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電源管理

句句經(jīng)典！資深工程師分享關(guān)于Flyback電源各層面的分析與總結(jié)

以下是一位資深工程師分享關(guān)于Flyback電源各層面的分析與總結(jié)，句句經(jīng)典！各位工程師千萬不要錯(cuò)過......

2018-12-07

Flyback 開關(guān)電源

電感知識(shí)：參數(shù)、線圈、作用、與磁珠的聯(lián)系與區(qū)別、計(jì)算公式、注意事項(xiàng)

電感是閉合回路的一種屬性，是一個(gè)物理量。當(dāng)線圈通過電流后，在線圈中形成磁場(chǎng)感應(yīng)，感應(yīng)磁場(chǎng)又會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)電流來抵制通過線圈中的電流。這種電流與線圈的相互作用關(guān)系稱為電的感抗，也就是電感，單位是“亨利（H）”，以美國科學(xué)家約瑟夫·亨利命名。它是描述由于線圈電流變化，在本線圈中或在另一線...

2018-12-06

電感知識(shí) 參數(shù) 線圈磁珠注意事項(xiàng)

總結(jié)：開關(guān)電源調(diào)試時(shí)最常見的10大問題及解決方法

做為工程師的你是否知道開關(guān)電源調(diào)試時(shí)最常見的10個(gè)問題呢？以下將詳細(xì)分析開關(guān)電源調(diào)試時(shí)，變壓器飽和、Vds過高、IC 溫度過高等常見問題，并且還附上對(duì)應(yīng)的解決方法。

2018-12-06

開關(guān)電源調(diào)試

無刷電機(jī)IPM模塊存在哪些問題？高效逆變器驅(qū)動(dòng)IC將取而代之？

無刷電機(jī)（BLDC）能效更高、動(dòng)態(tài)性能更出色和運(yùn)行噪聲更低，已成為電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)的必然趨勢(shì)，但與此同時(shí)，高壓電機(jī)IPM模塊存在散熱等許多問題，需要采用新的逆變器驅(qū)動(dòng)IC進(jìn)行替代。無刷電機(jī)——巨大增量市場(chǎng)由于世界各國不斷關(guān)注節(jié)能問題，使節(jié)能型消費(fèi)類產(chǎn)品的需求持續(xù)上升，尤其是電冰箱、洗衣機(jī)和空...

2018-12-05

無刷電機(jī) IPM模塊逆變器驅(qū)動(dòng)IC PI

高可靠性陶瓷電容

陶瓷電容器是由印好電極（內(nèi)電極）的陶瓷介質(zhì)膜片以錯(cuò)位的方式疊合起來，經(jīng)過一次性高溫?zé)Y(jié)形成陶瓷芯片，再在芯片的兩端封上金屬層（外電極），從而形成一個(gè)類似獨(dú)石的結(jié)構(gòu)體，故也叫獨(dú)石電容器。眾所周知，陶瓷易碎，易裂。那么如何讓陶瓷電容做到高可靠性呢？

2018-12-05

高可靠性陶瓷電容外部電極

USB Type-C電源設(shè)計(jì)面臨的三大問題

USB Type-C?標(biāo)準(zhǔn)正在迅速獲得推動(dòng)力，其關(guān)鍵亮點(diǎn)之一是可通過USB接口提供高達(dá)100瓦功率的機(jī)制。USB功率傳輸(USB-PD)功能的采用如今已成為AC適配器、筆記本電腦、平板電腦、智能手機(jī)等移動(dòng)領(lǐng)域的主要趨勢(shì)。在下一代USB設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)電源傳輸功能時(shí)，身份驗(yàn)證，過壓保護(hù)和緊湊外形是關(guān)鍵挑戰(zhàn)。

2018-12-05

USB Type-C 電源設(shè)計(jì)

如何區(qū)分聚合物鉭電容和普通鉭電容？

鉭電容全稱是鉭電解電容（也有人叫鉭質(zhì)電容器），屬于電解電容的一種，使用金屬鉭做介質(zhì)，不像普通電解電容那樣使用電解液，因此適合在高溫下工作，是電容器中體積小而又能達(dá)到較大電容量的產(chǎn)品，在電源濾波、交流旁路等用途上少有競爭對(duì)手。

2018-11-29

聚合物鉭電容普通鉭電容

SiC MOSFET換流回路雜散電感的提取方法

針對(duì)目前雜散電感提取方法存在的問題，本文提出了一種適用于SiC MOSFET換流回路雜散電感的提取方法，并基于SiC功率器件的開關(guān)瞬態(tài)特性測(cè)試平臺(tái)對(duì)本文所提雜散電感提取方法的可行性進(jìn)行了驗(yàn)證。與現(xiàn)有的間接測(cè)量方法不同，該方法是基于SiC MOSFET開關(guān)瞬態(tài)振蕩頻率求解換流回路雜散電感。

2018-11-29

SiC MOSFET 電感

功率MOSFET線性區(qū)負(fù)溫度系數(shù)

功率MOSFET工作在線性區(qū)用來限制電流，VGS電壓低，通常在負(fù)溫度系數(shù)區(qū)，局部單元過熱導(dǎo)致其流過更大的電流，結(jié)果溫度更高，從而形成局部熱點(diǎn)導(dǎo)致器件損壞，這樣就形成一個(gè)熱電不穩(wěn)定性區(qū)域ETI (Electro Thermal Instability)，發(fā)生于VGS低于溫度系數(shù)為0（ZTC）的負(fù)溫度系數(shù)區(qū)。

2018-11-29

MOSFET 負(fù)溫度系數(shù) 電勢(shì)

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