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電源轉(zhuǎn)換新時代的來臨：IR開始商業(yè)裝運GaN器件

IR在業(yè)內(nèi)率先商業(yè)付運可大幅提高現(xiàn)有電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)效率的GaN功率器件，預(yù)示著電源效率革命性改善新時代的到來。相比當今最先進的硅功率器件技術(shù)，氮化鎵技術(shù)平臺能夠?qū)⒖蛻舻碾娫磻?yīng)用的性能指數(shù)(FOM)提升10倍。

2013-05-15

IR GaN 電源轉(zhuǎn)換

第三講：基于MOSFET的高能效電源設(shè)計

通過結(jié)合改進的電源電路拓撲和概念與改進的低損耗功率器件，開關(guān)電源行業(yè)在提高功率密度、效率和可靠性方面，正在經(jīng)歷革新性發(fā)展。MOSFET是中低電壓電源應(yīng)用的首選功率器件，可以提高溝槽密度，并無需JFET阻抗元件，因此能夠使特征導(dǎo)通阻抗降低30%左右，降低同步整流的能量損耗，極大的提高了電源能...

2013-05-14

MOSFET 高能效電源

可滿足新一代平板電腦充電器需求的15A超級勢壘整流器

近日，Diodes公司新推出一款額定電流值15A的超級勢壘整流器SBR15U50SP5，該整流器采用PowerDI-5封裝，使充電器的設(shè)計更細小纖薄。十分適用于新一代智能手機及平板電腦充電器。

2013-05-14

整流器充電器平板電腦

ST、英飛凌齊推超結(jié)MOSFET 皆青睞TO247-4封裝技術(shù)

近日，意法半導(dǎo)體（ST）推出首款MDmesh V超結(jié)MOSFET晶體管，擴大其高能效功率產(chǎn)品陣容。該產(chǎn)品采用了創(chuàng)新的4針封裝，增加專用控制輸入。新封裝技術(shù)可提高白色家電、電視、個人電腦、電信設(shè)備和服務(wù)器開關(guān)電源等設(shè)備的功率電路能效。

2013-05-11

MOSFET TO247-4封裝超結(jié)器件 STW57N65M5-4

ST、英飛凌齊推超結(jié)MOSFET 皆青睞TO247-4封裝技術(shù)

2013-05-11

MOSFET TO247-4封裝超結(jié)器件 STW57N65M5-4

TI新型LED驅(qū)動器實現(xiàn)高度色彩渲染及超低調(diào)光功能

日前，德州儀器（TI）面向高性能照明推出三款業(yè)界領(lǐng)先DC/DC LED 驅(qū)動器，新型LED驅(qū)動器可簡化白色調(diào)節(jié)，增強室內(nèi)外照明的調(diào)光性能與色彩渲染?？蓱?yīng)用于建筑與零售展示等商業(yè)區(qū)域照明、 LED 投影系統(tǒng)及汽車行駛燈等。

2013-05-11

LED 驅(qū)動器 LED 投影照明

Vishay新型單相橋式整流器反向電壓可達1000V

日前，Vishay推出四款單相橋式整流器MBL104S、MBL106S、MBL108S和MBL110S，反向電壓可達1000V，能夠承受最高30A浪涌電流。該器件采用薄型MBLS封裝，十分適用于智能手機充電器的AC/DC全波整流。

2013-05-10

整流器智能手機 Vishay

PSEM推出在-40°C到+85°C具有優(yōu)異穩(wěn)定性的晶體振蕩器

近日，百利通半導(dǎo)體公司推出一個全新的帶有溫度補償?shù)木w振蕩器（TCXO）產(chǎn)品系列，其中多款產(chǎn)品都增加了電壓控制選項（VCTCXO），在-40°C到+85°C工業(yè)級溫度范圍內(nèi)能提供優(yōu)異的±0.5ppm頻率穩(wěn)定性，所支持的頻率范圍從幾MHz到最大值40MHz，幾乎覆蓋所有的應(yīng)用需求。

2013-05-09

百利通半導(dǎo)體公司 TCXO

基于AZ1065的USB 3.0介面ESD防護設(shè)計

USB3.0具有高達5Gbps的資料傳輸速度，但其控制晶片對ESD的耐受能力也快速下降，加上最普遍的USB熱插拔動作，也極易造成電子系統(tǒng)工作異常，甚至造成USB控制晶片毀壞，因此，使用額外的ESD保護元件于USB3.0介面來防止ESD事件對資料傳輸?shù)母蓴_是絕對必要的。

2013-05-09

USB 3.0 ESD防護 ESD

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