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CMOS電路的ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
靜電放電（ESD - ElectroStatic Discharge）會(huì)給電子器件帶來破壞性的后果，是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展，CMOS電路的尺寸不斷縮小，管子的柵氧厚度越來越薄，芯片的面積規(guī)模越來越大，MOS管能承受的電流和電壓也越來越小，而外圍的使用環(huán)境并未改變，因此要進(jìn)一步優(yōu)化電路的抗ESD性能。
2019-08-05
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簡要分析晶體振蕩器的作用以及選擇要求
關(guān)于晶體振蕩器，其英文名稱為quartz crystal oscillator，也就是我們經(jīng)常說的晶振，當(dāng)然咯，也有將其稱為有源晶振的。它能夠產(chǎn)生中央處理器（CPU）執(zhí)行指令所必須的時(shí)鐘頻率信號，CPU一切指令的執(zhí)行都是建立在這個(gè)基礎(chǔ)上的，時(shí)鐘信號頻率越高，通常CPU的運(yùn)行速度也就越快。
2019-07-19
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CMOS觸發(fā)器的結(jié)構(gòu)與工作原理
觸發(fā)器，學(xué)名雙穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器（Bistable?Multivibrator），是一種應(yīng)用在數(shù)字電路上具有記憶功能的循序邏輯組件，可記錄二進(jìn)位制數(shù)字信號“1”和“0”。觸發(fā)器是構(gòu)成時(shí)序邏輯電路以及各種復(fù)雜數(shù)字系統(tǒng)的基本邏輯單元。
2019-07-18
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四管同步升降壓變換器工作原理及設(shè)計(jì)相關(guān)問題
四管同步BuckBoost升降壓變換器為單電感結(jié)構(gòu)，不需要耦合電容，盡管系統(tǒng)需要四個(gè)開關(guān)管，控制相比較復(fù)雜，但由于采用同步的變換器，系統(tǒng)的效率比SEPIC高，而且體積比SEPIC小，非常適用于汽車及通訊這類系統(tǒng)的效率和體積要求嚴(yán)格的應(yīng)用。下面本文將討論這種四管同步BuckBoost升降壓變換器的具體的工作原理及設(shè)計(jì)過程的相關(guān)問題。
2019-07-12
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晶體管以類似水龍頭控制水流的方式控制電流
晶體管全稱雙極型三極管（Bipolar junction transistor，BJT）又稱晶體三極管，簡稱三極管，是一種固體半導(dǎo)體器件，可用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等。
2019-07-08
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深度解析Portable Stimulus：UVM集成
PSS和UVM的集成在一起不同于將兩種語言進(jìn)行集成。本文將列出這種集成的基本策略，以盡可能通用的語言來描述集成的六個(gè)步驟以及本文會(huì)詳細(xì)介紹前三個(gè)步驟。
2019-07-06
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交流固態(tài)繼電器的特點(diǎn)
交流固態(tài)繼電器ssr（solid state releys）是一種無觸點(diǎn)通斷電子開關(guān)，它利用電子元件（如開關(guān)三極管、雙向可控硅等半導(dǎo)體器件）的開關(guān)特性，可達(dá)到無觸點(diǎn)無火花地接通和斷開電路的目的，為四端有源器件，其中兩個(gè)端子為輸入控制端，另外兩端為輸出受控端。
2019-06-27
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一文帶你讀懂MOSFET
MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體（S）的場效應(yīng)晶體管。
2019-05-30
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PHIIDF 2019|第一視角洞察智能產(chǎn)業(yè)生態(tài)
轉(zhuǎn)眼間，菲尼克斯電氣年度活動(dòng)——菲尼克斯電氣創(chuàng)新與行業(yè)發(fā)展論壇PHIIDF(Phoenix Contact Innovation and Industry Development Forum)已經(jīng)走過六個(gè)年頭，從最初的行業(yè)技術(shù)交流平臺，已經(jīng)發(fā)展成為中國電氣和工控領(lǐng)域的頂級盛會(huì)。
2019-05-23
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這些只有PCB設(shè)計(jì)制造內(nèi)行人才明白的黑話你知道嗎？
Test Coupon，是用來以 TDR (Time Domain Reflectometer 時(shí)域反射計(jì)) 來測量所生產(chǎn)的 PCB 的特性阻抗是否滿足設(shè)計(jì)的要求，一般要控制的阻抗有單端線和差分對兩種情況，所以 test coupon 上的走線線寬和線距(有差分對時(shí))要與所要控制的線一樣，最重要的是測量時(shí)接地點(diǎn)的位置。
2019-05-20
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電路板設(shè)計(jì)為什么要設(shè)置測試點(diǎn)？
對學(xué)電子的人來說，在電路板上設(shè)置測試點(diǎn)(test point)是在自然不過的事了，可是對學(xué)機(jī)械的人來說，測試點(diǎn)是什么?
2019-05-06
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難得好資料：技術(shù)牛人功率MOS剖析
功率MOS場效應(yīng)晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體（S）的場效應(yīng)晶體管。
2019-04-23
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