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醫(yī)療穿戴

【電源設(shè)計(jì)小貼士33】：注意SEPIC耦合電感回路電流2

本文將討論如何確定SEPIC拓?fù)渲旭詈想姼械穆╇姼幸?。上次，我們討論了耦合電容器AC電壓被施加于耦合電感漏電感的情況。漏電感電壓會(huì)在電源中引起較大的回路電流。這次我們將介紹利用松散耦合電感和緊密耦合電感所構(gòu)建電源的一些測量結(jié)果。

2013-03-06

電源耦合電感回路電流

TVS將變成ESD保護(hù)二極管的終極替代

臺(tái)灣晶炎認(rèn)為，隨著今天IC制造工藝下探28納米節(jié)點(diǎn)，ESD保護(hù)二極管開始遇到三個(gè)致命的發(fā)展瓶頸：升級(jí)換代時(shí)間長、反應(yīng)時(shí)間太長和鉗位電壓做不低，未來TVS取代ESD保護(hù)二極管將變成主流發(fā)展趨勢。

2013-03-06

TVS ESD 二極管

【電源設(shè)計(jì)小貼士32】：注意SEPIC耦合電感回路電流1

在這篇【電源設(shè)計(jì)小貼士】中，我們將確定SEPIC拓?fù)渲旭詈想姼械囊恍┞╇姼幸?。在不要求主?jí)電路和次級(jí)電路之間電氣隔離且輸入電壓高于或者低于輸出電壓時(shí)，SEPIC是一種非常有用的拓?fù)洹?/p>

2013-03-05

電源耦合電感回路電流

【電源設(shè)計(jì)小貼士31】：同步降壓MOSFET電阻比的正確選擇

在這篇【電源設(shè)計(jì)小貼士】中，我們將研究在同步降壓功率級(jí)中如何對傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理，而其與占空比和FET電阻比有關(guān)。進(jìn)行這種折中處理可得到一個(gè)用于FET選擇的非常有用的起始點(diǎn)。

2013-03-04

電源 MOSFET

Bourns新型號(hào)采用霍爾效應(yīng)技術(shù)，有助提高可靠性和壽命

Bourns近日擴(kuò)大兩個(gè) non-contacting rotary position sensors非接觸式位置傳感器新型號(hào)的生產(chǎn)線。AMS22U 和AMM20B采用霍爾效應(yīng)的技術(shù)，有助于提高在惡劣環(huán)境中運(yùn)行的可靠性和壽命。

2013-03-01

Bourns 霍爾效應(yīng) 傳感器

【電源設(shè)計(jì)小貼士30】：低壓降壓IC實(shí)現(xiàn)簡單經(jīng)濟(jì)的偏置電源

在本次【電源設(shè)計(jì)小貼士】中，我們將研究一款可將高AC輸入電壓轉(zhuǎn)換為可用于電子能量計(jì)等應(yīng)用的低DC電壓簡單電路。在這種特殊的應(yīng)用中，無需將輸出電壓隔離于輸入電壓。

2013-03-01

電源偏置電源

【電源設(shè)計(jì)小貼士29】：估算熱插拔MOSFET的瞬態(tài)溫升2

本文我們將最終對一種估算熱插拔MOSFET溫升的簡單方法進(jìn)行研究。在【電源設(shè)計(jì)小貼士28】中，我們討論了如何設(shè)計(jì)溫升問題的電路類似方法。我們把熱源建模成了電流源。根據(jù)系統(tǒng)組件的物理屬性，計(jì)算得到熱阻和熱容。遍及整個(gè)網(wǎng)絡(luò)的各種電壓代表各個(gè)溫度。

2013-02-28

電源熱插拔瞬態(tài)溫升

【電源設(shè)計(jì)小貼士28】：估算熱插拔MOSFET的瞬態(tài)溫升1

在本電源設(shè)計(jì)小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設(shè)備插入通電的電壓總線時(shí)限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設(shè)備運(yùn)行中斷。

2013-02-27

電源熱插拔瞬態(tài)溫升

【電源設(shè)計(jì)小貼士26】：高頻導(dǎo)體的電流分布

本次【電源設(shè)計(jì)小貼士】中，我們將研究自由空間及纏繞結(jié)構(gòu)中導(dǎo)體的有效電阻。文中圖1顯示了第一個(gè)例子。其為自由空間中單條導(dǎo)線的橫截面，其攜帶的是高頻電流。

2013-02-26

電源高頻電流分布

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