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醫(yī)療穿戴

2011年高容量電池將開始進(jìn)行大量商品化

2010年各類消費(fèi)性電子產(chǎn)品的持續(xù)成長，帶動了不同應(yīng)用領(lǐng)域的鋰電池的需求。2011年低容量電池芯已達(dá)價(jià)格低點(diǎn)，且日系廠商已逐步往下游組裝Package廠移動，韓國電芯廠價(jià)格戰(zhàn)情形將減緩。為了刺激終端需求，高容量電池將開始進(jìn)行大量商品化...

2011-02-17

電池電子產(chǎn)品電池芯高容量商品化

2011西安安防博覽會-安防工程精英百人游世園活動拉開序幕

2011-02-15

2011西安安防博覽會-安防工程精英百人游世園活動拉開序幕

遠(yuǎn)程醫(yī)療保健是便攜醫(yī)療電子發(fā)展的終極目標(biāo)

遠(yuǎn)程醫(yī)療保健是便攜醫(yī)療電子設(shè)備發(fā)展的終極目標(biāo)，先進(jìn)的技術(shù)可實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程監(jiān)視和診斷，有時(shí)甚至還可以通過便攜式醫(yī)療設(shè)備進(jìn)行治療。實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程醫(yī)療的關(guān)鍵是要把病歷電子化，需要從過去的電子病歷信息收集轉(zhuǎn)變?yōu)楦呒壍倪h(yuǎn)程測試、檢測和防御。便攜式或家用診斷器件是實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程醫(yī)療的基本載體，它可通過測...

2011-02-15

醫(yī)療電子便攜醫(yī)療設(shè)備智能化電子化多元化無線通信體外控制

2011第十屆華東國際電子工業(yè)制造展覽會

華東國際電子工業(yè)制造展覽會

2011-02-11

華東國際電子工業(yè)制造展覽會

優(yōu)化高電壓IGBT在高效率太陽能逆變器中的應(yīng)用

多年來的調(diào)查和分析顯示，IGBT比其他功率晶體管有更多優(yōu)點(diǎn)，當(dāng)中包括更高電流能力，利用電壓而非電流來進(jìn)行柵極控制，以及能夠與一個(gè)超快速恢復(fù)二極管協(xié)同封裝來加快關(guān)斷速度。此外，工藝技術(shù)及器件結(jié)構(gòu)的精細(xì)改進(jìn)也使IGBT的開關(guān)性能得到相當(dāng)?shù)母纳?。其他?yōu)點(diǎn)還包括更好的通態(tài)性能，以及擁有高度耐...

2011-02-06

高電壓IGBT 太陽能逆變器

浪涌保護(hù)器（SPD）的基本原理及應(yīng)用

電涌保護(hù)器(Surge Protective Device，SPD)又稱浪涌保護(hù)器，是用于帶電系統(tǒng)中限制瞬態(tài)過電壓和導(dǎo)引泄放電涌電流的非線性防護(hù)器件，用以保護(hù)耐壓水平低的電器或電子系統(tǒng)免遭雷擊及雷擊電磁脈沖或操作過電壓的損害。本文介紹浪涌保護(hù)器（SPD）的基本原理及應(yīng)用。

2011-02-05

浪涌保護(hù)器 SPD 原理應(yīng)用計(jì)算機(jī)系統(tǒng)

一種低壓程控電源的設(shè)計(jì)

在應(yīng)用直流疊加法檢測XLPE電纜絕緣電阻的方法中[1]，為了抵消測量中干擾的影響，要求在測試過程中能變換電源的極性，而且在某段過程中，要求能完全切斷電源。我們利用電力電子器件，實(shí)現(xiàn)了一種在測量過程中可控的低壓電源，為實(shí)現(xiàn)測量的全面自動化鋪平了道路。

2011-02-01

程控電源 MOSFET 過流保護(hù) 過壓保護(hù)

富士膠片開發(fā)出替代ITO的透明導(dǎo)電薄膜

富士膠片開發(fā)出了具有高透射率和彎曲性的透明導(dǎo)電薄膜。主要用于觸摸面板，計(jì)劃取代ITO薄膜使用。該公司在“第二屆尖端電子材料EXPO～材料日本～”（2011年1月19～21日，東京有明國際會展中心）上公開了試制品。

2011-01-28

富士膠片 ITO 透明導(dǎo)電薄膜觸摸面板

飛兆推出UniFET? II MOSFET消費(fèi)產(chǎn)品功率轉(zhuǎn)換器

開關(guān)電源的設(shè)計(jì)人員需要能夠耐受反向電流尖刺并降低開關(guān)損耗的高電壓MOSFET器件，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)憑借精深的MOSFET技術(shù)知識，開發(fā)出經(jīng)優(yōu)化的功率MOSFET產(chǎn)品UniFET? II MOSFET，新產(chǎn)品具有更佳的體二極管和更低的開關(guān)損耗，并可在二極管恢復(fù)dv/dt模式下耐受雙倍電流應(yīng)力。

2011-01-27

UniFET? II MOSFET 飛兆消費(fèi)產(chǎn)品功率轉(zhuǎn)換器開關(guān)電源

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