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安防監(jiān)控

如何設(shè)計(jì)出高能效、高可靠性和高功率密度的同步降壓穩(wěn)壓器

同步降壓穩(wěn)壓器是一種常用的電源，隨著各類(lèi)應(yīng)用要求的不斷提高，行業(yè)越來(lái)越趨向于追求高能效、高可靠性、高功率密度的設(shè)計(jì)方案。本文將介紹快速設(shè)計(jì)出高效可靠的同步降壓穩(wěn)壓器的技術(shù)，以及安森美半導(dǎo)體的 Power Supply WebDesigner在線設(shè)計(jì)工具，幇助工程師解決所面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)。

2017-06-16

穩(wěn)壓器電路設(shè)計(jì)

半導(dǎo)體大國(guó)崛起醞釀電子信息產(chǎn)業(yè)變革

作為國(guó)內(nèi)IC產(chǎn)業(yè)最重要的展示平臺(tái)之一，IC China始終以促進(jìn)電子智造全產(chǎn)業(yè)鏈互動(dòng)及本土半導(dǎo)體自給率為初衷，致力于打造萬(wàn)億級(jí)“整機(jī)與芯片”聯(lián)動(dòng)展示平臺(tái)。近日，IC China 2017 & 90th CEF新聞發(fā)布會(huì)在上海舉行，宣布兩個(gè)大展將攜手于2017年10月25-27日同期在上海舉行，匯聚半導(dǎo)體上下游產(chǎn)業(yè)鏈，帶動(dòng)整...

2017-06-16

半導(dǎo)體電子信息 IC產(chǎn)業(yè)

正確選擇輸入網(wǎng)絡(luò)，優(yōu)化高速ADC的動(dòng)態(tài)性能和增益平坦度

對(duì)于較高IF的模/數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)，正確選擇板級(jí)元器件是滿足高動(dòng)態(tài)性能和較寬增益平坦度的必要條件。本技術(shù)資料介紹了如何選擇輸入網(wǎng)絡(luò)，借助寬帶變壓器、端接電阻和濾波電容，簡(jiǎn)化單端到差分信號(hào)轉(zhuǎn)換的設(shè)計(jì)。

2017-06-15

增益平坦高速ADC 變壓器

高速實(shí)時(shí)數(shù)字信號(hào)處理硬件技術(shù)發(fā)展概述

在過(guò)去的幾年里，高速實(shí)時(shí)數(shù)字信號(hào)處理（DSP）技術(shù)取得了飛速的収展，目前單片DSP芯片的速度已經(jīng)可以達(dá)到每秒80億次定點(diǎn)運(yùn)算（8000MIPS）；其高速度、可編程、小型化的特點(diǎn)將使信息處理技術(shù)迚入一個(gè)新紀(jì)元。一個(gè)完整的高速實(shí)時(shí)數(shù)字信號(hào)處理系統(tǒng)包括多種功能模塊，如DSP，ADC，DAC，RAM，F(xiàn)PGA，總線...

2017-06-15

高速信號(hào)處理 DSP COTS MIMP結(jié)構(gòu)

PWM占空比趨勢(shì)測(cè)量可快速分析電機(jī)運(yùn)行異常

對(duì)于電機(jī)控制來(lái)說(shuō)，占空比是一項(xiàng)直接影響控制精度的關(guān)鍵參數(shù)，而如何快速分析出占空比變化的趨勢(shì)，正是分析這一問(wèn)題的核心。只要有了占空比變化趨勢(shì)曲線，電機(jī)異常運(yùn)行的原因自然就浮出水面。

2017-06-14

電機(jī)異常 PWM占空比測(cè)量測(cè)試

電路系統(tǒng)的核心元件：連接器發(fā)展的四個(gè)趨勢(shì)

隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的高速發(fā)展，集成電路的集成能力越來(lái)越強(qiáng)，但在電子產(chǎn)品構(gòu)成中，一種器件必不可少，它就是連接器。

2017-06-14

連接器發(fā)展趨勢(shì)

設(shè)計(jì)適合工業(yè)、電信和醫(yī)療應(yīng)用的魯棒隔離式I2C/PMBus數(shù)據(jù)接口

工業(yè)和儀器儀表(I&I)、電信以及醫(yī)療應(yīng)用的一個(gè)關(guān)鍵要求是需要一個(gè)可靠接口來(lái)傳輸數(shù)據(jù)。(I2C)總線是一種雙線制雙向總線，用于集成電路之間的低速、短距離通信。(I2C)是由飛利浦公司于20世紀(jì)80年代早期為單個(gè)電路板上的IC開(kāi)發(fā)，其應(yīng)用依然在不斷增長(zhǎng)。電源管理總線(PMBus)是一種速度相對(duì)較慢的雙線式...

2017-06-14

I2C PMBus 數(shù)據(jù)接口

下一代PFC解決方案：用GaN重新考慮功率密度

電力電子世界在1959年取得突破，當(dāng)時(shí)Dawon Kahng和MarTIn Atalla在貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）。首款商業(yè)MOSFET在五年后發(fā)布生產(chǎn)，從那時(shí)起，幾代MOSFET晶體管使電源設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)了雙極性早期產(chǎn)品不可能實(shí)現(xiàn)的性能和密度級(jí)別。

2017-06-13

氮化鎵功率密度

改進(jìn)型OTA模型優(yōu)化反饋補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)

運(yùn)算跨導(dǎo)放大器(OTA)產(chǎn)生跟差分輸入電壓成正比的電流源輸出。為了在OTA中提供強(qiáng)固的靜電放電(ESD)保護(hù)性能，OTA輸出與封裝引腳輸出之間的裸片上應(yīng)用了限流串聯(lián)保護(hù)電阻(RESD)及電壓鉗位。器件制造商將ESD保護(hù)電阻的影響忽略不計(jì)，在數(shù)據(jù)表中沒(méi)有介紹其參數(shù)。

2017-06-13

OTA模型化反饋補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò) 設(shè)計(jì)

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