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醫(yī)療穿戴

電路保護白皮書匯編

編者按：隨著電子系統(tǒng)越來越復雜，對各種電子系統(tǒng)的可靠性要求不斷提高，各種電路保護元器件已經(jīng)成為電子系統(tǒng)中必不可少的組成部分，電路保護元件的重要性在日益顯現(xiàn)。在各類電子產(chǎn)品中，設置過電流保護和過電壓保護元件的趨勢日益增強。以下是我們整理收錄的電路保護相關的白皮書資料，從中可以看...

2011-03-21

電路保護白皮書下載通信

Molex公司推出iPass+ 高速通道(HSC) CXP可插拔銅纜和光纖互連系統(tǒng)

Molex公司宣布推出iPass+? 產(chǎn)品系列的最新成員iPass+ 高速通道(HSC) CXP可插拔銅纜和光纖互連系統(tǒng)，以單個組件支持12通道可插撥數(shù)據(jù)傳輸，數(shù)據(jù)速率高達120Gbps。這款雙切換卡 (paddle-card)系統(tǒng)被采納為InfiniBand* CXP 12x QDR標準，同時還獲IEEE 802.3ba用作 100Gb 以太網(wǎng)標準，支持10路10Gbps數(shù)...

2011-03-21

Molex iPass 高速通道 CXP

日本地震帶來國內鋁電解電容器行業(yè)的兩方面影響

日本地震對國內電子行業(yè)的受益行業(yè)是被動元器件行業(yè)：其中江海股份、順絡電子和法拉電子三家公司直接受益；智能終端配套行業(yè)可能因為閃存的短缺而降低短期終端需求，但是不改變智能終端行業(yè)的中長期趨勢；部分關鍵電子原料來自日本，其供給緊張或將影響國內相關公司業(yè)績的釋放。

2011-03-18

日本地震被動元器件電容器

電源模塊的設計分析

電源模塊是可以直接貼裝在印刷電路板上的電源供應器 (參看圖1)，其特點是可為專用集成電路（ASIC）、數(shù)字信號處理器 (DSP)、微處理器、存儲器、現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA) 及其他數(shù)字或模擬負載提供供電。一般來說，這類模塊稱為負載點 (POL) 電源供應系統(tǒng)或使用點電源供應系統(tǒng) (PUPS)。由于模塊式結...

2011-03-17

電源模塊噪音測量技術可靠性

日本地震致全球面板業(yè)陷斷炊風險

日本東北部的大地震，其“蝴蝶效應”正觸動全球電子產(chǎn)業(yè)的神經(jīng)。雖然旭硝子、電氣硝子和康寧在日本的十多座液晶玻璃基板熔爐在這次地震中并未受損，但是對于全球，特別是中國的液晶面板產(chǎn)業(yè)來說，這次強震可能令上游的一些核心部件面臨“斷炊”的風險...

2011-03-16

日本地震全球面板影響蝴蝶效應

移動醫(yī)療改變我們的生活

“TD－LTE”高清、移動、無線的技術優(yōu)勢，可以幫助救護車上的醫(yī)護人員，通過移動高清視頻獲得清晰、快速的遠程指導，不錯過治療的 “黃金半小時”；社區(qū)醫(yī)生帶上移動醫(yī)療診斷設備，可以隨時請大醫(yī)院、大醫(yī)生進行遠程會診；社區(qū)醫(yī)療信息平臺，可以用短信、彩信、WAP、呼叫中心等方式向公眾提供掌上醫(yī)訊、...

2011-03-15

移動通信醫(yī)療電子

靜電防護與電磁兼容性

靜電作為一種近場自然危害源，給人類社會已經(jīng)造成了重大損失和危害。1969年底在不到一個月的時間里，由于靜電放電(EsD)引發(fā)荷蘭、挪威、英國三艘20萬噸超級油輪洗艙時相繼發(fā)生爆炸；靜電放電曾使國際通訊衛(wèi)星II—F1Iv—F8及美國的阿尼克、歐洲航天局的航海通訊衛(wèi)星等數(shù)十額衛(wèi)星發(fā)生故障，不能正常飛行...

2011-03-11

靜電電磁兼容性普銳馬

以有效的創(chuàng)新和融合應用切入中國醫(yī)療電子市場

中國已經(jīng)步入老齡化國家，居民對醫(yī)療電子產(chǎn)品的需求呈現(xiàn)不斷攀升之勢，這極大地刺激了中國醫(yī)療電子市場的發(fā)展，isuppli的研究數(shù)據(jù)顯示，2010年中國醫(yī)療電子全年市場總額達57.91億美元，較2009年市場增長了44%！預計2011年，中國醫(yī)療電子全年市場總額將達到72.2億美元！較 2010年增長25%！預計在2013...

2011-03-11

醫(yī)療電子融合需求攀升

SiR870DP/Si4190DY：Vishay推出100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款新的100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型 ThunderFET?技術，在具有4.5V電壓等級的100V MOSFET中具有業(yè)內最低的導通電阻。此外，該器件的導通電阻與柵極電荷乘積也是同類產(chǎn)品中最佳的，該...

2011-03-10

SiR870DP Si4190DY Vishay TrenchFET? 功率MOSFET

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