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通信廣電

汽車區(qū)域控制器架構(gòu)趨勢下，這三類的典型電路設(shè)計(jì)正在改變

汽車市場正在轉(zhuǎn)向區(qū)域控制器架構(gòu)的趨勢方向，而汽車區(qū)域控制器架構(gòu)正朝著分布式、集成化、智能化的方向發(fā)展，以實(shí)現(xiàn)更高效的數(shù)據(jù)處理、功能整合與自動駕駛支持。基于區(qū)域控制器架構(gòu)帶來很多設(shè)計(jì)的機(jī)會與挑戰(zhàn)，例如SmartFET正越來越多替代傳統(tǒng)的MOSFET器件。

2024-04-04

汽車控制器電路設(shè)計(jì)

意法半導(dǎo)體公布了新系列100V溝槽肖特基整流二極管以提高效率和功率密度

隨著低開關(guān)損耗的寬禁帶半導(dǎo)體等技術(shù)的廣泛應(yīng)用，設(shè)計(jì)人員開始提高功率轉(zhuǎn)換器的工作頻率，不斷刷新功率密度。不過，當(dāng)開關(guān)頻率變得更高時(shí)，用作整流器的傳統(tǒng)平面二極管(包括硅肖特基器件)的能量損耗也會隨之變大，嚴(yán)重限制了轉(zhuǎn)換能效的改進(jìn)。意法半導(dǎo)體推出可提升高開關(guān)頻率功率轉(zhuǎn)換器能效的100V溝...

2024-04-03

意法半導(dǎo)體肖特基整流二極管

實(shí)現(xiàn)高降壓比的三種緊湊型解決方案

本文將闡述為何非隔離式DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器（在本文中簡稱為降壓轉(zhuǎn)換器）在高輸出電流下將高DC輸入電壓轉(zhuǎn)換為很低的輸出電壓時(shí)會面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，并介紹可以實(shí)現(xiàn)高降壓比，同時(shí)保持小尺寸的三種不同方法。

2024-04-03

DC-DC 降壓轉(zhuǎn)換器

自適應(yīng)能量采集PMIC有助于構(gòu)建環(huán)保的自動互聯(lián)設(shè)備

人們常提議利用環(huán)境能量采集技術(shù)為遠(yuǎn)程物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的電池充電，但這種技術(shù)尚未普及。本博客探討了導(dǎo)致這一情況的原因，并介紹了Nexperia（安世半導(dǎo)體）的創(chuàng)新型電源管理集成電路(PMIC)，該集成電路將從根本上提高能量采集的可行性，且環(huán)境效益顯著。

2024-04-03

能量 PMIC 環(huán)保自動互聯(lián)設(shè)備

基于RTC的低功耗精準(zhǔn)時(shí)鐘同步

時(shí)鐘同步的應(yīng)用廣泛，但常規(guī)的時(shí)鐘同步方案或?qū)K端設(shè)備要求高，或原理相對復(fù)雜。對此，本文利用大普的RTC秒上升沿即時(shí)生效原理，設(shè)計(jì)一種低功耗、高精確時(shí)鐘同步方案。

2024-04-03

RTC 時(shí)鐘

光的波長對視覺成像性能的影響

當(dāng)光穿過介質(zhì)（玻璃、水、空氣等）時(shí)，不同的波長會以不同的角度彎曲。這通常是在陽光穿過棱鏡并產(chǎn)生彩虹效果時(shí)觀察到的；較短的波長比較長的波長彎曲得更多。當(dāng)試圖在成像系統(tǒng)中解析細(xì)節(jié)和獲取信息時(shí)，同樣的情形會產(chǎn)生問題。

2024-03-29

波長視覺成像

如何為您的PCB選擇正確的阻焊層厚度和類型

在研究電路板時(shí)，特別是作為電子行業(yè)的初學(xué)者，我總會好奇為什么 PCB 的頂層是綠色的。答案各有不同，但每個(gè)人都同意一件事：阻焊層有助于檢查，為導(dǎo)體提供保護(hù)，并防止手工裝配過程中的視覺疲勞。各種 PCB 阻焊層類型在應(yīng)用方式、成分以及價(jià)格方面各不相同。

2024-03-28

PCB 阻焊層

數(shù)字示波器的DSO體系結(jié)構(gòu)及功能

數(shù)字存儲示波器（通常稱為 DSO）是為了彌補(bǔ)模擬示波器的諸多不足而發(fā)明的。 DSO 輸入一個(gè)信號，并通過模數(shù)轉(zhuǎn)換器將其數(shù)字化。圖顯示了是德科技數(shù)字示波器采用的一種 DSO 體系結(jié)構(gòu)。

2024-03-27

數(shù)字示波器的 DSO 體系結(jié)構(gòu)

GaAs 二極管在高性能功率轉(zhuǎn)換中的作用

高壓硅二極管具有較低的正向傳導(dǎo)壓降，但由于其反向恢復(fù)行為，會在功率轉(zhuǎn)換器中產(chǎn)生顯著的動態(tài)損耗。SiC 二極管表現(xiàn)出可忽略不計(jì)的反向恢復(fù)行為，但確實(shí)表現(xiàn)出比硅更高的體電容和更大的正向傳導(dǎo)壓降。由于 GaAs 技術(shù)能夠提供硅和 SiC 的有用特性，本文探討了一項(xiàng)比較 10kW、100kHz 相移全橋 (PSFB) ...

2024-03-26

GaAs 二極管功率轉(zhuǎn)換

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