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電源管理

xxWTxxFN系列：Vishay第五代肖特基二極管

日前，Vishay推出四款第五代高性能 45 V 和 100V 肖特基二極管 --- 6CWT04FN、10WT10FN、20CWT10FN 和 20WT04FN 。Vishay此次推出的器件將 D-Pak 的電流能力擴展至高達 20 A，從而確定了業(yè)界的新標(biāo)準(zhǔn)。這些器件采用次微米溝槽技術(shù)，適合用作高效率、高密度解決方案的獨立封裝，以及 D2-Pak 封裝的低...

2009-03-02

6CWT04FN 10WT10FN 20CWT10FN 20WT04FN 肖特基二極管

Mouser獲Microchip公司“2008年度杰出銷售成就獎”

近日，Mouser宣布榮獲Microchip科技2008杰出銷售成就獎，Microchip科技是全球領(lǐng)先的微控制器和模擬產(chǎn)品的制造商。

2009-02-27

2008杰出銷售成就獎微控制器模擬產(chǎn)品 Mouser Microchip

上網(wǎng)本逆勢擴張向高端化發(fā)展

如今的市場狀況對于各大PC廠商而言可謂挑戰(zhàn)重重，在面臨國際金融危機帶來的經(jīng)濟低迷、市場需求乏力的同時，更要面臨原材料、人力成本的上漲帶來的雙重壓力。受經(jīng)濟環(huán)境的影響，在如今筆記本電腦市場增長乏力的時候，上網(wǎng)本(NetBook)成為筆記本市場上一道靚麗的風(fēng)景線。市場調(diào)查機構(gòu)IDC公司預(yù)計，200...

2009-02-26

上網(wǎng)本金融危機 IDC 華碩海爾惠普 PC

STY112N65M5：ST太陽能電池功率調(diào)節(jié)器用MOSFET

意法半導(dǎo)體（ST）開發(fā)出了用于配備太陽能電池功率調(diào)節(jié)器的MOSFET。耐壓650V，有最大導(dǎo)通電阻為0.022Ω（漏極電流為93A）的“STY112N65M5”和最大導(dǎo)通電阻0.038Ω（漏極電流為66A）的“STW77N65M5”。此前，太陽能電池功率調(diào)節(jié)器一直使用IGBT，但由于MOSFET的導(dǎo)通電阻不斷降低，因此MOSFET正逐漸取代IG...

2009-02-25

MOSFET 太陽能電池功率調(diào)節(jié)器 IGBT ST STY112N65M5 STW77N65M5

意法半導(dǎo)體將集中精力增現(xiàn)金流

2009年，意法半導(dǎo)體將繼續(xù)集中精力增長現(xiàn)金流，保持強大而靈活的資本結(jié)構(gòu)

2009-02-25

意法半導(dǎo)體資金

大眾攜手東芝開發(fā)電動車

近日，德國大眾汽車與日本東芝公司就合作開發(fā)電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)達成一致。東芝公司表示，該公司已與大眾在德國簽署合作備忘錄，共同開發(fā)電動汽車的動力系統(tǒng)和附屬電子部件，雙方還有意合作開發(fā)新一代電動車用高能源密度電池。

2009-02-25

電動汽車東芝大眾三洋鋰電池

HV8 ：Freescale新一代LDMOS射頻功率晶體管

飛思卡爾半導(dǎo)體近日推出其下一代橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS）射頻功率晶體管，以滿足蜂窩發(fā)射器降低功耗的迫切需求。

2009-02-24

Freescale 射頻晶體管

安徽首個非晶硅太陽能光伏發(fā)電示范工程年內(nèi)運營

據(jù)報道，2月12日，安徽省首個非晶硅太陽能光伏發(fā)電示范工程項目建設(shè)條件已全部得到落實，將于年內(nèi)在蚌埠市竣工運營。根據(jù)設(shè)計，該工程投資131.5萬元，發(fā)電總?cè)萘繛?兆瓦.

2009-02-23

非晶硅太陽能光伏電站

東芝展出近紫外LED 外部量子效率高達36%

面向新一代照明用LED，東芝展出了正在開發(fā)的近紫外LED。其外部量子效率較高，達到了36%。發(fā)光波長為380nm。為了提高發(fā)光效率，抑制了GaN結(jié)晶的缺陷，提高了平坦性。

2009-02-23

近紫外LED 量子效率 GaN結(jié)晶

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