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電源管理

298D系列：Vishay便攜應(yīng)用固體鉭芯片電容器系列小封裝產(chǎn)品

Vishay宣布擴(kuò)展其 298D系列 MicroTan? 固體鉭芯片電容器，推出0402 封裝尺寸的298D。此電容器充分利用已獲專利的MAP（多陣列封裝）裝配技術(shù)以擴(kuò)展產(chǎn)品系列，現(xiàn)已可在超薄小型0402 K封裝中提供4.7μF-4V至10μF-4V的電容電壓。

2008-08-15

298D 鉭電容器便攜應(yīng)用

微封裝晶體管和二極管：安森美半導(dǎo)體便攜應(yīng)用產(chǎn)品

安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充分立器件封裝系列，推出新微封裝的晶體管和二極管。新增加的封裝拓展了公司的微封裝晶體管和二極管系列，配合當(dāng)今空間受限型便攜應(yīng)用的嚴(yán)峻設(shè)計(jì)需求。

2008-08-12

晶體管二極管 NZ9F 低正向壓降肖特基二極管齊納二極管便攜應(yīng)用

EPCOS推出消費(fèi)和工業(yè)電子應(yīng)用表貼鋁電解電容器

愛普科斯(EPCOS) 推出新型表貼鋁電解電容器，其電容量范圍介于0.1μF至1500μF，適用于4V DC至100 V DC的電壓。此新型電容器適用于消費(fèi)和工業(yè)電子領(lǐng)域，是鉭電容器的價(jià)格合適的替代品。

2008-08-01

鋁電解電容器

MAX4800A/MAX4802A：Maxim 8通道超聲應(yīng)用高速開關(guān)

Maxim推出通過高速、20MHz串行接口控制的8通道、高壓、低電荷注入SPST開關(guān)MAX4800A/MAX4802A。器件采用Maxim專有的BCDMOS工藝，集高壓、雙向DMOS開關(guān)及低功耗CMOS邏輯特性于一體，從而實(shí)現(xiàn)通過低壓控制信號(hào)對高壓模擬信號(hào)的有效控制。

2008-07-30

MAX4800A MAX4802A 高速開關(guān)

STV250N55F3：意法半導(dǎo)體新250A功率MOSFET

意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM）推出一款250A表面貼裝的功率MOSFET晶體管，新產(chǎn)品擁有市場上最低的導(dǎo)通電阻，可以把功率轉(zhuǎn)換損耗降至最低，并提高系統(tǒng)性能。

2008-07-16

MOSFET STV250N55F3

30CTT045/60CPT045：Vishay第5 代高性能45V肖特基二極管

Vishay宣布推出最大結(jié)溫高達(dá) +175°C 的首款新型第五代（Gen. 5.0）高性能 45V 肖特基二極管。30CTT045 與60CPT045器件基于亞微米溝槽技術(shù)，可提供超低的正向壓降以及低反向漏電流，從而可使設(shè)計(jì)人員提高汽車及其他高溫應(yīng)用中的功率密度。

2008-07-11

30CTT045 60CPT045 肖特基二極管 diode

150 CRZ系列：Vishay新高性能SMD 鋁電解電容器

Vishay宣布已擴(kuò)展其150 CRZ系列表面貼裝鋁電容器的功能，使該系列器件能夠提供低阻抗值、高電容與紋波電流，以及可實(shí)現(xiàn)高振動(dòng)功能的 4 針腳版本。

2008-07-09

150 CRZ SMD 鋁電解電容器

CSM2512S：Vishay新型表面貼裝Power Metal Strip電阻

Vishay宣布推出一款新型高精度Bulk Metal表面貼裝Power Metal Strip電阻，該電阻可在額定功率及+70oC的條件下保持長達(dá)2,000小時(shí)的±0.05%負(fù)載壽命穩(wěn)定性，在–55oC至+125oC及25oC參考溫度條件下實(shí)現(xiàn)±15 PPM/oC的絕對TCR ，以及具有 ±0.1%的容差。

2008-06-27

CSM2512S Bulk Metal Power Metal Strip電阻

STCL1120系列:意法半導(dǎo)體低功耗硅振蕩器

意法半導(dǎo)體推出STCL1120系列硅振蕩器，新產(chǎn)品啟動(dòng)快速，抗振動(dòng)、沖擊和抗電磁干擾（EMI）能力強(qiáng)，電流消耗低，片選控制功能使電源管理比其它品牌的硅振蕩器更加容易，能效更高。

2008-06-24

STCL1120 硅振蕩器控制設(shè)備

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