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測試測量

匯聚產(chǎn)業(yè)精英 LED產(chǎn)業(yè)高峰會議將于3月在天津東麗召開

2010-03-10

匯聚產(chǎn)業(yè)精英 LED產(chǎn)業(yè)高峰會議將于3月在天津東麗召開

2015年全球3D電視出貨量將達(dá)7800萬臺

iSuppli公司預(yù)測，全球3D電視出貨量到2015年將從2010年的420萬臺猛增至7800萬臺，復(fù)合年增長率為80%。2015年3D電視的營業(yè)收入將從2010年的74億美元增長到643億美元，增長近八倍。

2010-03-10

3D電視消費(fèi)電子出貨量營業(yè)收入

分析師紛紛提高2010年半導(dǎo)體市場預(yù)測

Semiconductor International 全球1月半導(dǎo)體的銷售額數(shù)據(jù)出籠，讓分析師們的眼睛一亮，紛紛提高2010年的預(yù)測。為什么如此迫不及待，值得思考。

2010-03-10

半導(dǎo)體 iSuppli Gartner 電子產(chǎn)業(yè)

FAN3988：飛兆推出帶有檢測功能的過壓保護(hù)器件

飛兆半導(dǎo)體公司(Farichild Semiconductor) 為手機(jī)和手持移動產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員提供一款帶有高集成度過電壓保護(hù)(OVP)和USB/充電器檢測功能的器件FAN3988。

2010-03-10

FAN3988 飛兆保護(hù)器件 MOSFET

聯(lián)網(wǎng)消費(fèi)電子產(chǎn)品市場將劇增

In-Stat預(yù)計(jì)，2010年，在所有售出的數(shù)字電視中，大約40%將具備聯(lián)網(wǎng)功能。到2013年，全球使用中的這類聯(lián)網(wǎng)消費(fèi)電子設(shè)備將達(dá)5億臺。在2008年至2013年間，此類產(chǎn)品的銷售額年均復(fù)合增長率接近64%。

2010-03-10

聯(lián)網(wǎng) 消費(fèi)電子市場劇增

恩智浦半導(dǎo)體推出新一代高效率低VCEsat晶體管

這些晶體管稱為突破性小信號(BISS)晶體管，正如其名，它們?yōu)闇p少打開導(dǎo)通電阻確立了新的基準(zhǔn)，使開關(guān)時(shí)間減到絕對最小值。超低VCEsat 分支的晶體管在1 A時(shí)實(shí)現(xiàn)了50 mV的超低飽和電壓。4種新的高速開關(guān)晶體管使開關(guān)和存儲時(shí)間降低到125 ns。新型BISS-4產(chǎn)品表明，雙極晶體管技術(shù)為要求更高性能和降低...

2010-03-10

恩智浦新一代高效率低VCEsat 晶體管

IR推出行業(yè)首批商用氮化鎵集成功率級器件

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出行業(yè)首個(gè)商用集成功率級產(chǎn)品系列，采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率器件技術(shù)平臺。嶄新的iP2010和iP2011系列器件是為多相和負(fù)載點(diǎn) (POL) 應(yīng)用設(shè)計(jì)的，包括服務(wù)器、路由器、交換機(jī)，以及通用POL DC-DC轉(zhuǎn)換器。

2010-03-10

IR 商用集成氮化鎵功率級器件

恩智浦推出新一代高效率低VCEsat 晶體管

恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）近日宣布推出新第四代低VCEsat (BISS)晶體管的前8種產(chǎn)品。該產(chǎn)品家族分成兩種優(yōu)化的分支：超低VCEsat晶體管以及高速開關(guān)晶體管。其電壓范圍為20 V - 60 V，采用小型SMD封裝SOT23 (2.9 x 1.3 x 1 mm)和SOT457 (2.9 x 1.5 x 1 mm)。

2010-03-10

恩智浦 VCEsat 晶體管

iP2010/2011：IR率先推出行業(yè)首批商用氮化鎵集成功率級器件

2010-03-10

iP2010 iP2011 氮化鎵

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