【導(dǎo)讀】在工業(yè)4.0時(shí)代，從便攜式電動(dòng)工具到重型AGV（自動(dòng)導(dǎo)引車），電池供電設(shè)備正加速滲透制造業(yè)、倉(cāng)儲(chǔ)物流和建筑領(lǐng)域。然而，工業(yè)級(jí)充電器的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)重重：既要承受嚴(yán)苛環(huán)境（如高溫、震動(dòng)、粉塵），又需在120V~480V寬輸入電壓下保持高效穩(wěn)定，同時(shí)滿足輕量化、無(wú)風(fēng)扇散熱的需求。碳化硅（SiC）功率器件的崛起，正為這一難題提供破局關(guān)鍵——其超快開(kāi)關(guān)速度和低損耗特性，不僅提升了功率密度，更解鎖了傳統(tǒng)IGBT難以實(shí)現(xiàn)的新型PFC（功率因數(shù)校正）拓?fù)?。本文將深入解析工業(yè)充電器的PFC級(jí)設(shè)計(jì)策略，助您精準(zhǔn)選型。
簡(jiǎn)介
工業(yè)電池充電器需要為不同的電池充電，如鉛酸電池、鎳氫電池和鋰離子電池。大多數(shù)基于電池的新型工業(yè)設(shè)備主要使用12 伏至120 伏的鋰離子電池和磷酸鋰電池。
鋰離子電池組的典型應(yīng)用
工業(yè)充電器由PFC前端電路與帶恒壓恒流控制的隔離式DC-DC變換級(jí)組成。
典型電池充電系統(tǒng)框圖
在許多設(shè)計(jì)中都會(huì)使用微控制器來(lái)對(duì)充電器進(jìn)行編程，以適應(yīng)不同的電池電壓和電流容量。為了實(shí)現(xiàn)更快速且高效率的充電，需要使用高頻充電器。智能電池充電系統(tǒng)能夠檢測(cè)電池的電壓和容量，并根據(jù)恒定電壓模式進(jìn)行充電，同時(shí)通過(guò)監(jiān)測(cè)電池的電壓、電流和溫度來(lái)調(diào)節(jié)所需的充電電流。SiC MOSFET可在高工作頻率和高溫環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行，開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗更低。極低的功率損耗使得電池充電器可以實(shí)現(xiàn)高功率密度和高效率，散熱片更小，并能自然對(duì)流冷卻。
PFC 級(jí)選型
接下來(lái)，我們將對(duì)這些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行選型分析，并討論它們?cè)诓煌姵毓╇姂?yīng)用中的適用性。
?升壓 PFC拓?fù)?/p>
連續(xù)導(dǎo)通模式升壓PFC 是一種簡(jiǎn)單、低成本的解決方案。升壓拓?fù)溆奢斎隕MI 濾波器、橋式整流器、升壓電感、升壓場(chǎng)效應(yīng)管和升壓二極管組成。
升壓PFC拓?fù)?/span>
定頻平均模式控制器可用于實(shí)現(xiàn)高功率因數(shù)和低總諧波失真（THD），并調(diào)節(jié)輸出電壓。推薦使用安森美NCP1654和 NCP1655CCM PFC 控制器。對(duì)于大功率應(yīng)用，可以使用交錯(cuò)式PFC控制器，如FAN9672和FAN9673。升壓二極管(D1) 推薦使用650V EliteSiC 二極管。EliteSiC MOSFET 可用于高頻和大功率應(yīng)用，如2 kW 至6.6 kW。帶有iGaN（集成柵極驅(qū)動(dòng)器）的圖騰柱PFC 控制器IC（如NCP1681）可用于600 W 至1.0 kW 的應(yīng)用。硅超級(jí)結(jié)MOSFET 和IGBT可用于 20 kHz 至 60 kHz 的低頻應(yīng)用。
在大功率應(yīng)用中，輸入電橋損耗明顯更高。用Si 或SiC MOSFET 等有源開(kāi)關(guān)取代二極管，可以降低功率損耗。半無(wú)橋PFC 和圖騰柱PFC 拓?fù)浞浅Ａ餍?，它們可以省去橋式整流器，從而減少損耗。
?圖騰柱PFC
圖騰柱PFC 由EMI 濾波器、升壓電感、高頻半橋、低頻半橋、2通道柵極驅(qū)動(dòng)器和定頻圖騰柱PFC 控制器NCP1681B組成。
騰柱 PFC拓?fù)?/span>
基于 SiC的 3 kW 圖騰柱 PFC和 LLC電源
圖騰柱 PFC的高頻支路要求功率開(kāi)關(guān)中集成的二極管具有低反向恢復(fù)時(shí)間。SiC和 GaN功率開(kāi)關(guān)適用于圖騰柱PFC 的高頻支路。安森美建議在600 W 至1.2 kW 應(yīng)用中使用帶集成柵極驅(qū)動(dòng)器的iGaN，在1.5 kW 至6.6 kW 應(yīng)用中使用SiC MOSFET。集成SiC 二極管的IGBT 可用于20 - 40 kHz 的應(yīng)用。低頻支路可使用低RDS(on) 硅超級(jí)結(jié)MOSFET 或低VCE(SAT) IGBT。交錯(cuò)式圖騰柱PFC 可用于4.0 kW 至6.6 kW 應(yīng)用。
基于MOSFET的圖騰柱PFC級(jí)通過(guò)去除笨重且損耗大的橋式整流器，提高了效率和功率密度。安森美的650V EliteSiC MOSFET非常適合圖騰柱PFC的高頻支路。安森美650V EliteSiC MOSFET如NTH4L045N065SC1和NTH4L032N065M3S適合3.0kW的應(yīng)用；NTH4L015N065SC1和即將上市的NTH4L012N065M3S適合6.6kW的應(yīng)用。NTHL017N60S5H則適用于圖騰柱PFC的低頻支路。
