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Si8802DB|Si8805EDB：Vishay推出業(yè)內(nèi)最小N溝道和P溝道功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET?功率MOSFET所用的MICRO FOOT?封裝的占板面積比僅次于它的最小芯片級器件最高可減少36%，而導(dǎo)通電阻則與之相當(dāng)甚...

2011-10-21

Si8802DB Si8805EDB Vishay MOSFET TrenchFET

2012下半年NB換機(jī)潮浮現(xiàn)

后PC產(chǎn)業(yè)時代，超輕薄筆電（Ultrabook）、支持ARM的Win8、應(yīng)用軟件與內(nèi)容增加等3大題材，將帶領(lǐng)PC產(chǎn)業(yè)殺出重圍，明年下半年起以筆記本電腦（NB）為首的換機(jī)需求將浮現(xiàn)。

2011-10-21

NB 平板電腦電腦 PC

發(fā)展電子信息產(chǎn)業(yè)需平衡好國內(nèi)外市場

目前，我國電子信息產(chǎn)業(yè)大部分產(chǎn)能處于價值鏈中低端，產(chǎn)業(yè)較易受國際市場波動影響。特別是在金融危機(jī)沖擊下，全球電子信息產(chǎn)品需求萎縮，出口額下降，加之內(nèi)需市場對產(chǎn)業(yè)發(fā)展拉動不足，產(chǎn)業(yè)自主調(diào)控能力弱的問題愈加凸顯。因此，發(fā)展電子信息產(chǎn)業(yè)需平衡好國內(nèi)外市場。

2011-10-21

電子信息產(chǎn)業(yè) 電子電子產(chǎn)品

發(fā)展電子信息產(chǎn)業(yè)需平衡好國內(nèi)外市場

2011-10-21

電子信息產(chǎn)業(yè) 電子電子產(chǎn)品

發(fā)展電子信息產(chǎn)業(yè)需平衡好國內(nèi)外市場

2011-10-21

電子信息產(chǎn)業(yè) 電子電子產(chǎn)品

PCB 板 EMC/EMI 的設(shè)計技巧

隨著IC 器件集成度的提高、設(shè)備的逐步小型化和器件的速度愈來愈高，電子產(chǎn)品中的EMI問題也更加嚴(yán)重。從系統(tǒng)設(shè)備EMC /EMI設(shè)計的觀點來看，在設(shè)備的PCB設(shè)計階段處理好EMC/EMI問題，是使系統(tǒng)設(shè)備達(dá)到電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)最有效、成本最低的手段。本文介紹數(shù)字電路 PCB設(shè)計中的EMI控制技術(shù)。

2011-10-21

EMC EMI PCB

PCB 板 EMC/EMI 的設(shè)計技巧

2011-10-21

EMC EMI PCB

PCB 板 EMC/EMI 的設(shè)計技巧

2011-10-21

EMC EMI PCB

開關(guān)電源中功率晶體管的二次擊穿及防護(hù)

本文分析了晶體管二次擊穿的現(xiàn)象和產(chǎn)生原因，并結(jié)合開關(guān)電源的設(shè)計及生產(chǎn)實際，介紹了緩沖回路的應(yīng)用及其它有關(guān)晶體管防護(hù)措施。

2011-10-20

開關(guān)電源晶體管二次擊穿功率晶體管

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發(fā)展電子信息產(chǎn)業(yè)需平衡好國內(nèi)外市場

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PCB 板 EMC/EMI 的設(shè)計技巧

PCB 板 EMC/EMI 的設(shè)計技巧

PCB 板 EMC/EMI 的設(shè)計技巧

開關(guān)電源中功率晶體管的二次擊穿及防護(hù)

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