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電路保護(hù)

LCP12 IC：意法半導(dǎo)體引領(lǐng)市場(chǎng)率先推出先進(jìn)電信保護(hù)芯片

橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST）在移動(dòng)寬帶通信設(shè)備保護(hù)技術(shù)領(lǐng)域取得重大進(jìn)展，推出業(yè)界首款符合未來(lái)產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的保護(hù)芯片，在電信市場(chǎng)上樹立了更加嚴(yán)格的電涌防護(hù)標(biāo)準(zhǔn)。全新晶閘管陣列率先符合中國(guó)未來(lái)的用戶線路接口卡尖塞和鈴流端口保護(hù)標(biāo)準(zhǔn)。

2012-04-05

LCP12 IC 意法半導(dǎo)體電信保護(hù)芯片

LLP2510：Vishay推出新款4線總線端口保護(hù)陣列

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用新型超小尺寸LLP2510封裝的新款4線ESD保護(hù)陣列---VBUS54ED-FBL。VBUS54ED-FBL的占位面積只有2.5mmx1.0mm，高度低至0.55mm，其低電容和低泄漏電流的特性可以保護(hù)高速信號(hào)線免受瞬態(tài)電壓信號(hào)的損害。

2012-04-05

LLP2510 Vishay 總線端口保護(hù)陣列

針對(duì)斷路器失靈保護(hù)問(wèn)題的分析

斷路器失靈保護(hù)是指故障電氣設(shè)備的繼電保護(hù)動(dòng)作發(fā)出跳閘命令而斷路器拒動(dòng)時(shí)，利用故障設(shè)備的保護(hù)動(dòng)作信息與拒動(dòng)斷路器的電流信息構(gòu)成對(duì)斷路器失靈的判別，能夠以較短的時(shí)限切除同一廠站內(nèi)其他有關(guān)的斷路器，使停電范圍限制在最小，從而保證整個(gè)電網(wǎng)的穩(wěn)定運(yùn)行，避免造成發(fā)電機(jī)、變壓器等故障元件的...

2012-04-01

斷路器失靈保護(hù) 繼電器

探討運(yùn)算放大器輸出相位反轉(zhuǎn)和輸入過(guò)壓保護(hù)

　超過(guò)輸入共模電壓（CM）范圍時(shí)，某些運(yùn)算放大器會(huì)發(fā)生輸出電壓相位反轉(zhuǎn)問(wèn)題。其原因通常是運(yùn)算放大器的一個(gè)內(nèi)部級(jí)不再具有足夠的偏置電壓而關(guān)閉，導(dǎo)致輸出電壓擺動(dòng)到相反電源軌，直到輸入重新回到共模范圍內(nèi)為止。圖1所示為電壓跟隨器的輸出相位反轉(zhuǎn)情況。注意，輸入可能仍然在電源電壓軌內(nèi)，只不...

2012-03-31

運(yùn)算放大器輸出相位輸入過(guò)壓保護(hù)

數(shù)字電容隔離器的磁場(chǎng)抗擾度

數(shù)字電容隔離器的應(yīng)用環(huán)境通常包括一些大型電動(dòng)馬達(dá)、發(fā)電機(jī)以及其他產(chǎn)生強(qiáng)電磁場(chǎng)的設(shè)備。暴露在這些磁場(chǎng)中，可引起潛在的數(shù)據(jù)損壞問(wèn)題，因?yàn)殡妱?shì)（EMF，即這些磁場(chǎng)形成的電壓）會(huì)干擾數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸。由于存在這種潛在威脅，因此許多數(shù)字隔離器用戶都要求隔離器具備高磁場(chǎng)抗擾度 (MFI)。許多數(shù)字隔...

2012-03-30

數(shù)字電容隔離器磁場(chǎng)抗擾度

晶閘管整流器全關(guān)斷檢測(cè)電路的設(shè)計(jì)

本文提出并介紹了歐姆邏輯無(wú)環(huán)流檢測(cè)的一種方案——晶閘管整流器全關(guān)斷檢測(cè),并與軟件檢測(cè)和電流互感器檢測(cè)進(jìn)行比較分析,最終得出晶閘管全關(guān)斷檢測(cè)方案準(zhǔn)確可行的結(jié)論。全關(guān)斷的輸出信號(hào)與上述兩種信號(hào)進(jìn)行綜合利用,從而準(zhǔn)確可靠地實(shí)現(xiàn)了歐姆的邏輯無(wú)環(huán)流控制。

2012-03-29

晶閘管整流器檢測(cè)電路直流傳感器

SESDX：TE電路保護(hù)部推出硅靜電放電保護(hù)器件

TE Connectivity旗下的一個(gè)業(yè)務(wù)部門TE電路保護(hù)部日前發(fā)布一個(gè)系列8款全新的單/多通道硅靜電放電（SESD）保護(hù)器件，可提供市場(chǎng)上最低的電容（雙向：典型值為0.10pF，單向：典型值為0.20pF）、最高的ESD保護(hù)（20kV空氣放電和接觸放電）和最小尺寸封裝（多通道：最小的直通外形尺寸、厚度為0.31mm）。

2012-03-29

SESDX TE 電路保護(hù) 硅靜電放電

針對(duì)射頻設(shè)計(jì)熱問(wèn)題的處理

熱量管理是所有電路設(shè)計(jì)人員都關(guān)心的一個(gè)問(wèn)題，特別是針對(duì)大信號(hào)時(shí)。在射頻/微波電路中，大信號(hào)常見(jiàn)于功率放大器和系統(tǒng)發(fā)送端元件。不管是連續(xù)波（CW）信號(hào)還是脈沖信號(hào)，如果產(chǎn)生的熱量得不到有效疏導(dǎo)，它們都將導(dǎo)致印制電路板（PCB）上和系統(tǒng)中的熱量積聚。對(duì)電子設(shè)備來(lái)說(shuō)，發(fā)熱意味著工作壽命的...

2012-03-28

射頻設(shè)計(jì) 熱問(wèn)題

LVB125：TE為嚴(yán)苛環(huán)境應(yīng)用推出可復(fù)位LVR器件

TE Connectivity旗下的業(yè)務(wù)部門TE電路保護(hù)部日前宣布：推出全新的LVB125器件以顯著提升其廣受歡迎的PolySwitch? LVR額定線電壓產(chǎn)品線。LVB125器件采用了一種獨(dú)特的“塑料盒”封裝，可為在裝配方式中使用了化合物灌封或密封化合物的產(chǎn)品提供可復(fù)位電路保護(hù)，可包括嚴(yán)酷環(huán)境應(yīng)用中的電源、變壓器、工業(yè)...

2012-03-26

LVB125 TE 電路保護(hù)

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