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安防監(jiān)控

低頻光纖光柵加速度傳感器

本文設(shè)計(jì)了低頻光纖光柵加速度傳感器通過(guò)對(duì)其力學(xué)模型分析，建立了光纖光柵加速度傳感器的數(shù)學(xué)模型，得到了傳感器的加速度和光纖光柵波長(zhǎng)變化間的關(guān)系．通過(guò)振動(dòng)實(shí)驗(yàn)，得到了在不同阻尼下光纖光柵加速度計(jì)的幅頻特性。

2008-10-10

光纖光柵低頻加速度傳感器

LED燈的最新保護(hù)技術(shù)

本文分析了為什么要對(duì)LED進(jìn)行保護(hù)和造成LED損壞的原因，進(jìn)而談到怎么對(duì)LED來(lái)進(jìn)行保護(hù)，以及LED的靜電防護(hù)和其生產(chǎn)車間的靜電防護(hù)。

2008-10-10

LED 保護(hù) 靜電

傳感器中的電壓/電流、電壓/頻率變換的實(shí)現(xiàn)

在工業(yè)控制領(lǐng)域，檢測(cè)傳感器件起著越來(lái)越重要的作用，各種先進(jìn)的傳感器正在大量應(yīng)用。本文介紹的兩個(gè)轉(zhuǎn)換電路所需費(fèi)用低，且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，調(diào)試方便，非常易于實(shí)現(xiàn)，并且經(jīng)過(guò)礦用監(jiān)測(cè)設(shè)備多次的實(shí)際現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用，其對(duì)于國(guó)內(nèi)一般的煤礦安全監(jiān)測(cè)系統(tǒng)的接入信號(hào)的要求都能夠很好地滿足應(yīng)用。

2008-10-10

傳感器電壓/電流電壓/頻率

傳感器信號(hào)調(diào)理電路

傳感器信號(hào)不能直接轉(zhuǎn)換為數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)，在變換為數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)之前必須進(jìn)行調(diào)理。本文介紹了傳感器信號(hào)調(diào)理電路的組成、性能、工作原理以及傳感器和放大器匹配電路等。

2008-10-10

信號(hào)調(diào)理傳感器放大器

中國(guó)大陸第一條OLED大規(guī)模生產(chǎn)線昆山投產(chǎn)

10月8日，中國(guó)大陸第一條自主設(shè)計(jì)建設(shè)的OLED（有機(jī)發(fā)光顯示）技術(shù)大規(guī)模生產(chǎn)線在江蘇昆山投產(chǎn)。這是我國(guó)大陸在顯示產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域第一次依靠自主掌握的技術(shù)實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)，標(biāo)志著新型平板顯示技術(shù)領(lǐng)域通過(guò)多年自主創(chuàng)新已取得重大突破，顯示產(chǎn)業(yè)由“中國(guó)制造”開(kāi)始走向“中國(guó)創(chuàng)造”。

2008-10-09

OLED

提高DC/DC轉(zhuǎn)換器EMC性能的新策略

為了提高DC/DC轉(zhuǎn)換器的電磁兼容性，基于混沌現(xiàn)象的寬頻譜特性提出了一種新的DC/DC轉(zhuǎn)換器控制策略。首先推導(dǎo)了能夠產(chǎn)生可控幅度混沌序列的Logistic映射形式，然后利用混沌序列對(duì)電流滯環(huán)控制策略的電流參考值進(jìn)行擾動(dòng)。從而擴(kuò)展了電感電流的功率譜，降低了在開(kāi)關(guān)頻率及其諧波頻率上發(fā)射的電磁干擾。...

2008-10-09

DC/DC轉(zhuǎn)換器電力電子混沌電磁兼容

采用適合工藝技術(shù)制造硅MEMS振蕩器

MEMS振蕩器商用化的一個(gè)最大障礙是開(kāi)發(fā)一種經(jīng)濟(jì)并足夠純凈的密閉封裝系統(tǒng)。本文展示了一種適用于MEMS振蕩器的制造工藝，以及一組可與傳統(tǒng)的石英晶體技術(shù)相媲美的測(cè)量數(shù)據(jù)。這些測(cè)量數(shù)據(jù)是目前為止得到的最穩(wěn)定的MEMS振蕩器數(shù)據(jù)。

2008-10-09

純凈振蕩頻率穩(wěn)定

固態(tài)混合電勢(shì)氣體傳感器的原理和應(yīng)用

以混合電勢(shì)響應(yīng)為基礎(chǔ)的固態(tài)高溫氣體傳感器為各種還原性氣體提供了一種簡(jiǎn)單快速并且低成本的原位在線測(cè)量。這些傳感器響應(yīng)機(jī)理因電極材料、電極微觀形貌等不同而有所變化，主要分為混合電勢(shì)與被測(cè)氣體濃度呈對(duì)數(shù)關(guān)系或者線性關(guān)系兩種類型。其響應(yīng)行為取決于電極反應(yīng)的Butler-Volmer動(dòng)力學(xué)方程的具體...

2008-10-09

混合電勢(shì) 氧化還原傳感器

MOSFET的開(kāi)關(guān)速度將決定未來(lái)POL電源的性能

一個(gè)采用DirectFET MOSFET并基于四相同步整流器的VRM能夠于高達(dá)2MHz/相位下工作，并提供120A電流，且滿足負(fù)載點(diǎn)電源的瞬態(tài)響應(yīng)要求。

2008-10-09

MOSFET DirectFET VRM 整流器

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