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能源電力

詳解開關(guān)電源嘯叫的原因

測(cè)試開關(guān)電源或在實(shí)驗(yàn)中有聽到類似產(chǎn)品打高壓不良的漏電聲響或高壓拉弧的聲音或大或小，或時(shí)有時(shí)無，其韻律或深沉或刺耳，或變化無常者皆有。

2013-01-10

開關(guān)電源嘯叫大電流

詳解貼片鉭電容的頻率特性

貼片鉭電容的頻率特性分析。鉭電容器的電容隨溫度變化而發(fā)生變化。這種變化本身就是一個(gè)小的程度上依賴額定電壓和電容的大小。

2013-01-10

貼片鉭電容頻率特性能量損耗

三星與Synopsys攜手，14納米FinFET流片首次成功實(shí)現(xiàn)

FinFET晶體管可以實(shí)現(xiàn)更低的功耗和更高的器件性能，但是它們也同時(shí)帶來了嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)，三星與Synopsys合作實(shí)現(xiàn)首次14納米FinFET成功流片，同時(shí)雙方圍繞Synopsys IP、設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)以及提取和簽核工具等領(lǐng)域進(jìn)行合作。

2013-01-10

三星 Synopsys FinFET晶體管

適用于升壓轉(zhuǎn)換器、低功率逆變器的功率MOSFET

Vishay 率先推出PowerPAK SC-75和SC-70封裝的功率MOSFET，器件的超小PowerPAK SC-75和PowerPAK SC-70封裝可在這些應(yīng)用中節(jié)省PCB空間，其低導(dǎo)通電阻可實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻，從而降低能源消耗，提高效率。

2013-01-10

功率MOSFET 轉(zhuǎn)換器逆變器

一種智能高頻開關(guān)電源系統(tǒng)的改造設(shè)計(jì)

變電站內(nèi)的繼電保護(hù)、自動(dòng)裝置、信號(hào)裝置、事故照明和電氣設(shè)備的遠(yuǎn)距離操作，一般采取直流電源，所以直流電源的輸出質(zhì)量及可靠性直接關(guān)系到變電站的安全運(yùn)行和平穩(wěn)供電。

2013-01-09

智能高頻開關(guān)電源

具有較好EMC性能的直流不間斷電源系統(tǒng)

本文所介紹的直流不間斷電源系統(tǒng)可靠性高，具有較好的EMC性能，電池檢測(cè)方案簡(jiǎn)易，控制操作方便，剩余時(shí)間的預(yù)測(cè)方法簡(jiǎn)單實(shí)用，軟硬件的設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單而靈活。通過在變電站現(xiàn)場(chǎng)使用的情況看來，效果很好

2013-01-09

EMC 直流不間斷電源系統(tǒng)

淺談關(guān)于XY?CN總線通信系統(tǒng)的電源設(shè)計(jì)

總線電壓在12～36 V范圍系統(tǒng)均能正常工作，對(duì)不同的應(yīng)用可選用不同的工作電壓，本文將全面論述其系統(tǒng)的電源設(shè)計(jì)原理及方法。

2013-01-09

XY?CN總線通信系統(tǒng) 電源

一種WEDM用雙管正激交錯(cuò)并聯(lián)結(jié)構(gòu)的DC/DC變換器設(shè)計(jì)

本文討論了一種WEDM用雙管正激交錯(cuò)并聯(lián)結(jié)構(gòu)的DC/DC變換器設(shè)計(jì)方案，其采用并聯(lián)結(jié)構(gòu)，功率管工作在同樣頻率下，但輸出電壓頻率提高了一倍。

2013-01-09

WEDM 雙管正激交錯(cuò)并聯(lián)結(jié)構(gòu) DC/DC變換器

2012整體電子零組件產(chǎn)值僅比2011年微增1.7%

2012年，雖然移動(dòng)終端是熱門，但是并未給電子零組件行業(yè)帶來多少“溫暖”，2012整體電子零組件產(chǎn)值達(dá)新臺(tái)幣8,504億元的市場(chǎng)規(guī)模，比2011年僅微幅成長(zhǎng)1.7%，全球景氣與消費(fèi)力道仍然持續(xù)低迷。

2013-01-09

電子零組件 IEK ITIS 終端應(yīng)用

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