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干貨：電路設計的全過程（含原理圖）
開關電源的設計是一份非常耗時費力的苦差事，需要不斷地修正多個設計變量，直到性能達到設計目標為止。本文step-by-step 介紹反激變換器的設計步驟，并以一個6.5W 隔離雙路輸出的反激變換器設計為例，主控芯片采用NCP1015。
2019-09-03
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一文帶你認識全類型“電阻”！
電阻（Resistance，通常用“R”表示），是一個物理量，在物理學中表示導體對電流阻礙作用的大小。導體的電阻越大，表示導體對電流的阻礙作用越大。不同的導體，電阻一般不同，電阻是導體本身的一種特性。電阻將會導致電子流通量的變化，電阻越小，電子流通量越大，反之亦然。而超導體則沒有電阻。
2019-09-02
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工程師實戰(zhàn)干貨分享：77條STM32知識匯總
以下是工程師結合自己的工作實戰(zhàn)經驗分享，總共有77條STM32知識匯總，建議收藏！SYSCLK時鐘源有三個來源：HSI RC、HSE OSC、PLL等。
2019-08-13
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屏蔽效能分析
屏蔽效能表現(xiàn)了屏蔽體對電磁波的衰減程度。由于屏蔽體通常能將電磁波的強度衰減到原來的百分之一至萬分之一, 因此通常用分貝(dB)來表述。一般的屏蔽體的屏蔽效能可達40 dB, 軍用設備的屏蔽體的屏蔽效能可達60 dB, TEMPEST設備的屏蔽體的屏蔽效能可達80 dB以上。
2019-08-06
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MOS管簡介以及判定電極、放大能力的方法
MOS場效應管即金屬-氧化物-半導體型場效應管，英文縮寫為MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor)，屬于絕緣柵型。
2019-08-05
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CMOS電路的ESD保護結構設計
靜電放電（ESD - ElectroStatic Discharge）會給電子器件帶來破壞性的后果，是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展，CMOS電路的尺寸不斷縮小，管子的柵氧厚度越來越薄，芯片的面積規(guī)模越來越大，MOS管能承受的電流和電壓也越來越小，而外圍的使用環(huán)境并未改變，因此要進一步優(yōu)化電路的抗ESD性能。
2019-08-05
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簡要分析晶體振蕩器的作用以及選擇要求
關于晶體振蕩器，其英文名稱為quartz crystal oscillator，也就是我們經常說的晶振，當然咯，也有將其稱為有源晶振的。它能夠產生中央處理器（CPU）執(zhí)行指令所必須的時鐘頻率信號，CPU一切指令的執(zhí)行都是建立在這個基礎上的，時鐘信號頻率越高，通常CPU的運行速度也就越快。
2019-07-19
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CMOS觸發(fā)器的結構與工作原理
觸發(fā)器，學名雙穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器（Bistable?Multivibrator），是一種應用在數(shù)字電路上具有記憶功能的循序邏輯組件，可記錄二進位制數(shù)字信號“1”和“0”。觸發(fā)器是構成時序邏輯電路以及各種復雜數(shù)字系統(tǒng)的基本邏輯單元。
2019-07-18
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四管同步升降壓變換器工作原理及設計相關問題
四管同步BuckBoost升降壓變換器為單電感結構，不需要耦合電容，盡管系統(tǒng)需要四個開關管，控制相比較復雜，但由于采用同步的變換器，系統(tǒng)的效率比SEPIC高，而且體積比SEPIC小，非常適用于汽車及通訊這類系統(tǒng)的效率和體積要求嚴格的應用。下面本文將討論這種四管同步BuckBoost升降壓變換器的具體的工作原理及設計過程的相關問題。
2019-07-12
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晶體管以類似水龍頭控制水流的方式控制電流
晶體管全稱雙極型三極管（Bipolar junction transistor，BJT）又稱晶體三極管，簡稱三極管，是一種固體半導體器件，可用于檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調制等。
2019-07-08
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深度解析Portable Stimulus：UVM集成
PSS和UVM的集成在一起不同于將兩種語言進行集成。本文將列出這種集成的基本策略，以盡可能通用的語言來描述集成的六個步驟以及本文會詳細介紹前三個步驟。
2019-07-06
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交流固態(tài)繼電器的特點
交流固態(tài)繼電器ssr（solid state releys）是一種無觸點通斷電子開關，它利用電子元件（如開關三極管、雙向可控硅等半導體器件）的開關特性，可達到無觸點無火花地接通和斷開電路的目的，為四端有源器件，其中兩個端子為輸入控制端，另外兩端為輸出受控端。
2019-06-27
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