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通信廣電

電驅(qū)逆變器SiC功率模塊芯片級熱分析

本文提出一個用尺寸緊湊、高成本效益的DC/AC逆變器分析碳化硅功率模塊內(nèi)并聯(lián)裸片之間的熱失衡問題的解決方案，該分析方法是采用紅外熱像儀直接測量每顆裸片在連續(xù)工作時的溫度，分析兩個電驅(qū)逆變模塊驗證，該測溫系統(tǒng)的驗證方法是，根據(jù)柵源電壓閾值選擇每個模塊內(nèi)的裸片。我們將從實驗數(shù)據(jù)中提取一...

2024-06-12

電驅(qū)逆變器 SiC 功率模塊芯片

如何找到一款更適合高壓BMS解決方案？

電動汽車的電池管理系統(tǒng)（BMS）是電動汽車中用于監(jiān)測和管理電池系統(tǒng)性能的關(guān)鍵組件，它有助于平衡電池電量，防止過度充電和過度放電，從而確保鋰離子電池的安全、可靠和有效運行，同時優(yōu)化電池的整體效率和壽命。

2024-06-11

高壓BMS

MOSFET器件的高壓CV測試詳解

MOSFET、IGBT和BJT等半導(dǎo)體器件的開關(guān)速度受到元件本身的電容的影響。為了滿足電路的效率，設(shè)計者需要知道這些參數(shù)。例如，設(shè)計一個高效的開關(guān)電源將要求設(shè)計者知道設(shè)備的電容，因為這將影響開關(guān)速度，從而影響效率。這些信息通常在MOSFET的指標(biāo)說明書中提供。

2024-06-08

MOSFET 器件高壓CV IGBT BJT

單相光伏并網(wǎng)系統(tǒng)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)簡介

在單相小功率光伏并網(wǎng)系統(tǒng)中，有隔離型和非隔離型兩種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。隔離型有成本高、體積大等諸多缺點，因此非隔離型成為目前主流的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，本文主要介紹非隔離型的全橋以及HERIC兩種較為常用的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

2024-06-08

單相光伏并網(wǎng)系統(tǒng) 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

創(chuàng)新音頻解決方案：類比半導(dǎo)體的國產(chǎn)中大功率功放技術(shù)

上海類比半導(dǎo)體技術(shù)有限公司（以下簡稱“類比半導(dǎo)體”或“類比”）作為國內(nèi)領(lǐng)先的模擬及數(shù)?；旌闲酒O(shè)計商，正通過其創(chuàng)新的中大功率模擬/數(shù)字功放技術(shù)，重塑消費電子市場中高端音頻產(chǎn)品的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。隨著國產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速崛起，類比半導(dǎo)體基于其17年功放研發(fā)經(jīng)驗的團隊，另辟賽道，專注中大功率模擬...

2024-06-08

音頻類比半導(dǎo)體大功率功放

運用雙MOSFET避免SEU的影響

很久很久以前，在一個遙遠(yuǎn)的星系中，有某個東西突然間爆炸了。其造成的結(jié)果是亞原子物質(zhì)的爆發(fā)，而其中的一些物質(zhì)最終在我們這里找到了出路。

2024-06-08

雙MOSFET SEU

“固本強基”成效顯著，元器件、設(shè)備企業(yè)積極報名第104屆中國電子展

元器件和設(shè)備制造是電子信息產(chǎn)業(yè)的底座，底座牢不牢固，決定著整個產(chǎn)業(yè)能否真正行穩(wěn)致遠(yuǎn)。在過去的2023年當(dāng)中，雖然依舊面臨著多重風(fēng)險與挑戰(zhàn)，但我國電子信息行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈、供應(yīng)鏈韌性顯著增強，進一步提升了整個行業(yè)的安全水平，也為整個國民經(jīng)濟積極發(fā)揮了“壓艙石”“倍增器”“催化劑”的重要作用。

2024-06-07

元器件設(shè)備中國電子展

跨電感電壓調(diào)節(jié)器的多相設(shè)計、決策和權(quán)衡

最近推出的跨電感電壓調(diào)節(jié)器(TLVR)在多相DC-DC應(yīng)用中頗受歡迎，這些應(yīng)用為CPU、GPU和ASIC等低壓大電流負(fù)載供電。這一趨勢主要基于該技術(shù)出色的瞬態(tài)性能。TLVR還支持靈活的設(shè)計和布局，但有幾個缺點。本文闡述了TLVR設(shè)計選擇如何影響性能參數(shù)，并討論了相關(guān)權(quán)衡。

2024-06-06

跨電感電壓調(diào)節(jié)器

SiC MOSFET：通過波形的線性近似分割來計算損耗的方法

本文將介紹根據(jù)在上一篇文章中測得的開關(guān)波形，使用線性近似法來計算功率損耗的方法。

2024-06-06

SiC MOSFET 線性近似分割波形

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