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Si7137DP：Vishay新型P 通道功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）發(fā)布采用其新型 p 通道 TrenchFET第三代技術(shù)的首款器件 --- Si7137DP，該 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封裝，具備業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。

2009-03-12

TrenchFET Si7137DP MOSFET 導(dǎo)通電阻開關(guān)

Si7137DP：Vishay新型P 通道功率MOSFET

2009-03-12

TrenchFET Si7137DP MOSFET 導(dǎo)通電阻開關(guān)

中國版WEEE出臺：電器廠商成本上升5%

在歐盟《關(guān)于報(bào)廢電子電器設(shè)備指令》(WEEE)全面實(shí)施近三年后，中國版WEEE出臺。條例對制造商有很多保護(hù)措施，而金融危機(jī)的到來讓該條例正式實(shí)施的時(shí)間推遲到2011年元旦。中國版的WEEE在多次征求意見和修改后對生產(chǎn)者采取了優(yōu)惠的政策，但保留了“生產(chǎn)者負(fù)責(zé)制”。該法規(guī)有可能使電器制造商的成本上升5...

2009-03-12

中國版WEEE WEEE 關(guān)于報(bào)廢電子電器設(shè)備指令廢棄電器電子產(chǎn)品回收處理管理?xiàng)l例

中國版WEEE出臺：電器廠商成本上升5%

2009-03-12

中國版WEEE WEEE 關(guān)于報(bào)廢電子電器設(shè)備指令廢棄電器電子產(chǎn)品回收處理管理?xiàng)l例

中國版WEEE出臺：電器廠商成本上升5%

2009-03-12

中國版WEEE WEEE 關(guān)于報(bào)廢電子電器設(shè)備指令廢棄電器電子產(chǎn)品回收處理管理?xiàng)l例

2009年全球智能手機(jī)將會獲得強(qiáng)勁增長

In-Stat公司最新的研究報(bào)告指出，到2013年全球智能手機(jī)的市場份額將會占到整個(gè)手機(jī)市場的20%，同時(shí)今年全球智能手機(jī)將會獲得強(qiáng)勁增長。

2009-03-12

智能手機(jī) iPhone Magic

CM1235/6：California Micro Devices兩款最新ESD保護(hù)器件

California Micro Devices宣布 XtremeESD(R) 系列新添兩款 ESD（靜電放電）保護(hù)器件CM1235 和 CM1236。這兩款器件都整合了獲獎(jiǎng)的 PicoGuard XS 架構(gòu)，該架構(gòu)擁有整合的阻抗匹配和更高的 ESD 性能。

2009-03-11

CM1235 CM1236 ESD保護(hù)器件

CM1235/6：California Micro Devices兩款最新ESD保護(hù)器件

2009-03-11

CM1235 CM1236 ESD保護(hù)器件

京瓷（天津）太陽能有限公司即將建設(shè)新廠房

京瓷（天津）太陽能有限公司是京瓷株式會社位于中國天津市的太陽能電池組件生產(chǎn)基地。為了擴(kuò)大該廠的生產(chǎn)能力，京瓷株式會社（社長：川村誠）即將為其建設(shè)新的廠房。

2009-03-11

京瓷新廠房產(chǎn)能亞洲市場

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京瓷（天津）太陽能有限公司即將建設(shè)新廠房

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