- 電壓范圍為20 V - 60 V
- 采用小型SMD封裝SOT23和SOT457
- 滿足AEC-Q101標準，其封裝不含鹵化物和氧化銻
- 滿足UL 94V-0阻燃標準和RoHS標準
- 消費者應用、通信應用、計算應用和汽車應用中的負荷開關、開關式電源(SMPS)和電源管理
恩智浦半導體（NXP Semiconductors）近日宣布推出新第四代低VCEsat (BISS)晶體管的前8種產品。該產品家族分成兩種優(yōu)化的分支：超低VCEsat晶體管以及高速開關晶體管。其電壓范圍為20 V - 60 V，采用小型SMD封裝SOT23 (2.9 x 1.3 x 1 mm)和SOT457 (2.9 x 1.5 x 1 mm)。
這些晶體管稱為突破性小信號(BISS)晶體管，正如其名，它們?yōu)闇p少打開導通電阻確立了新的基準，使開關時間減到絕對最小值。超低VCEsat 分支的晶體管在1 A時實現(xiàn)了50 mV的超低飽和電壓。4種新的高速開關晶體管使開關和存儲時間降低到125 ns。新型BISS-4產品表明，雙極晶體管技術為要求更高性能和降低開關損耗的應用提供了理想選擇。
恩智浦半導體小信號晶體管產品市場經理Frank Thiele說，“通過推出采用杰出的低電阻基底技術的第四代BISS晶體管，恩智浦為采用小型SMD封裝的低VCEsat 晶體管確立了行業(yè)發(fā)展方向，為雙極晶體管技術打開了新的應用。”
新的BISS-4晶體管提供了高電路效率、低功率損耗，產生的熱量要小于相同封裝的標準晶體管。這些新產品的DC集電極電流為4.3 A (峰值 ICM 8 A)，采用小型SOT23封裝，其性能是采用SOT23的上一代低VCEsat 晶體管的兩倍。新的BISS-4晶體管是為大批量消費者應用、通信應用、計算應用和汽車應用中的負荷開關、開關式電源(SMPS)和電源管理功能設計的。
所有8種新型晶體管都滿足AEC-Q101標準，其封裝不含鹵化物和氧化銻，滿足UL 94V-0阻燃標準和RoHS標準。在2010年第一季度末即將推出的SMD封裝的其它類型SOT89、SOT223和SO-8，將擴大新的低VCEsat (BISS)晶體管系列。恩智浦半導體在10年前推出了BISS晶體管家族，目前是這些產品的領導供應商。
