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11萬+人次！5000+海外買家！2025 AGIC+IOTE深圳物聯(lián)網展圓滿收官，2026再聚
8月29日晚，深圳會展中心（寶安新館）的燈牌逐漸熄滅，為期三天的2025 AGIC+IOTE第24屆國際物聯(lián)網展?深圳站正式落下帷幕。場館內還殘留著展商收拾展位的忙碌身影，而門口的電子屏上，“112,368人次入場”“5,178名海外買家”的數(shù)字依然閃爍——這些數(shù)據(jù)，不僅是這場AIoT盛宴的“流量注腳”，更印證了全球對“人工智能+物聯(lián)網”技術的迫切需求。 在AIoT深度融入工業(yè)、消費、城市等全場景，全球數(shù)字化轉型進入“落地攻堅期”的背景下，中國憑借“產業(yè)規(guī)模（全球物聯(lián)網市場份額占比超35%）、場景創(chuàng)新（如智慧工廠、智能座艙等）、生態(tài)構建（從芯片到終端的全鏈條配套）”的綜合優(yōu)勢，已成為全球物聯(lián)網發(fā)展的“核心引領者”。此次展會，正是這一優(yōu)勢的集中體現(xiàn)：從海外買家對中國智能硬件的“搶購式咨詢”，到展商展示的“AI算法+IoT終端”融合方案，每一個細節(jié)都在訴說著“萬物互聯(lián)”的未來，已從“概念”走進“現(xiàn)實”。
2025-09-01
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SiC賦能工業(yè)充電器：拓撲結構優(yōu)化與元器件選型實戰(zhàn)指南
隨著工業(yè)新能源體系（如電動叉車、分布式儲能、重型工程機械）的快速擴張，電池充電器的高功率密度、高轉換效率、高可靠性已成為剛性需求。傳統(tǒng)IGBT器件因開關速度慢、反向恢復損耗大，難以滿足“小體積、大輸出”的設計目標——而碳化硅（SiC）功率器件的出現(xiàn)，徹底改變了這一局面。 SiC器件的核心優(yōu)勢在于極致的開關性能：其開關速度可達IGBT的5-10倍，反向恢復損耗幾乎為零，同時能在175℃以上的高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作。這些特性不僅能將充電器的功率密度提升40%以上（相同功率下體積縮小1/3），更關鍵的是，它突破了IGBT對功率因數(shù)校正（PFC）拓撲的限制——比如圖騰柱PFC、交錯并聯(lián)PFC等新型架構，原本因IGBT的損耗問題無法落地，如今借助SiC得以實現(xiàn)，使充電器的整體效率從92%提升至96%以上。 本文將聚焦工業(yè)充電器的拓撲結構優(yōu)化，結合SiC器件的特性，拆解“如何通過拓撲選型匹配SiC優(yōu)勢”“元器件（如電容、電感）如何與拓撲協(xié)同”等核心問題，為工程師提供可落地的設計指南。
2025-08-29
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意法半導體2025半年報亮相：IFRS標準下的全球半導體龍頭中期答卷
2025年8月21日，全球領先的半導體解決方案供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）通過公司官網正式披露了截至2025年6月28日的IFRS標準中期財務報告（涵蓋六個月經營周期），并同步向荷蘭金融市場管理局（AFM）完成 regulatory filing（監(jiān)管報備）。作為服務于消費電子、工業(yè)控制、汽車電子等多領域的半導體巨頭，此次財報不僅是其2025年上半年經營狀況的“數(shù)字快照”，更成為行業(yè)觀察全球半導體市場復蘇趨勢的重要參考。
2025-08-21
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KiCad膠水層揭秘：SMT紅膠工藝的“隱形固定師”
在KiCad這款開源PCB設計軟件的圖層列表中，有兩層常常被新手當作“無關緊要的標記層”——F.Adhesive（正面膠水層）和B.Adhesive（背面膠水層）。但對SMT（表面貼裝技術）生產線上的工程師來說，這兩層卻是“隱形的固定師”：它們標注的位置，直接決定了紅膠如何點涂，進而確保SMD（表面貼裝器件）元件在高溫焊接時不會移位、脫落。從KiCad的設計端到工廠的生產端，這兩層看似簡單的“膠水層”，其實串聯(lián)起了SMT紅膠工藝的核心邏輯。
2025-08-20
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氮化鎵電源IC U8726AHE：用Boost技術破解寬電壓供電難題
在手機快速充電器、筆記本適配器、移動電源等消費電子設備中，電源的“穩(wěn)定性”與“效率”直接決定了用戶體驗——比如，一款能支持5V/2A、9V/2A、12V/1.5A等多規(guī)格輸出的快速充電器，需要電源IC在寬電壓范圍內保持穩(wěn)定供電，同時不能因為額外電路增加體積或成本。然而，傳統(tǒng)電源方案在應對這一需求時，往往陷入“兩難”：要么依賴輔助繞組（增加變壓器體積），要么外接穩(wěn)壓電路（提高功耗），導致產品競爭力下降。針對這一痛點，一款集成高壓E-GaN（增強型氮化鎵） 與Boost供電技術的電源IC——U8726AHE應運而生，它像一把“鑰匙”，打開了消費電子電源“寬電壓、高效率、小體積”的新局面。
