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電路保護(hù)

六種常見(jiàn)的DC－DC升壓電路

電路中變壓器T可用晶體管收音機(jī)用的502型音頻輸出變壓器，次級(jí)作為升壓變壓器的初級(jí)，初級(jí)中間的抽頭不用，兩端抽頭作為升壓變壓器的次級(jí)。如果找不到合適的變壓器，也可以用收音機(jī)輸人輸出變壓器的硅鋼片自制，初級(jí)用直徑為0.25mm的高強(qiáng)度漆包線(xiàn)繞110匝，次級(jí)用直徑0.21mm的高強(qiáng)度漆包線(xiàn)繞520匝。...

2023-01-04

DC－DC升壓電路

開(kāi)關(guān)電源中的安規(guī)電容

這個(gè)器件的種類(lèi)，可以通過(guò)查看它上面的銘文來(lái)確定。?可以看到上面的標(biāo)識(shí)符為JNC， JY102M。?通過(guò)網(wǎng)絡(luò)查找該型號(hào)器件，?可以知道它屬于安規(guī)電容。?它的容量為1000pF，?耐壓為400V。?至于什么是“安規(guī)電容”，可以通過(guò)網(wǎng)絡(luò)查到相應(yīng)的說(shuō)明。??在這里就不再重復(fù)了。?總之，在這里它就是一個(gè)電容器件。

2022-12-30

開(kāi)關(guān)電源安規(guī)電容

為什么FeFET變得如此有趣？

隨著芯片制造商尋找新的選擇來(lái)維持驅(qū)動(dòng)電流，鐵電體正在接受認(rèn)真的重新考慮。鐵電材料可以提供非易失性存儲(chǔ)器，填補(bǔ) DRAM 和閃存之間的重要功能空白。事實(shí)上，用于存儲(chǔ)器的鐵電體和用于晶體管的 2D 溝道是最近 IEEE 電子設(shè)備會(huì)議的兩個(gè)亮點(diǎn)。

2022-12-30

FeFET 鐵電體存儲(chǔ)器

TVS在汽車(chē)拋負(fù)載應(yīng)用選型設(shè)計(jì)

TVS作為浪涌抑制器，其應(yīng)用涉及到通信與電源回路的方方面面，因?yàn)樘^(guò)普遍，很多應(yīng)用都是參考或延用過(guò)往設(shè)計(jì)，只知其保護(hù)效果而不知其根源，本章通過(guò)對(duì)于拋負(fù)載TVS選型計(jì)算展開(kāi)分析，為新項(xiàng)目設(shè)計(jì)提供思路，該計(jì)算方式同樣適用于工業(yè)TVS選型應(yīng)用。

2022-12-30

TVS 汽車(chē)拋負(fù)載選型

雙柵結(jié)構(gòu) SiC FETs 在電路保護(hù)中的應(yīng)用

據(jù)介紹，Qorvo 是一家專(zhuān)注于射頻領(lǐng)域，在包括 5G、WiFi 和 UWB 等通信技術(shù)都有投入的公司。此外，Qorvo 在觸控和電源等方面也有布局。如在 2021 年領(lǐng)先碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商 UnitedSiC 公司的收購(gòu)，就擴(kuò)展 Qorvo 在高功率應(yīng)用方面的市場(chǎng)機(jī)會(huì)，這部分業(yè)務(wù)也被納入了 Qorvo 的 IDP 部門(mén)。

2022-12-28

雙柵結(jié)構(gòu) SiC FETs 電路保護(hù)

擴(kuò)大40年期電源電壓范圍，從<300uA到3A無(wú)電阻電流檢測(cè)解決方案

測(cè)量系統(tǒng)中的電流是監(jiān)測(cè)系統(tǒng)狀態(tài)的一種基本而有效的工具。隨著科技發(fā)展，電子或電氣系統(tǒng)在性能提升的同時(shí)，物理尺寸大大縮小，并降低了功耗和成本。每個(gè)電子設(shè)備都在監(jiān)測(cè)自己的健康和狀態(tài)，而這些診斷提供了管理系統(tǒng)所需的重要信息，甚至決定了其未來(lái)的設(shè)計(jì)升級(jí)。

2022-12-28

電源電壓無(wú)電阻電流檢測(cè)

氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)專(zhuān)利：RC負(fù)偏壓關(guān)斷技術(shù)之松下篇

松下與英飛凌曾共同研發(fā)了增強(qiáng)型GaN GIT功率器件，兩家公司都具有GaN GIT功率器件的產(chǎn)品。對(duì)于其柵極驅(qū)動(dòng)IC，如上期所介紹的，英飛凌對(duì)其GaN EiceDRIVER? IC已布局有核心專(zhuān)利；而松下在這一技術(shù)方向下也是申請(qǐng)了不少專(zhuān)利，其中就包括采用RC電路的負(fù)壓關(guān)斷方案。

2022-12-22

氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng) RC負(fù)偏壓關(guān)斷技術(shù)

簡(jiǎn)述SiC MOSFET短路保護(hù)時(shí)間

IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力，也就是說(shuō)，在一定的短路耐受時(shí)間（short circuit withstand time SCWT），只要器件短路時(shí)間不超過(guò)這個(gè)SCWT，器件基本上是安全的（超大電流導(dǎo)致的寄生晶閘管開(kāi)通latch up除外，本篇不討論）。

2022-12-22

SiC MOSFET 短路保護(hù)時(shí)間

PCI－Express總線(xiàn)接口的布線(xiàn)規(guī)則

PCIE是一種典型的串行總線(xiàn)，本文是針對(duì)PCI-E接口的布線(xiàn)規(guī)則，這些規(guī)則是很多芯片廠(chǎng)商的設(shè)計(jì)指導(dǎo)，也是很多老工程師耳熟能詳?shù)慕鹂朴衤伞?/p>

2022-12-21

PCI－Express 總線(xiàn)接口

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氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)專(zhuān)利：RC負(fù)偏壓關(guān)斷技術(shù)之松下篇

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