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互連技術(shù)

為什么超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心要選用SiC MOSFET？

如今，數(shù)據(jù)中心迫切需要能夠高效轉(zhuǎn)換電能的功率半導(dǎo)體，以降低成本并減少排放。更高的電源轉(zhuǎn)換效率意味著發(fā)熱量減少，從而降低散熱成本。

2024-12-28

數(shù)據(jù)中心 SiC MOSFET

如何通過基本描述找到需要的電容？

本文介紹了電容的基本描述，包含了其類型、尺寸、容值、容差和額定電壓。了解這些參數(shù)可以幫助你準(zhǔn)確地選擇和訂購所需的電容元件。

2024-12-28

電容

低功耗嵌入式設(shè)計(jì)簡介

當(dāng)產(chǎn)品主要設(shè)計(jì)用于電池供電時(shí)，一切都會(huì)發(fā)生變化。小型電池存儲(chǔ)的能量非常有限，但消費(fèi)者想要非常緊湊（讀作“對(duì)于大尺寸電池來說太小”）并且不需要充電的高性能（讀作“高功率”）設(shè)備每二十分鐘。設(shè)計(jì)師要做什么？

2024-12-28

嵌入式設(shè)計(jì)

NeuroBlade在亞馬遜EC2 F2 實(shí)例上加速下一代數(shù)據(jù)分析

數(shù)據(jù)分析加速領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者NeuroBlade宣布其已經(jīng)與亞馬遜云科技（AWS）最新發(fā)布的Amazon Elastic Compute Cloud (Amazon EC2) F2實(shí)例實(shí)現(xiàn)集成，該實(shí)例采用了AMD FPGA與EPYC CPU技術(shù)。此次合作通過NeuroBlade創(chuàng)新的數(shù)據(jù)分析加速技術(shù)，為云原生數(shù)據(jù)分析工作負(fù)載帶來了前所未有的性能和效率。

2024-12-27

NeuroBlade

2025存儲(chǔ)前瞻：用存儲(chǔ)加速AI，高性能SSD普適化

縱觀2024年，存儲(chǔ)技術(shù)升級(jí)已經(jīng)給AI計(jì)算、云端應(yīng)用帶來了諸多便利，從年初鎧俠首款量產(chǎn)車規(guī)級(jí)UFS 4.0推動(dòng)行業(yè)發(fā)展，到RM、PM和XG系列SSD與HPE攜手登陸國際空間站，再到推出容量高達(dá)2Tb的第八代BiCS FLASH? QLC，展示下一代前瞻性的光學(xué)結(jié)構(gòu)SSD，鎧俠與合作伙伴一起，不僅滿足了時(shí)下的存儲(chǔ)應(yīng)用需求，...

2024-12-27

高性能SSD

熱烈祝賀 Andrew MENG 晉升為 ASEAN（東盟）市場經(jīng)理！

我們非常高興地宣布，Micro Crystal 瑞士微晶中國臺(tái)灣銷售與市場經(jīng)理 Andrew MENG 榮升為 ASEAN（以下簡稱為東盟）市場經(jīng)理！這一重要晉升不僅是對(duì) Andrew 在職業(yè)生涯中卓越表現(xiàn)的高度認(rèn)可，也是 Micro Crystal 瑞士微晶全力布局東盟市場的重要一步。

2024-12-26

ASEAN

邁向更綠色的未來：GaN技術(shù)的變革性影響

過去幾十年間，人口和經(jīng)濟(jì)活動(dòng)的快速增長推動(dòng)了全球能源消耗的穩(wěn)步增長，并且預(yù)計(jì)這一趨勢(shì)還將持續(xù)。這種增長是線下與線上活動(dòng)共同作用的結(jié)果。因此，數(shù)據(jù)中心的快速擴(kuò)張顯著增加了全球電力需求。據(jù)估計(jì)，2022年全球數(shù)據(jù)中心耗電量約為240-340太瓦時(shí)（TWh）。近年來，全球數(shù)據(jù)中心的能源消耗以每年2...

2024-12-26

GaN技術(shù)

集成電阻分壓器如何提高電動(dòng)汽車的電池系統(tǒng)性能

在現(xiàn)代電動(dòng)汽車 (EV) 和混合動(dòng)力汽車 (HEV) 中，電池管理系統(tǒng) (BMS) 是電池包的大腦，負(fù)責(zé)確保電池的性能、安全性和壽命。BMS 可監(jiān)控多個(gè)參數(shù)，如充電狀態(tài)和健康狀態(tài)，充電狀態(tài)能提供可用的剩余能量，健康狀態(tài)能評(píng)估電池電芯的整體狀況和老化程度。這些指標(biāo)有助于維持高效能源使用并延遲電池的過早...

2024-12-26

集成電阻電動(dòng)汽車電池系統(tǒng)

精準(zhǔn)監(jiān)測(cè)電離分?jǐn)?shù)與沉積通量，助力PVD/IPVD工藝與涂層質(zhì)量雙重提升

在物理氣相沉積（PVD）和電離物理氣相沉積（IPVD）領(lǐng)域，精確監(jiān)測(cè)沉積通量和電離分?jǐn)?shù)對(duì)于優(yōu)化工藝參數(shù)和涂層質(zhì)量至關(guān)重要。

2024-12-25

瑞典Ionautics lonMeter

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