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電路保護(hù)

選擇合適的ESD保護(hù)元件有多重要？

為防止ESD（靜電放電）導(dǎo)致電子設(shè)備失靈或故障，需要采取適當(dāng)?shù)姆漓o電措施。對(duì)于線路應(yīng)用，通常采用直接貼裝元件，如果未選擇合適的防靜電配件，正常運(yùn)行期間的線路信號(hào)會(huì)受到干擾，其中包括各種具有高速和差分信號(hào)的通信線路，比如車載通信CAN（控制器局域網(wǎng)）、車載以太網(wǎng)等。靜電放電通常會(huì)對(duì)上...

2024-04-10

ESD保護(hù)元件

電壓比較器的工作區(qū)域及工作原理

電壓比較器通常由集成運(yùn)放構(gòu)成，與普通運(yùn)放電路不同的是，比較器中的集成運(yùn)放大多處于開環(huán)或正反饋的狀態(tài)。只要在兩個(gè)輸入端加一個(gè)很小的信號(hào)，運(yùn)放就會(huì)進(jìn)入非線性區(qū)，屬于集成運(yùn)放的非線性應(yīng)用范圍。在分析比較器時(shí)，虛斷路原則仍成立，虛短及虛地等概念僅在判斷臨界情況時(shí)才適應(yīng)。

2024-04-10

電壓比較器

【做信號(hào)鏈，你需要了解的高速信號(hào)知識(shí)（三）】高速的挑戰(zhàn) – 傳輸鏈路的損耗和均衡

高速總線升級(jí)迭代的矛盾在于，消費(fèi)者對(duì)性能的需求驅(qū)動(dòng)著信號(hào)速率成倍的增長，消費(fèi)者對(duì)便捷性的需求使得傳輸線無法縮短，消費(fèi)者對(duì)低成本的追求要求PCB板材和傳輸線不能太貴，這就導(dǎo)致ISI抖動(dòng)變得越來越嚴(yán)重。均衡(Equalization)就是為了應(yīng)對(duì)ISI抖動(dòng)，而被廣泛應(yīng)用的黑科技。既然ISI抖動(dòng)的根源，是傳...

2024-04-08

信號(hào)鏈高速信號(hào) 傳輸鏈路

軟件可配置模擬I／O的設(shè)計(jì)理念

在快速發(fā)展的工業(yè)電子領(lǐng)域，軟件可配置模擬 I/O 器件的開發(fā)為系統(tǒng)設(shè)計(jì)和運(yùn)行帶來了前所未有的多功能性和效率。Analog Devices 的 MAX22000 就是一個(gè)很好的實(shí)例，它提供了一個(gè)多面的模擬信號(hào)處理方法，可按需重新配置，以適應(yīng)各種應(yīng)用。

2024-04-07

軟件模擬I／O

測試共源共柵氮化鎵 FET

Cascode GaN FET 比其他類型的 GaN 功率器件更早進(jìn)入市場，因?yàn)樗梢蕴峁┏ｊP(guān)操作并具有更寬的柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍。然而，電路設(shè)計(jì)人員發(fā)現(xiàn)該器件在實(shí)際電路中使用起來并不那么容易，因?yàn)樗苋菀装l(fā)生振蕩，并且其器件特性很難測量并獲得可重復(fù)的提取。許多設(shè)計(jì)人員在電路中使用大柵極電阻時(shí)必須減慢...

2024-04-07

測試共源氮化鎵 FET

P溝道功率MOSFETs及其應(yīng)用

Littelfuse P溝道功率MOSFETs，雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名，在傳統(tǒng)的應(yīng)用范圍也較有限，然而，隨著低壓（LV）應(yīng)用需求的增加， P溝道功率MOSFET的應(yīng)用范圍得到拓展。高端側(cè)（HS）應(yīng)用P溝道的簡易性使其對(duì)低壓變換器（<120V）和非隔離的負(fù)載點(diǎn)更具吸引力。

2024-04-07

功率MOSFETs

關(guān)于高速電路中的AC耦合電容

在很多高速串行信號(hào)中，都會(huì)使用到AC耦合電容，既然在設(shè)計(jì)高速串行電路時(shí)，任何一個(gè)小小的不同都會(huì)引起信號(hào)完整性問題，為什么要在串行鏈路中加入一個(gè)AC耦合電容呢？這個(gè)電容不僅會(huì)導(dǎo)致信號(hào)邊沿變得緩慢，還有可能會(huì)引起阻抗不連續(xù)。

2024-04-04

高速電路 AC耦合電容

汽車區(qū)域控制器架構(gòu)趨勢下，這三類的典型電路設(shè)計(jì)正在改變

汽車市場正在轉(zhuǎn)向區(qū)域控制器架構(gòu)的趨勢方向，而汽車區(qū)域控制器架構(gòu)正朝著分布式、集成化、智能化的方向發(fā)展，以實(shí)現(xiàn)更高效的數(shù)據(jù)處理、功能整合與自動(dòng)駕駛支持。基于區(qū)域控制器架構(gòu)帶來很多設(shè)計(jì)的機(jī)會(huì)與挑戰(zhàn)，例如SmartFET正越來越多替代傳統(tǒng)的MOSFET器件。

2024-04-04

汽車控制器電路設(shè)計(jì)

意法半導(dǎo)體公布了新系列100V溝槽肖特基整流二極管以提高效率和功率密度

隨著低開關(guān)損耗的寬禁帶半導(dǎo)體等技術(shù)的廣泛應(yīng)用，設(shè)計(jì)人員開始提高功率轉(zhuǎn)換器的工作頻率，不斷刷新功率密度。不過，當(dāng)開關(guān)頻率變得更高時(shí)，用作整流器的傳統(tǒng)平面二極管(包括硅肖特基器件)的能量損耗也會(huì)隨之變大，嚴(yán)重限制了轉(zhuǎn)換能效的改進(jìn)。意法半導(dǎo)體推出可提升高開關(guān)頻率功率轉(zhuǎn)換器能效的100V溝...

2024-04-03

意法半導(dǎo)體肖特基整流二極管

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