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300mm晶圓量產(chǎn)光學超表面！ST與Metalenz深化納米光學革命
全球半導體巨頭意法半導體（STMicroelectronics） 與超表面光學先驅(qū)Metalenz達成戰(zhàn)略級技術(shù)許可合作，標志著納米光學器件規(guī)?；a(chǎn)取得關(guān)鍵突破。本次協(xié)議拓展了ST對Metalenz核心知識產(chǎn)權(quán)的使用權(quán)，并將依托其300毫米晶圓產(chǎn)線實現(xiàn)超表面光學元件的全流程整合制造——從半導體級納米壓印到光電協(xié)同測試認證。這一融合顛覆了傳統(tǒng)光學組件分立式生產(chǎn)模式，為消費電子、車載傳感等領(lǐng)域帶來性能躍升與成本重構(gòu)的雙重變革。
2025-07-10
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智能家居開發(fā)指南上線！貿(mào)澤電子發(fā)布全棧式設(shè)計資源中心
全球電子元器件分銷巨頭貿(mào)澤電子（Mouser Electronics）近日推出智能家居資源中心，為工程師構(gòu)建智能生態(tài)系統(tǒng)提供一站式技術(shù)平臺。該中心整合物聯(lián)網(wǎng)（IoT）前沿技術(shù)，涵蓋從傳感器到邊緣計算的全鏈路解決方案，助力開發(fā)者快速實現(xiàn)家居設(shè)備互聯(lián)、能源優(yōu)化及個性化場景定制，推動智能家居從概念向規(guī)?；涞剡~進。
2025-07-10
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200kHz開關(guān)頻率破局！Wolfspeed聯(lián)合恩智浦推出牽引逆變器解決續(xù)航焦慮
Wolfspeed與恩智浦（NXP）聯(lián)合推出業(yè)界首款經(jīng)過全面驗證的800V牽引逆變器參考設(shè)計，為電動汽車行業(yè)注入關(guān)鍵技術(shù)動能。面對汽車行業(yè)加速向零排放轉(zhuǎn)型的需求，該設(shè)計通過集成動態(tài)柵極強度調(diào)節(jié)技術(shù)與碳化硅（SiC）功率模塊，直擊效率提升、功能安全及長期可靠性三大核心痛點，助力車企快速開發(fā)出性能媲美甚至超越燃油車的差異化電動車型。
2025-07-09
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隔離式柵極驅(qū)動器核心技術(shù)全景：安全、能效與國產(chǎn)破局路徑
隔離式柵極驅(qū)動器作為電力電子系統(tǒng)的核心接口器件，通過電氣隔離技術(shù)將控制信號（低壓域）與功率開關(guān)（高壓域）安全耦合。其核心原理是利用電容隔離（如TI的SiO?介質(zhì)層）、磁隔離（變壓器耦合）或光隔離（光電耦合器）構(gòu)建絕緣屏障，阻斷高達10kV的瞬態(tài)高壓沖擊，同時傳遞精確的PWM驅(qū)動信號。在SiC/GaN等第三代半導體普及的背景下，其價值已從基礎(chǔ)“信號中轉(zhuǎn)站”升級為高頻開關(guān)穩(wěn)定器與系統(tǒng)安全守護者。
2025-07-08
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重磅公告！意法半導體2025年Q2業(yè)績發(fā)布及電話會議時間確定
服務多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 將在2025年7月24日歐洲證券交易所開盤前公布2025年第二季度財務數(shù)據(jù)。
2025-07-02
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1700V耐壓破局！Wolfspeed MOSFET重塑輔助電源三大矛盾
在電機驅(qū)動、電動汽車及可再生能源系統(tǒng)的隱形戰(zhàn)場——輔助電源系統(tǒng)中，Wolfspeed 1700V SiC MOSFET以顛覆性耐壓能力直擊行業(yè)痛點：在確保多源采購靈活性的前提下，同步實現(xiàn)系統(tǒng)尺寸縮減30%、壽命延長2倍、綜合成本降低25%，破解了高可靠性與低成本難以兼得的“三難困境”。
2025-07-02
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第八屆中國 IC 獨角獸榜單發(fā)布
本次評選聚焦集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈,旨在挖掘具有高成長性和技術(shù)突破的創(chuàng)新企業(yè),通過系統(tǒng)化估值與行業(yè)賦能,助力中國半導體產(chǎn)業(yè)在全球競爭中實現(xiàn)高質(zhì)量發(fā)展。
