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智能家居

USB 3.0測試標(biāo)準(zhǔn)將于09年6月底出臺

新一代USB“USB 3.0”的兼容性測試標(biāo)準(zhǔn)有望于2009年上半年出臺。參與測試標(biāo)準(zhǔn)制定的美國安捷倫科技（Agilent Technologies）表示，預(yù)定于09年6月底之前推出“Test Specification 1.0”。這是安捷倫公司的USB應(yīng)用產(chǎn)品經(jīng)理Jim Choate在09年3月6日于東京都內(nèi)舉行的研討會“USB 3.0―SuperSpeed USB的沖擊”上...

2009-03-12

USB 3.0 測試儀器

Si7137DP：Vishay新型P 通道功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）發(fā)布采用其新型 p 通道 TrenchFET第三代技術(shù)的首款器件 --- Si7137DP，該 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封裝，具備業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。

2009-03-12

TrenchFET Si7137DP MOSFET 導(dǎo)通電阻開關(guān)

Si7137DP：Vishay新型P 通道功率MOSFET

2009-03-12

TrenchFET Si7137DP MOSFET 導(dǎo)通電阻開關(guān)

Si7137DP：Vishay新型P 通道功率MOSFET

2009-03-12

TrenchFET Si7137DP MOSFET 導(dǎo)通電阻開關(guān)

中國版WEEE出臺：電器廠商成本上升5%

在歐盟《關(guān)于報廢電子電器設(shè)備指令》(WEEE)全面實施近三年后，中國版WEEE出臺。條例對制造商有很多保護措施，而金融危機的到來讓該條例正式實施的時間推遲到2011年元旦。中國版的WEEE在多次征求意見和修改后對生產(chǎn)者采取了優(yōu)惠的政策，但保留了“生產(chǎn)者負(fù)責(zé)制”。該法規(guī)有可能使電器制造商的成本上升5...

2009-03-12

中國版WEEE WEEE 關(guān)于報廢電子電器設(shè)備指令廢棄電器電子產(chǎn)品回收處理管理條例

中國版WEEE出臺：電器廠商成本上升5%

2009-03-12

中國版WEEE WEEE 關(guān)于報廢電子電器設(shè)備指令廢棄電器電子產(chǎn)品回收處理管理條例

中國版WEEE出臺：電器廠商成本上升5%

2009-03-12

中國版WEEE WEEE 關(guān)于報廢電子電器設(shè)備指令廢棄電器電子產(chǎn)品回收處理管理條例

2009年全球智能手機將會獲得強勁增長

In-Stat公司最新的研究報告指出，到2013年全球智能手機的市場份額將會占到整個手機市場的20%，同時今年全球智能手機將會獲得強勁增長。

2009-03-12

智能手機 iPhone Magic

CM1235/6：California Micro Devices兩款最新ESD保護器件

California Micro Devices宣布 XtremeESD(R) 系列新添兩款 ESD（靜電放電）保護器件CM1235 和 CM1236。這兩款器件都整合了獲獎的 PicoGuard XS 架構(gòu)，該架構(gòu)擁有整合的阻抗匹配和更高的 ESD 性能。

2009-03-11

CM1235 CM1236 ESD保護器件

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USB 3.0測試標(biāo)準(zhǔn)將于09年6月底出臺

Si7137DP：Vishay新型P 通道功率MOSFET

Si7137DP：Vishay新型P 通道功率MOSFET

Si7137DP：Vishay新型P 通道功率MOSFET

中國版WEEE出臺：電器廠商成本上升5%

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CM1235/6：California Micro Devices兩款最新ESD保護器件

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