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光伏企業(yè)爭搶國家實驗室欲奪行業(yè)標準制定權

17家光伏企業(yè)和科研院所為爭奪太陽能光伏發(fā)電技術國家重點實驗室的較量塵埃落定。1月 18日，科技部基礎司卞松保博士對《每日經(jīng)濟新聞》透露，科技部已通過了英利集團和江蘇常州天合光能有限公司申報建立光伏發(fā)電技術國家重點實驗室的材料，這也是我國首批獲得通過的光伏發(fā)電技術領域重點實驗室。

2010-01-22

光伏企業(yè) 國家實驗室行業(yè)標準制定權

透視中國電子元件市場2010新動向

電子信息技術是當今發(fā)展最快，滲透性最強、應用最廣的關鍵技術，是推動經(jīng)濟增長和科技應用進程的重要引擎。在電子信息技術發(fā)展中，半導體技術起了至關作用。它是一個技術密集、投資密集和高精尖設備密集產(chǎn)業(yè)。半導體科技不僅制造了功能強大的IC和各式分立器件，對電子信息技術發(fā)展起到不可估量的推...

2010-01-22

透視電子元件市場新動向 SZ2010 CEF 中國電子展

半導體業(yè)銷售回升中電子元器件蘊藏機會

全球半導體業(yè)2010年的銷售額有望達到約2550億美元,將增長10.2%，從而結束2008年和2009年連續(xù)兩年的持續(xù)下滑，這預示著半導體業(yè)將逐漸擺脫金融危機的影響。美國半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會預測，2010年全球半導體業(yè)的銷售額將增長10.2%；世界半導體貿(mào)易統(tǒng)計協(xié)會和美國高德納公司對增長率的預測分別為12.2%和12.8%。

2010-01-22

半導體回升元器件機會

晶圓廠產(chǎn)能不足 MOSFET供貨警報響

臺晶圓代工廠產(chǎn)能供應失序情形，近期已逐漸從8寸晶圓向下蔓延到5寸及6寸晶圓，包括LCD驅動IC及電源管理IC紛向下?lián)寠Z5寸、6寸晶圓產(chǎn)能動作，讓許久未傳出缺貨的金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET)亦出現(xiàn)客戶一直緊急追單，MOSFET市場明顯供不應求現(xiàn)象，對臺系相關供應商如富鼎、尼克森及茂達2010年...

2010-01-21

晶圓產(chǎn)能 MOSFET 供貨警報

電子電信：新興產(chǎn)業(yè)成長空間更廣闊

2009年12月以來，受益于出口預期的好轉和國家產(chǎn)業(yè)政策的扶持，信息設備、信息服務、電子元器件行業(yè)的表現(xiàn)明顯強于大市。我們認為，這一方面體現(xiàn)出市場對新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展的高度關注，另一面也是當前市場風格轉換的內(nèi)在體現(xiàn)。隨著2010年相關政策的推進，電子電信行業(yè)有望長期保持強于A股的走勢。

2010-01-21

電子電信新興產(chǎn)業(yè) 成長空間廣闊

2009年全球半導體行業(yè)收入同比降11.4%

根據(jù)市場調(diào)研公司Gartner的估計，2009年全球半導體行業(yè)總收入為2.26億美元，同比下滑11.4%，這將是該行業(yè)25年來經(jīng)歷的第六次收入下滑。 Gartner分析稱，個人電腦市場是最先反彈的市場，隨后是手機、汽車等市場開始反彈。

2010-01-21

全球半導體行業(yè) 收入下降

新系列MEMS加速計突破尺寸和功耗極限

意法半導體在加速計設計方面取得了最新進步，將傳感器尺寸縮小到2 x 2mm，100Hz采樣率時的功耗降到10微安以下，這數(shù)值已經(jīng)比目前其他產(chǎn)品器件低一個量級，，功耗還能再降到幾微安，以配合更低的數(shù)據(jù)速率。由于這一重大成果，空間和功耗受限的便攜設備得以加快采用動作控制型技術應用，性能和功能不...

2010-01-21

MEMS 加速計尺寸功耗極限

TI推出降低上表面熱阻的功率MOSFET

日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應用推出業(yè)界第一個通過封裝頂部散熱的標準尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對其它標準尺寸封裝的產(chǎn)品，DualCool NexFET 功率MOSFET有助于縮小終端設備的尺寸，同時還可將MOSFET允許的電流提高 50%，并改進散熱管理。

2010-01-21

TI MOSFET DualCool NexFET 器件

電動工具F系列(帶扭矩控制器的充電式螺絲刀)

具有能夠提高作業(yè)效率的強大的擰緊力能提高作業(yè)效率的強大的擰緊力和簡潔的結構 F系列

2010-01-20

電動工具扭矩控制器充電式螺絲刀

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