2025-07-01
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IOTE 2025深圳物聯(lián)網(wǎng)展：七大科技領(lǐng)域融合，重塑AIoT產(chǎn)業(yè)生態(tài)
2025年8月27-29日，深圳國際會展中心（寶安）將迎來IOTE第24屆國際物聯(lián)網(wǎng)展的科技盛宴。在全球AIoT技術(shù)深度賦能產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵節(jié)點，本屆展會首次構(gòu)建跨領(lǐng)域協(xié)同生態(tài)，強勢整合通用人工智能（AGIC）、智慧商顯、電子紙、行業(yè)智能解決方案、嵌入式系統(tǒng)、AI玩具及邊緣計算七大前沿領(lǐng)域。通過推動“數(shù)據(jù)感知 - 智能決策 - 場景落地”全鏈路貫通，展會將加速智能制造迭代升級、助力智慧城市系統(tǒng)優(yōu)化、重構(gòu)智慧生活新范式，為500+參展企業(yè)搭建技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)升級的核心樞紐。
2025-07-01
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MHz級電流測量突破：分流電阻電感補償技術(shù)解密
在第三代半導體（SiC/GaN）驅(qū)動的ns級開關(guān)場景中，表面貼裝分流電阻（SMD CVR）的寄生電感已成為高頻電流測量的首要瓶頸。實測表明：2mΩ/2512封裝電阻在150V/ns瞬態(tài)下產(chǎn)生＞38%電壓過沖，導致1MHz頻點測量誤差飆升至8.7%（Vishay WSLP2512測試數(shù)據(jù)），嚴重制約車載電控、射頻功放等對DC-3MHz帶寬、±1%精度要求的應用。本文提出基于矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀（VNA）的頻響建模技術(shù)，通過精準量化寄生參數(shù)（Lp/Cp），并設(shè)計臨界阻尼RC補償網(wǎng)絡(luò)，將1MHz測量誤差壓縮至＜1%、過沖抑制＞90%，單方案成本＜$0.1，為高可靠性功率系統(tǒng)提供底層保障。
2025-07-01
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一文讀懂SiC Combo JFET技術(shù)
安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應用，如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性和 JFET 的高效結(jié)構(gòu)，可實現(xiàn)更低的導通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個器件并聯(lián)以高效管理大電流負載的應用場景。
2025-06-26
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離座秒鎖屏！意法半導體新推人體存在檢測技術(shù)守護PC智能設(shè)備隱私安全
意法半導體（STMicroelectronics）近日發(fā)布新一代人體存在檢測（HPD）技術(shù)，通過集成FlightSense?飛行時間（ToF）傳感器與AI算法，為筆記本電腦、PC及顯示設(shè)備帶來能效與安全性的雙重突破。該方案可降低設(shè)備日用電量超20%，同時強化隱私保護與信息安全。其核心功能包括：基于頭部姿態(tài)識別的智能屏幕亮度調(diào)節(jié)、用戶離席自動鎖屏與返座喚醒，以及多人圍觀時的隱私警報。結(jié)合Windows Hello生物識別技術(shù)，用戶無需手動操作即可完成設(shè)備交互，體驗全面升級。
2025-06-26
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安森美SiC技術(shù)賦能AI數(shù)據(jù)中心，助力高能效電源方案
緊跟人工智能的算力步伐，全球數(shù)據(jù)中心正面臨前所未有的能耗挑戰(zhàn)。面對大模型訓練、實時推理等場景帶來的指數(shù)級能耗增長，全球領(lǐng)先的智能電源與感知技術(shù)供應商安森美（onsemi）正式推出《AI數(shù)據(jù)中心系統(tǒng)方案指南》，首次系統(tǒng)性展示其基于尖端碳化硅（SiC）技術(shù)的全鏈路電源解決方案，為下一代超算中心提供從電網(wǎng)接入到芯片供電的完整能效優(yōu)化路徑。
2025-06-25
- 即插即用語音交互解決方案：ReSpeaker XVF3800系列開發(fā)板全面上市
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