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江西首個多晶硅生產(chǎn)項目在樟樹正式投產(chǎn)

10月23日，引進世界領(lǐng)先技術(shù)、一期總投資達5000萬美元，年產(chǎn)多晶硅500噸、三氯氫硅1.6萬噸的江西通能硅材料有限公司多晶硅生產(chǎn)項目在江西樟樹正式投產(chǎn)，這是江西省首個投產(chǎn)的多晶硅生產(chǎn)項目。

2008-10-23

多晶硅三氯氫硅

高分子PTC熱敏電阻工作原理介紹

本文主要介紹高分子PTC熱敏電阻的工作原理及其環(huán)境影響因素。首先分析了高分子PTC熱敏電阻用于過流保護的工作原理，其次分析了環(huán)境溫度對高分子PTC熱敏電阻的影響，最后介紹了高分子PTC熱敏電阻動作后的恢復(fù)特性。

2008-10-23

高分子PTC熱敏電阻過流保護環(huán)境影響

高分子PTC熱敏電阻工作原理介紹

2008-10-23

高分子PTC熱敏電阻過流保護環(huán)境影響

ESD分析工具——傳輸線路脈沖(TLP)

本文主要介紹了一種研究電流和時域ESD事件下的集成電路技術(shù)和電路行為的方法——傳輸線路脈沖（TLP），首先闡釋了時域反射TLP系統(tǒng)，接著舉例進一步解釋TLP的使用，最后指明了TLP的多方面用途。

2008-10-23

ESD測試工具 TLP

SiR476DP/SiR892DP/SiR850DP ：Vishay新型功率MOSFET

日前，Vishay推出一款新型 25V n 通道器件，從而擴展了其 Gen III TrenchFET功率 MOSFET 系列，對于采用 PowerPAK SO-8 封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻以及導(dǎo)通電阻與柵極電荷之乘積。

2008-10-23

SiR476DP SiR892DP SiR850DP MOSFET

SiR476DP/SiR892DP/SiR850DP ：Vishay新型功率MOSFET

2008-10-23

SiR476DP SiR892DP SiR850DP MOSFET

SiR476DP/SiR892DP/SiR850DP ：Vishay新型功率MOSFET

2008-10-23

SiR476DP SiR892DP SiR850DP MOSFET

是否所有的ESD保護二極管都有相同的保護效果？

本文針對目前所面臨的找到一種具有成本效益的ESD解決方案的挑戰(zhàn)，分析了ESD方面所需考慮的因素，提出了將電壓箝位到更低水平的最優(yōu)方案，接著并比較幾種保護器件得出安森美的保護器件更具競爭性和優(yōu)越性。

2008-10-23

ESD 保護二極管箝位電壓

過壓保護的備用電路: 技巧和竅門

過壓保護(OVP)器件用于保護后續(xù)電路免受甩負載或瞬間高壓的破壞，在某些特定的應(yīng)用中，基本的過壓保護電路不足以勝任器件保護的要求，通常有以下兩種需求。第一，電路的最大輸入電壓可能增大；第二，適當(dāng)修改電路，可以在發(fā)生過壓或欠壓時利用輸出電容儲能保持能量。本文討論如何針對這兩種需求修改...

2008-10-23

過壓保護電路 MOSFET

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