2025-08-20
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Nordic nRF5 SDK與Softdevice深度解析：開發(fā)BLE應用的底層邏輯與避坑指南
在BLE（藍牙低功耗）應用開發(fā)領域，Nordic的nRF5系列芯片（如nRF51、nRF52）因其低功耗、高集成度的特性，成為開發(fā)者的首選。而支撐這些芯片運行的“底層基石”，正是nRF5 SDK（軟件開發(fā)工具包）與Softdevice（藍牙協(xié)議棧）。然而，很多開發(fā)者對兩者的關系、版本選擇及目錄結構存在困惑——比如，SDK是“工具”還是“協(xié)議棧”？Softdevice為什么不能隨便升級？本文將從開發(fā)邏輯出發(fā)，深度解析這兩個工具的核心作用、使用誤區(qū)及最佳實踐，幫你搭建清晰的BLE開發(fā)底層認知。
2025-08-20
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工業(yè)充電器能效革命：碳化硅技術選型與拓撲優(yōu)化實戰(zhàn)
隨著800V高壓平臺在電動汽車與工業(yè)儲能領域加速滲透，傳統(tǒng)硅基功率器件正面臨開關損耗與散熱設計的雙重瓶頸。以碳化硅（SiC）MOSFET為代表的新型半導體，憑借10倍于IGBT的開關頻率和85%的能效提升率，正推動工業(yè)充電器架構向高頻化、集成化躍遷。本文深度解析SiC技術賦能的拓撲結構選型策略，揭曉如何在LLC諧振、圖騰柱PFC等創(chuàng)新方案中精準匹配功率器件參數(shù)，實現(xiàn)系統(tǒng)成本與性能的黃金平衡點。
2025-08-19
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工業(yè)充電器PFC拓撲進化論：SiC如何重塑高效電源設計？
在工業(yè)4.0時代，從便攜式電動工具到重型AGV（自動導引車），電池供電設備正加速滲透制造業(yè)、倉儲物流和建筑領域。然而，工業(yè)級充電器的設計挑戰(zhàn)重重：既要承受嚴苛環(huán)境（如高溫、震動、粉塵），又需在120V~480V寬輸入電壓下保持高效穩(wěn)定，同時滿足輕量化、無風扇散熱的需求。碳化硅（SiC）功率器件的崛起，正為這一難題提供破局關鍵——其超快開關速度和低損耗特性，不僅提升了功率密度，更解鎖了傳統(tǒng)IGBT難以實現(xiàn)的新型PFC（功率因數(shù)校正）拓撲。本文將深入解析工業(yè)充電器的PFC級設計策略，助您精準選型。
2025-08-18
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電源架構設計智能化革命：ADI三駕馬車如何重塑開發(fā)范式
在電子系統(tǒng)功耗管理日益復雜的背景下，電源架構設計正經歷從經驗驅動到工具賦能的范式轉移。全球模擬半導體巨頭ADI公司推出的LT工具鏈（LTspice/LTpowerCAD/LTpowerPlanner），構建了覆蓋電路仿真、參數(shù)優(yōu)化到系統(tǒng)規(guī)劃的全流程解決方案。這套工具鏈正在改變工程師設計電源系統(tǒng)的基本邏輯，將傳統(tǒng)耗時數(shù)周的設計周期壓縮至小時級精度迭代。
2025-08-18
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X-HBM架構橫空出世：AI芯片內存技術的革命性突破
在AI算力需求呈指數(shù)級增長的今天，內存帶寬已成為制約大模型發(fā)展的關鍵瓶頸。NEO Semiconductor最新發(fā)布的X-HBM架構，以其32K位總線和單芯片512Gbit容量的驚人規(guī)格，一舉突破傳統(tǒng)HBM技術的物理限制，為下一代AI芯片提供了高達16倍帶寬和10倍密度的內存解決方案，這標志著AI硬件發(fā)展進入全新階段。
2025-08-12
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DIC EXPO 2025國際（上海）顯示技術及應用創(chuàng)新展盛大開幕！
全球顯示產業(yè)界翹首以盼的年度盛會——DIC EXPO 2025國際（上海）顯示技術及應用創(chuàng)新展今日在上海新國際博覽中心隆重開幕！本屆展會由中國光學光電子行業(yè)協(xié)會液晶分會（CODA）主辦，上海勵程展覽有限公司承辦，以“AI·顯示 再謀新篇“為主題，匯聚全球顯示產業(yè)精英，共同見證新時代顯示技術的創(chuàng)新突破與產業(yè)發(fā)展的嶄新篇章。
2025-08-11
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800V高壓平臺突圍！安森美碳化硅技術賦能小米YU7性能躍升
安森美宣布，其基于EliteSiC M3e技術打造的800V高壓驅動平臺已應用于小米汽車旗下YU7電動SUV部分車型。該平臺憑借高性能碳化硅（SiC）技術，可助力電動汽車制造商優(yōu)化牽引系統(tǒng)設計，實現(xiàn)更緊湊、輕量化及高可靠性的動力解決方案。
2025-08-04
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