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能源電力

可實現(xiàn)更高系統(tǒng)效率及更小系統(tǒng)尺寸的碳化硅MOSFET

科銳宣布量產(chǎn)第二代碳化硅MOSFET器件。相對于同等成本的基于硅器件的系統(tǒng)，科銳新型碳化硅MOSFET器件可實現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率及更小的系統(tǒng)尺寸，可為OEM廠商帶來更低的系統(tǒng)成本。

2013-03-25

系統(tǒng)效率系統(tǒng)尺寸碳化硅MOSFET

突破傳統(tǒng)的IGBT系統(tǒng)電路保護設(shè)計

目前，在使用和設(shè)計IGBT的過程中，基本上都是采用粗放式的設(shè)計模式——所需余量較大，系統(tǒng)龐大，但仍無法抵抗來自外界的干擾和自身系統(tǒng)引起的各種失效問題。本文將突破傳統(tǒng)的保護方式，探討IGBT系統(tǒng)電路保護設(shè)計的解決方案。

2013-03-25

IGBT 電路設(shè)計電路保護

五種交流電容器常用的檢測方法

作為電路設(shè)計中最常用的器件之一的電容器，應(yīng)用十分廣泛，例如，用于提高感性負載功率因數(shù)的移相電容器，用于單相異步電動機的啟動電容器，用于交流接觸器無聲遠行中的降壓電容器等等。它既是最常用的電器元件，也是容易損壞的電器元件，在沒有特殊儀表儀器的情況下檢測電容器的好壞，可用以幾種方法。

2013-03-25

交流電容電容器檢測方法

0V~500V、10mA敏感的模擬電路的線性電源選擇

開關(guān)電源技術(shù)已經(jīng)成為現(xiàn)代電源的首要選擇，它可以實現(xiàn)從主電源獲得所需的輸出電壓。但是，其通常伴有較高的噪聲，不能用于敏感的模擬電路。這些情況下，最佳的選擇還是線性電源。

2013-03-24

模擬電路線性電源開關(guān)電源

電力系統(tǒng)二次自動化設(shè)備的電磁兼容問題

電力系統(tǒng)二次自動化設(shè)備是電力系統(tǒng)運行設(shè)備的一個部分，在討論其電磁兼容問題時，不應(yīng)該把它孤立地作為一個電子設(shè)備來進行，而要結(jié)合電力系統(tǒng)的電磁環(huán)境進行綜合、全面地考慮。

2013-03-23

電力系統(tǒng)二次自動化設(shè)備電磁兼容

降低開關(guān)電源噪聲用于高靈敏度的模擬電路

開關(guān)電源的特征就是產(chǎn)生強電磁噪聲，若不加嚴格控制，將產(chǎn)生極大的干擾。為了保護開關(guān)管免受由于寄生參數(shù)等因素引起的振蕩尖峰電壓的沖擊常需要阻尼，阻尼器連到有問題的線圈上，這也可以減小發(fā)射。

2013-03-22

開關(guān)電源高靈敏度模擬電路

應(yīng)用在電源管理中的肖特基二極管

很多設(shè)計都采用一個轉(zhuǎn)換器設(shè)計（網(wǎng)絡(luò)）工具推薦的二極管。這并非總是二極管的最優(yōu)選擇。本文將探討一些在選擇正確的二極管時應(yīng)仔細考慮的典型參數(shù)，以及如何應(yīng)用這些參數(shù)來快速確定選型的正確與否。

2013-03-22

電源管理肖特基二極管熱逃逸

變壓器過電壓抑制介紹

變壓器因雷電過電壓造成的事故還時有發(fā)生，提出將高頻磁環(huán)并聯(lián)阻尼電阻后串接在線路的適當位置來抑制變電站變壓器雷電過電壓的方法，通過振蕩回路的試驗和仿真建立了高頻磁環(huán)的EMTP仿真計算模型。

2013-03-22

變壓器過電壓抑制

可將元件損失降低50%的肖特基勢壘二極管

東芝將量產(chǎn)SiC制肖特基勢壘二極管，可將元件損失降低50%以上。新產(chǎn)品可用于服務(wù)器電源、光伏發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器等用途，新產(chǎn)品的反向重復(fù)峰值電壓VRRM為650V，平均正向電流IFM為12A，正向電壓VF為1.7V，反向重復(fù)峰值電流IRRM為90μA。

2013-03-22

肖特基勢壘二極管損耗量產(chǎn)

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