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江西首個多晶硅生產(chǎn)項目在樟樹正式投產(chǎn)

10月23日，引進(jìn)世界領(lǐng)先技術(shù)、一期總投資達(dá)5000萬美元，年產(chǎn)多晶硅500噸、三氯氫硅1.6萬噸的江西通能硅材料有限公司多晶硅生產(chǎn)項目在江西樟樹正式投產(chǎn)，這是江西省首個投產(chǎn)的多晶硅生產(chǎn)項目。

2008-10-23

多晶硅三氯氫硅

2008-10-23

多晶硅三氯氫硅

2008-10-23

多晶硅三氯氫硅

本文主要介紹高分子PTC熱敏電阻的工作原理及其環(huán)境影響因素。首先分析了高分子PTC熱敏電阻用于過流保護(hù)的工作原理，其次分析了環(huán)境溫度對高分子PTC熱敏電阻的影響，最后介紹了高分子PTC熱敏電阻動作后的恢復(fù)特性。

2008-10-23

高分子PTC熱敏電阻過流保護(hù) 環(huán)境影響

2008-10-23

高分子PTC熱敏電阻過流保護(hù) 環(huán)境影響

本文主要介紹了一種研究電流和時域ESD事件下的集成電路技術(shù)和電路行為的方法——傳輸線路脈沖（TLP），首先闡釋了時域反射TLP系統(tǒng)，接著舉例進(jìn)一步解釋TLP的使用，最后指明了TLP的多方面用途。

2008-10-23

ESD測試工具 TLP

日前，Vishay推出一款新型 25V n 通道器件，從而擴(kuò)展了其 Gen III TrenchFET功率 MOSFET 系列，對于采用 PowerPAK SO-8 封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻以及導(dǎo)通電阻與柵極電荷之乘積。

2008-10-23

SiR476DP SiR892DP SiR850DP MOSFET

2008-10-23

SiR476DP SiR892DP SiR850DP MOSFET

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SiR476DP SiR892DP SiR850DP MOSFET

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