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電源管理

如何在不構(gòu)建專(zhuān)用硬件的情況下制作充電寶原型

理想情況下，任何電源設(shè)計(jì)都應(yīng)該從一些基本的概念驗(yàn)證測(cè)試開(kāi)始，這通常涉及測(cè)試現(xiàn)有演示板。本演示只是簡(jiǎn)單地執(zhí)行該預(yù)先存在的步驟（在演示硬件上測(cè)試單電源軌），并在此基礎(chǔ)上進(jìn)行擴(kuò)展，以利用演示硬件得到一個(gè)工作系統(tǒng)。此外，由于本演示需要在相對(duì)較短的時(shí)間內(nèi)完成，采用典型開(kāi)發(fā)流程——設(shè)計(jì)、布...

2023-04-14

專(zhuān)用硬件充電寶 ADI

整車(chē)電子電氣架構(gòu)中的智能執(zhí)行器

還記得兩三年前，當(dāng)我們談?wù)撾娮与姎饧軜?gòu)(Electrical/Electronic Architecture，EEA)的時(shí)候，還是談?wù)摲植际郊軜?gòu)到域控架構(gòu)的升級(jí)，關(guān)于中央計(jì)算單元+區(qū)域控制器架構(gòu)，感覺(jué)還是遙不可及，電子電氣架構(gòu)發(fā)展階段圖如下所示。

2023-04-13

智能執(zhí)行器 EEA

封裝設(shè)計(jì)解惑：如何使用數(shù)據(jù)表中的穩(wěn)態(tài)熱特性參數(shù)

在使用數(shù)據(jù)表中的熱特性參數(shù)時(shí)，如何做出設(shè)計(jì)決策經(jīng)常存在一定的誤區(qū)。本文將幫助您了解如何解讀數(shù)據(jù)表中的熱參數(shù)：包括如何選擇 θ 與 ψ 及其計(jì)算，以及如何以實(shí)用的方式將其應(yīng)用于設(shè)計(jì)，這里我們將重點(diǎn)討論在穩(wěn)態(tài)工作條件下的情況。

2023-04-13

封裝設(shè)計(jì) 熱特性

使用HRPWM的注意事項(xiàng)

隨著新能源領(lǐng)域的發(fā)展, 在數(shù)字電源控制系統(tǒng)中要求功率密度高且轉(zhuǎn)換效率高。其中,整機(jī)功率密度的提升，就需要提高開(kāi)關(guān)頻率, 大部分現(xiàn)有產(chǎn)品的開(kāi)關(guān)頻率在50k~200kHz。然而, 由于SiC/GaN器件的大面積推廣與使用, 開(kāi)關(guān)頻率已經(jīng)提升到500kHz，甚至1MHz。當(dāng)系統(tǒng)的開(kāi)關(guān)頻率超過(guò)200kHz時(shí)，此時(shí)PWM脈寬的調(diào)節(jié)...

2023-04-12

HRPWM 注意事項(xiàng) C2000

使用C2000內(nèi)部比較器替外部比較器

C2000系列芯片在數(shù)字電源和電機(jī)控制中有著廣泛的應(yīng)用，在這些應(yīng)用中，過(guò)流過(guò)壓保護(hù)是必不可少的。傳統(tǒng)的方法是使用外部比較器，但是會(huì)存在濾波電路不好設(shè)計(jì)，不同版本需要不同的BOM來(lái)提供不同的保護(hù)點(diǎn)等問(wèn)題。本文針對(duì)所有第三代C2000芯片，比如F2807x/37x，F(xiàn)28004x，F(xiàn)28002x等，介紹C2000內(nèi)部比較...

2023-04-12

C2000 比較器數(shù)字電源

一種用于戶(hù)外電源電池管理系統(tǒng)的冗余設(shè)計(jì)

便攜儲(chǔ)能市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)帶來(lái)了戶(hù)外電源這一消費(fèi)品類(lèi)，并且隨著消費(fèi)者對(duì)用電需求增加，使得戶(hù)外電源功率不斷增大。為了保證戶(hù)外電源的安全，電池管理系統(tǒng)（BMS）設(shè)計(jì)需要高度可靠，有些設(shè)計(jì)者會(huì)采用冗余設(shè)計(jì)來(lái)實(shí)現(xiàn)該需求。本文介紹一種戶(hù)外電源BMS中的冗余設(shè)計(jì)策略，以避免單點(diǎn)失效。

2023-04-12

電源電池管理系統(tǒng) 冗余設(shè)計(jì)

開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器的8位嵌入式設(shè)計(jì)應(yīng)用

為基于微控制器（MCU）的嵌入式設(shè)計(jì)減少物料清單（BOM）成本和尺寸是首要設(shè)計(jì)考慮因素之一。在帶有開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器的8位MCU設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)這些設(shè)計(jì)目標(biāo)的途徑之一，是采用高頻時(shí)鐘輸出來(lái)驅(qū)動(dòng)這些開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器，而不是采用傳統(tǒng)的低頻脈寬調(diào)制（PWM）輸出。這種技術(shù)可以減少開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器中電感器容量大小，從而降低...

2023-04-11

開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器嵌入式設(shè)計(jì)應(yīng)用

無(wú)刷直流電機(jī)及其驅(qū)動(dòng)：設(shè)計(jì)考慮因素和挑戰(zhàn)

電機(jī)最早出現(xiàn)在十八世紀(jì)，之后迅速全面普及，根據(jù)國(guó)際能源署 IEA-4E 組織 EMSA 數(shù)據(jù)，其消耗了全球生產(chǎn)能源的一半以上，數(shù)據(jù)來(lái)源：Electric Motor Systems - 4E Energy Efficient End-use Equipment (iea-4e.org)。國(guó)際能源署（IEA) 也表示，通常 95% 的電機(jī)生命周期成本，來(lái)自為其提供動(dòng)力的電力，...

2023-04-11

無(wú)刷直流電機(jī) 驅(qū)動(dòng) 設(shè)計(jì)

使用集成MOSFET限制電流的簡(jiǎn)單方法

電子電路中的電流通常必須受到限制。例如在USB端口中，必須防止電流過(guò)大，以便為電路提供可靠的保護(hù)。同樣在充電寶中，必須防止電池放電。放電電流過(guò)高會(huì)導(dǎo)致電池的壓降太大和下游設(shè)備的供電電壓不足。

2023-04-11

MOSFET 限制電流

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如何在不構(gòu)建專(zhuān)用硬件的情況下制作充電寶原型

整車(chē)電子電氣架構(gòu)中的智能執(zhí)行器

封裝設(shè)計(jì)解惑：如何使用數(shù)據(jù)表中的穩(wěn)態(tài)熱特性參數(shù)

使用HRPWM的注意事項(xiàng)

使用C2000內(nèi)部比較器替外部比較器

一種用于戶(hù)外電源電池管理系統(tǒng)的冗余設(shè)計(jì)

開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器的8位嵌入式設(shè)計(jì)應(yīng)用

無(wú)刷直流電機(jī)及其驅(qū)動(dòng)：設(shè)計(jì)考慮因素和挑戰(zhàn)

使用集成MOSFET限制電流的簡(jiǎn)單方法

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