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智能家居

安森美半導(dǎo)體新增九種高性能溝槽型場(chǎng)截止IGBT

安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充N(xiāo)GBTxx系列1,200伏(V)溝槽型場(chǎng)截止(FS) 絕緣門(mén)雙極晶體管(IGBT)器件，推出9款新的高能效方案，提升系統(tǒng)總體開(kāi)關(guān)能效，降低功率耗散，且提升系統(tǒng)可靠性，這些產(chǎn)品中包含專(zhuān)門(mén)針對(duì)太陽(yáng)能及不間斷電源(UPS)應(yīng)用高性能電源轉(zhuǎn)換的器件。

2012-10-25

安森美半導(dǎo)體溝槽型場(chǎng)截止IGBT 電機(jī)控制太陽(yáng)能

德州儀器首推支持10Gbps以太網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)的收發(fā)器

德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界首款支持多種 10G/40G 以太網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)以及 1 Gbps 至 10 Gbps 多種專(zhuān)有速率的 4 通道 XAUI/10GBASE-KR 收發(fā)器TLK10034 ，能靈活應(yīng)用于物理層 (PHY) 串行器／解串器 (SerDes) ，幫助工程師采用單個(gè)串行器／解串器滿(mǎn)足其所有協(xié)議需求，無(wú)需準(zhǔn)備多種器件。

2012-10-25

德州儀器 10Gbps 以太網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn) 收發(fā)器

愛(ài)特梅爾推出獲Windows 8認(rèn)證的mXT3432S

特梅爾公司(Atmel)宣布設(shè)計(jì)用于快速增長(zhǎng)的超級(jí)本和筆記本電腦市場(chǎng)的maXTouch S系列器件現(xiàn)已供貨。新推出的Windows 8認(rèn)證Atmel mXT3432S以maXTouch S系列的成功為基礎(chǔ)，是優(yōu)化用于最大17.3英寸觸摸屏的小占位面積觸摸屏控制器。

2012-10-25

愛(ài)特梅爾 Windows 8 mXT3432S 超級(jí)本筆記本

SiTime DCXO九大全新突破，將取代石英VCXO

SiTime Corporation宣布推出SiT3907基于MEMS的數(shù)字控制振蕩器（DCXO），提供了一個(gè)在系統(tǒng)（In-System）數(shù)字控制接口用來(lái)調(diào)整輸出頻率，有優(yōu)于石英VCXO 100倍的線(xiàn)性度和8倍的拉動(dòng)范圍，實(shí)現(xiàn)更簡(jiǎn)單、更可靠的系統(tǒng)。

2012-10-25

SiTime DCXO VCXO

第二講：瞬態(tài)抑制二極管（TVS）如何進(jìn)行電路保護(hù)

元件的小型化使得產(chǎn)品對(duì)電氣應(yīng)力日益敏感，而由雷擊和靜電放電引起的瞬變現(xiàn)象越來(lái)越多的受到關(guān)注，尤其是高清監(jiān)控多裝于室外，遭受雷擊及干擾的現(xiàn)象在所難免，因此必須對(duì)電壓干擾及雷電進(jìn)行防護(hù)，以防止監(jiān)控設(shè)備運(yùn)作中斷而丟失一些重要的視頻，造成一些不必要的麻煩或損失。本文主要講述TVS器件的主...

2012-10-25

TVS 電路保護(hù) 高清監(jiān)控

3G手機(jī)銷(xiāo)量大增高端連接器受益

汽車(chē)產(chǎn)業(yè)、電腦通訊產(chǎn)業(yè)等應(yīng)用領(lǐng)域的不斷發(fā)展，讓連接器的市場(chǎng)容量逐步擴(kuò)大，年均增長(zhǎng)率在兩位數(shù)以上，市場(chǎng)發(fā)展?jié)摿^大。我國(guó)已經(jīng)成為全球連接器增長(zhǎng)最快和容量最大的市場(chǎng)。

2012-10-24

3G手機(jī) 高端連接器連接器

HiFi功率放大器設(shè)計(jì)BOM

這個(gè)簡(jiǎn)單的低成功率放大器?？梢?種方法完成，就像圖表中所指示的（從20W到80W RMS ）。首先要作的是測(cè)試末極功率管的放大系數(shù)hfe or β.如果差異大于30％，放大器將不會(huì)提供一個(gè)清晰的聲音，使用MJ3001和 MJ2501晶體管，他們的差異在5％。

2012-10-24

HiFi 功率放大器 BOM

封裝面積減小4成，支持LTE的RF模塊

村田制作所開(kāi)發(fā)出用于LTE智能手機(jī)的小型RF收發(fā)模塊，封裝面積減小4成，其采用該公司的元件內(nèi)置技術(shù)，使用樹(shù)脂基板而非陶瓷基板實(shí)現(xiàn)了模塊，該模塊集成了LTE收發(fā)信息所需要的RF收發(fā)器IC、功率放大器及前端模塊等，RF電路部分的定位是“全模塊”。

2012-10-24

LTE RF模塊村田

第一講：解析雷電和浪涌的產(chǎn)生、危害及防護(hù)措施

眾所周知，雷電具有極大地破壞性，其電壓高達(dá)數(shù)百萬(wàn)伏，瞬間電流可高達(dá)數(shù)十萬(wàn)安培。現(xiàn)代電子設(shè)備功能越來(lái)越強(qiáng)，電路越來(lái)越復(fù)雜，元器件密度也越來(lái)越高，但承受電磁干擾或感應(yīng)電壓的能力越來(lái)越低。尤其是監(jiān)控系統(tǒng)，多數(shù)都裝在室外，更易受到雷擊及浪涌的破壞，如不對(duì)這些電子設(shè)備進(jìn)行雷電感應(yīng)保護(hù)，...

2012-10-24

雷電浪涌保護(hù)

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