封裝的限制，在實際應用中并不總是能發(fā)揮SiC元器件的全部潛力。在本文中，我們首先討論傳統(tǒng)封裝的一些局限性，然后介紹采用更好的封裝形式所帶來的好處。最后，展示對使用了圖騰柱（Totem-Pole）拓撲的3.7kW單相PFC進行封裝改進后獲得的改善效果。
2021-02-03
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CITE2021前瞻：智能網(wǎng)聯(lián)與自動駕駛吸引全球目光
2021年伊始，深耕智能汽車領域八年后，百度正式進場造車；近乎同一時間，英特爾自動駕駛子公司Mobileye預計2021年上半年將在東京、上海、巴黎以及紐約市測試其自動駕駛汽車技術；美國蘋果公司的“泰坦計劃”(即蘋果提出的自動駕駛汽車研發(fā)計劃)將在今年9月推出醞釀已久的電動汽車“蘋果汽車”(AppleCar)。
2021-01-29
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美光率先于業(yè)界推出 1α DRAM 制程技術
2021年 1 月 27 日，中國上海 — 內(nèi)存與存儲解決方案領先供應商 Micron Technology Inc. (美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU) 今日宣布批量出貨基于 1α (1-alpha) 節(jié)點的 DRAM 產(chǎn)品。該制程是目前世界上最為先進的 DRAM 技術，在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。這是繼最近首推全球最快顯存和 176 層 NAND 產(chǎn)品后，美光實現(xiàn)的又一突破性里程碑，進一步加強了公司在業(yè)界的競爭力。
2021-01-27
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美光攜手聯(lián)想、聯(lián)寶科技成立聯(lián)合實驗室，加速開發(fā)下一代PC和筆記本電腦
2021年 1 月 25 日，中國上海 — 內(nèi)存與存儲解決方案領先供應商 Micron Technology Inc. (美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU) 今日宣布攜手聯(lián)想及聯(lián)寶科技 (聯(lián)想旗下最大的制造和研發(fā)機構(gòu)) 成立聯(lián)合實驗室。該實驗室是內(nèi)存和存儲業(yè)界首家同時聯(lián)合原始設計制造商 (ODM) 及原始設備制造商 (OEM) 的聯(lián)合實驗室。這種獨特的三方合作模式將加快美光的 DRAM 和 NAND 前沿創(chuàng)新技術 (例如 GDDR6、LPDDR5、DDR5 和 PCIe 4.0 NVMe SSD) 在聯(lián)想產(chǎn)品設計中的應用，從而更好地滿足用戶的核心工作負載需求。
2021-01-27
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Vishay贊助的同濟大學電動方程式車隊勇奪冠軍，支持培養(yǎng)下一代汽車設計師
賓夕法尼亞、MALVERN — 2021年1 月 25 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，其贊助的同濟大學大學生電動方程式車隊---DIAN Racing首次榮獲中國大學生電動方程式汽車大賽（FSEC）總冠軍。
2021-01-25
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高速串行 ：AC耦合電容的選值需要考量這么多因素呀？？
我們知道，在串行信號中串個AC耦合電容，這個電容可以提供直流偏壓和過電流保護，但也會給鏈路帶了另一個問題PDJ(pattern-dependent jitter)。顧名思義，這和碼型有關。我們的鏈路可以等效成高通RC電路，當出現(xiàn)連續(xù)的“1”或“0”時，會出現(xiàn)下圖的直流壓降，這不僅會影響眼高，還會造成PDJ。
2021-01-22
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什么是鐵電存儲器？
隨著我們進入超智能和超互聯(lián)的第四次工業(yè)革命時代，高密度和高性能存儲器的重要性比以往任何時候都更大。目前應用最廣泛的NAND閃存由于依賴電荷陷阱效應存儲信息，存在功耗高、運行速度慢、易重復使用等問題。為此，POSTECH的一個研究小組最近展示了一種鐵電存儲器，它在運行速度、功耗和設備可靠性方面都超過了傳統(tǒng)閃存的性能。
2021-01-21
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前Intel新思全球技術高管加入中國芯片IP新銳公司，助推后者全球化部署
2021年1月18日—— 先進工藝芯片IP領先企業(yè)芯耀輝科技有限公司（以下簡稱“芯耀輝”）宣布任命安華（Anwar Awad）先生擔任芯耀輝全球總裁，全面負責技術和產(chǎn)品戰(zhàn)略實施，管理國際研發(fā)團隊，及領導公司并購戰(zhàn)略。隨著安華先生的加入，芯耀輝得以加速全球化部署的腳步，全面提速先進芯片IP技術的研發(fā)和產(chǎn)品布局。
2021-01-18
- 安森美與舍弗勒強強聯(lián)手，EliteSiC技術驅(qū)動新一代PHEV平臺
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