產(chǎn)品特性：
- 電壓范圍從40V至200V
- 符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，材料環(huán)保不含鉛
- 在5000次溫度循環(huán)時的最大導(dǎo)通電阻變化不到10%
應(yīng)用范圍：
- 電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、集成式起動發(fā)電機泵和電機控制
- 內(nèi)燃機和混合動力汽車平臺上的其它重載應(yīng)用
IR近日推出車用MOSFET系列，可為一系列應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻(Rds(on)) ，包括電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動發(fā)電機(ISA)泵和電機控制，以及內(nèi)燃機 (ICE) 和混合動力汽車平臺上的其它重載應(yīng)用。
全新溝道HEXFET功率MOSFET系列采用多款表面貼裝器件(SMD)封裝，電壓范圍從40V至200V。標(biāo)準(zhǔn)和邏輯電平柵級驅(qū)動MOSFET都為IR車用塑料封裝MOSFET產(chǎn)品系列設(shè)定了導(dǎo)通電阻性能新標(biāo)準(zhǔn)。基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻在40V下最大為1.25毫歐，60V下最大為2.1毫歐，75V下為2.6毫歐，100V下為4.0毫歐。在D2Pak-7P封裝中許多器件的最大額定電流達240A。
IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“IR全新車用溝道MOSFET系列可在下一代汽車應(yīng)用，包括集成式起動發(fā)電機和電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)應(yīng)用中實現(xiàn)基準(zhǔn)性能。”
所有IR車用MOSFET產(chǎn)品都遵循IR要求零缺陷的汽車質(zhì)量理念，并經(jīng)過了動態(tài)和靜態(tài)器件平均測試及100%自動晶圓級目視檢查。AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)要求器件在經(jīng)過1, 000次溫度循環(huán)測試后，導(dǎo)通電阻變化幅度不能超過20%。然而，經(jīng)過延長測試后，IR的新款A(yù)U物料單在5,000次溫度循環(huán)時的最大導(dǎo)通電阻變化不到10%，體現(xiàn)了該物料單的高強度和耐用性。
新器件符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，所采用的材料環(huán)保，不含鉛，也符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。
