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通信廣電

評(píng)估分布式雷達(dá)架構(gòu)的四個(gè)理由

汽車(chē)制造商正積極研究多元化的雷達(dá)技術(shù)方案，以提升新一代高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)架構(gòu)的性能和系統(tǒng)優(yōu)化，同時(shí)簡(jiǎn)化向軟件定義汽車(chē)(SDV)的過(guò)渡。為助力汽車(chē)制造商進(jìn)行開(kāi)發(fā)，恩智浦PurpleBox參考設(shè)計(jì)應(yīng)運(yùn)而生。

2024-07-11

分布式雷達(dá)架構(gòu)

AC-DC控制器PCB布局指南

在65W~150W 輸出功率范圍應(yīng)用下，CrM PFC + QR Flyback 拓樸是非常普遍被選用的架構(gòu)，在小型化集成線路趨勢(shì)下，QR combo 控制芯片應(yīng)運(yùn)而生。另外對(duì)于消費(fèi)型電子產(chǎn)品，不僅能效需要符合法規(guī)的要求，其待機(jī)損耗也是相當(dāng)重要的評(píng)判指標(biāo)。

2024-07-10

AC-DC控制器 PCB

RF ADC為什么有如此多電源軌和電源域？

為了解電源域和電源的增長(zhǎng)情況，我們需要追溯ADC的歷史脈絡(luò)。早期ADC采樣速度很慢，大約在數(shù)十MHz內(nèi)，而數(shù)字內(nèi)容很少，幾乎不存在。電路的數(shù)字部分主要涉及如何將數(shù)據(jù)傳輸?shù)綌?shù)字接收邏輯——專(zhuān)用集成電路 (ASIC) 或現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列 (FPGA)。用于制造這些電路的工藝節(jié)點(diǎn)幾何尺寸較大，約在180 nm或更...

2024-07-09

RF ADC 電源軌電源域

功率器件模塊：一種滿足 EMI 規(guī)范的捷徑

相鄰或共用導(dǎo)電回路的電子器件容易受到電磁干擾 (EMI) 的影響，使其工作過(guò)程受到干擾。要確保各電氣系統(tǒng)在同一環(huán)境中不干擾彼此的正常運(yùn)行，就必須最大限度地減少輻射。通常，由于硅 (Si) IGBT 和碳化硅 (SiC) MOSFET 等功率半導(dǎo)體器件在工作期間需要進(jìn)行快速開(kāi)關(guān)，因此通常會(huì)產(chǎn)生傳導(dǎo)型 EMI。在開(kāi)...

2024-07-08

功率器件模塊 EMI

利用 I3C 提升嵌入式系統(tǒng)

物聯(lián)網(wǎng)幾乎涉及我們?nèi)粘Ｉ畹姆椒矫婷妫瑥募矣秒娖鞯綇?fù)雜的樓宇自動(dòng)化和可穿戴設(shè)備。這些互聯(lián)設(shè)備收集和交換數(shù)據(jù)，從根本上塑造了我們的數(shù)字生態(tài)系統(tǒng)。在物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中，不同類(lèi)型的傳感器發(fā)揮著關(guān)鍵作用，測(cè)量、監(jiān)控和傳遞溫度、濕度、壓力和距離等關(guān)鍵物理屬性。

2024-07-08

I3C 嵌入式系統(tǒng)

氮化鎵（GaN）的最新技術(shù)進(jìn)展

氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 是兩種寬禁帶半導(dǎo)體，徹底改變了傳統(tǒng)電力電子技術(shù)。氮化鎵技術(shù)使移動(dòng)設(shè)備的快速充電成為可能。氮化鎵是一種晶體半導(dǎo)體，能夠承受更高的電壓。通過(guò)氮化鎵材料的電流比通過(guò)硅半導(dǎo)體的電流速度更快，因此處理速度也更快。本文將探討氮化鎵材料以及氮化鎵技術(shù)如何顛覆整個(gè)...

2024-07-05

氮化鎵 GaN

為邊緣 AI 節(jié)點(diǎn)供電：邊緣 AI 對(duì)供電系統(tǒng)設(shè)計(jì)的影響

邊緣 AI 是將 AI 模型直接部署在位于網(wǎng)絡(luò)邊緣的設(shè)備上；此舉可通過(guò)采用設(shè)備上的處理功能來(lái)實(shí)現(xiàn)低延遲響應(yīng)，從而減少對(duì)云計(jì)算的依賴(lài)。若將邊緣 AI 添加到物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)（構(gòu)成 AIoT（人工智能物聯(lián)網(wǎng)）系統(tǒng)的組合）中，則還可以分析傳感器數(shù)據(jù)、識(shí)別模式、得出推論并在本地層面做出決策，從而盡量減少數(shù)據(jù)...

2024-07-05

邊緣 AI 供電系統(tǒng) 節(jié)點(diǎn)供電

如何測(cè)量 EV／HEV 電池管理系統(tǒng)中的電流

混合動(dòng)力汽車(chē) (HEV) 和電動(dòng)汽車(chē) (EV) 的普及為汽車(chē)設(shè)計(jì)帶來(lái)了新的活力。HEV 和 EV 不再使用傳統(tǒng)的 12V 鉛酸電池（主要用于產(chǎn)生足夠的火花來(lái)啟動(dòng)發(fā)動(dòng)機(jī)），而是采用固態(tài)電池，類(lèi)似于智能手機(jī)電池，但規(guī)模要大得多。這些新的電池管理系統(tǒng) (BMS) 需要高精度電流測(cè)量以滿足各種操作模式。車(chē)輛推進(jìn)和電池...

2024-07-04

EV／HEV 電池管理系統(tǒng) 電流

ST Edge AI Suite 人工智能開(kāi)發(fā)套件正式上線加快AI產(chǎn)品開(kāi)發(fā)速度

服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼:STM) 宣布人工智能開(kāi)發(fā)套件ST Edge AI Suite正式上市。該開(kāi)發(fā)套件整合工具、軟件和知識(shí)，簡(jiǎn)化并加快邊緣應(yīng)用的開(kāi)發(fā)。

2024-07-04

ST 人工智能開(kāi)發(fā)套件

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功率器件模塊：一種滿足 EMI 規(guī)范的捷徑

利用 I3C 提升嵌入式系統(tǒng)

氮化鎵（GaN）的最新技術(shù)進(jìn)展

為邊緣 AI 節(jié)點(diǎn)供電：邊緣 AI 對(duì)供電系統(tǒng)設(shè)計(jì)的影響

如何測(cè)量 EV／HEV 電池管理系統(tǒng)中的電流

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友情鏈接(QQ：317243736)

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氮化鎵（GaN）的最新技術(shù)進(jìn)展

為邊緣 AI 節(jié)點(diǎn)供電：邊緣 AI 對(duì)供電系統(tǒng)設(shè)計(jì)的影響

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