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開(kāi)關(guān)電源的導(dǎo)通、截止與啟動(dòng)

開(kāi)關(guān)電源中的開(kāi)關(guān)管從導(dǎo)通到截止，嚴(yán)格來(lái)說(shuō)是一個(gè)非常復(fù)雜的過(guò)程，但我們?cè)谶M(jìn)行工作原理分析的時(shí)候，一般都會(huì)先對(duì)一些非主要問(wèn)題進(jìn)行簡(jiǎn)單化。例如，當(dāng)電源開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通或截止的時(shí)候，我們就把它看成是一個(gè)理想的開(kāi)關(guān)，其工作時(shí)只有兩種狀態(tài)，通或斷。但實(shí)際上開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通和關(guān)斷都是一個(gè)很復(fù)雜的過(guò)程...

2011-10-07

開(kāi)關(guān)電源開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通截至

開(kāi)關(guān)電源的導(dǎo)通、截止與啟動(dòng)

2011-10-07

開(kāi)關(guān)電源開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通截至

同步降壓MOSFET 電阻比的正確選擇

在本文中，我們將研究在同步降壓功率級(jí)中如何對(duì)傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進(jìn)行這種折中處理可得到一個(gè)用于 FET 選擇的非常有用的起始點(diǎn)。

2011-10-07

MOSFET 電阻比同步降壓MOSFET

同步降壓MOSFET 電阻比的正確選擇

2011-10-07

MOSFET 電阻比同步降壓MOSFET

同步降壓MOSFET 電阻比的正確選擇

2011-10-07

MOSFET 電阻比同步降壓MOSFET

USB 2.0與USB 3.0功能特性對(duì)比分析

對(duì)于開(kāi)發(fā)商而言，挑戰(zhàn)是如何充分利用USB 3.0的潛能。本文將探討使用USB 3.0硬件軟件設(shè)計(jì)問(wèn)題，本文主要介紹的是手持產(chǎn)品。首先，我們將比較USB 2.0和USB 3.0的性能，以及過(guò)渡到USB 3.0模塊影響到的器件。

2011-10-07

USB 2.0 USB 3.0 USB

USB 2.0與USB 3.0功能特性對(duì)比分析

2011-10-07

USB 2.0 USB 3.0 USB

手機(jī)的音頻插孔檢測(cè)解決方案

音頻插孔已成為智能手機(jī)應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)配置。用戶(hù)可利用音頻插孔插入帶有麥克風(fēng)的耳機(jī)(4 極) 或立體聲耳機(jī)(3極)。現(xiàn)有的系統(tǒng)設(shè)計(jì)允許手機(jī)檢測(cè) 3 極或 4 極配件，以及檢測(cè)Send/End鍵，但這種設(shè)計(jì)本身存在功耗、檢測(cè)錯(cuò)誤和音頻雜音(爆破音或滴答聲)等問(wèn)題。這些在功能和音頻質(zhì)量方面的問(wèn)題可能會(huì)帶來(lái)不良...

2011-10-07

音頻插孔手機(jī)

2011機(jī)頂盒市場(chǎng)略有下降半導(dǎo)體保持強(qiáng)勁

據(jù)IHS iSuppli公司的機(jī)頂盒市場(chǎng)研究報(bào)告，繼2010年銷(xiāo)售量大增之后，2011年全球機(jī)頂盒出貨量預(yù)計(jì)下降5.5%。今年機(jī)頂盒出貨量預(yù)計(jì)為1.349億個(gè)，低于去年創(chuàng)下的高位1.427億個(gè)。雖然今年市場(chǎng)向下調(diào)整，但2012年將小幅改善，屆時(shí)預(yù)計(jì)出貨量將上升0.4%至1.354億個(gè)，隨后接下來(lái)兩年的增長(zhǎng)率將為百分之幾。...

2011-10-06

機(jī)頂盒半導(dǎo)體

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同步降壓MOSFET 電阻比的正確選擇

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同步降壓MOSFET 電阻比的正確選擇

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