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電路保護

IC集成能讓相控陣技術發(fā)展到什么地步？

半導體技術的進步推動了相控陣天線在整個行業(yè)的普及。早在幾年前，防務應用中已經開始出現從機械轉向天線到有源電子掃描天線 (AESA) 的轉變，但直到最近，才在衛(wèi)星通信和5G通信中取得快速發(fā)展。小型AESA具有多項優(yōu)勢，包括能夠快速轉向、生成多種輻射模式、具備更高的可靠性；但是，在IC技術取得重...

2020-12-08

IC集成相控陣技術

圣邦微電子同步降壓轉換器SGM61230，為抗擊極限過載而生

SGM61230是圣邦微電子推出的一顆輸入電壓4.5V至28V、連續(xù)輸出電流3A的同步降壓轉換器，包括兩個集成開關場效應管、內部回路補償和內部5ms軟啟動，有效減少元件使用數量。跳頻模式用來實現最大化輕載效率和降低功率損耗；66mΩ高側N溝道MOSFET的逐周期電流限制功能可以保護過載條件下的轉換器，并通過...

2020-12-04

圣邦微同步降壓轉換器 SGM61230 極限過載

隔離式柵極驅動器的峰值電流

當考慮使用何種柵極驅動器時，一個常見問題是：驅動器可以提供的峰值電流是多少？峰值電流是柵極驅動器數據手冊中最重要的參數之一。此指標一般被視為決定柵極驅動器驅動強度的終極因素。MOSFET/IGBT的導通、關斷時間與柵極驅動器可以提供的電流有關，但并不能說明全部問題。峰值電流一詞在業(yè)界使用...

2020-12-02

隔離式柵極驅動器峰值電流

用碳化硅MOSFET如何設計雙向降壓-升壓轉換器？

電池供電的便攜設備越來越多，在今日生活中扮演的角色也越來越重要。這個趨勢還取決于高能量儲存技術的發(fā)展，例如鋰離子(Li-ion)電池和超級電容器。

2020-12-01

碳化硅MOSFET 雙向降壓-升壓轉換器

雙電壓整流電路設計，IGBT模塊適用于整流電路嗎？

不用兩個整流橋。用一個即可，把2個18伏交流接到整流橋的交流輸入端，把變壓器抽頭0伏接地線（線路板的地線），整流橋直流輸出+ -端接電容器濾波，電容器2個串聯之后正極接整流橋正極+，電容器負極接整流橋負極-，2個串聯的電容器中間引出一根線接地線，也就是雙18伏交流的抽頭，這樣就可以在直流輸...

2020-11-26

雙電壓整流電路 IGBT模塊整流電路

在5G世界中將高精度時間分配給光網絡

移動運營商正在LTE-Advanced網絡和5G網絡的部署領域大力投資，這將為蜂窩通信和連接帶來重大變革。不過，他們面臨著巨大的風險：通過這些網絡提供的高性能移動服務非常依賴于GPS和其他被稱為全球導航衛(wèi)星系統(tǒng)（GNSS）的其他類似區(qū)域性星座提供的精確時間，以便同步無線電、支持新應用并最大程度地減...

2020-11-26

光網絡 5G

智能汽車對組件的設計都有哪些要求？

隨著汽車工業(yè)的不斷演變，車輛的智能化全球道路上不斷發(fā)展。從內燃機驅動到混合動力和全電動驅動的轉變需要越來越新、越來越復雜的組件，比如先進駕駛員輔助系統(tǒng)中（如自動泊車，或在行駛中跟隨其他車輛的能力）的一系列應用。如何靈活地為新興汽車系統(tǒng)開發(fā)解決方案是一個關鍵問題，因此，汽車制造...

2020-11-25

智能汽車組件設計

碳化硅功率模塊及電控的設計、測試與系統(tǒng)評估

碳化硅功率半導體近年來在能源轉換應用中正在成為一個熱門的話題：由于材料屬性，使得它具有比硅基半導體器件更高的最大結溫、更小的損耗，以及更小的材料熱阻系數等。

2020-11-25

碳化硅功率模塊電控設計

如何降低電路“熱回路”影響，實現低 EMI 高效電源器件設計

隨著電子元器件向小型化、輕量化、數字化和高密度集成化方向發(fā)展，靈敏度越來越高，為此國際組織提出了一系列技術規(guī)章，要求電子產品符合嚴格的磁化系數和發(fā)射準則，即具有電磁兼容性EMC。本文以ADI器件為例，介紹如何通過控制電路熱回路以降低器件EMI并符合EMC標準的電路設計參考思路。

2020-11-24

熱回路 EMI 電源器件

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