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能源電力

SICK推出電容式接近開關CM12

CM12電容式接近開關針對各種非金屬測量應用進行了優(yōu)化，其外殼尺寸為直徑12mm，但檢測距離卻能達8mm，節(jié)省了安裝空間之余還拓寬了其應用范圍。

2013-05-16

電容

無線集抄技術前景一片光明

微處理器芯片作為智能化電能表的“心臟”，近幾年隨著應用范圍的擴大，其技術水平也在不斷地提升，極大地促進了智能抄表的應用。隨著無線通信技術在自動抄表系統(tǒng)及智能電網中的應用，無線抄表技術得到很好的發(fā)展。

2013-05-16

無線集抄

智能電表發(fā)展態(tài)勢強勁

智能電表作為新一代電能表，除了具備電能計量的基本功能外，還擁有用電信息存儲、遠程采集、信息交互等功能。相較于原有的卡式表和機械式表，智能電表使用戶購電更方便、用電更明白、生活更低碳。各種優(yōu)勢使智能電表受到我國社會各界的熱捧。

2013-05-16

智能電表

高性能電解電容器是LED長壽命的保障

LED是一種壽命極長的電光源，其使用壽命可以達到10萬小時。但是，在實際應用中，LED的壽命并不能達到理想的長度，有的甚至使用不到一年就已經損壞。究其原因，鋁電解電容器是導致LED驅動電路壽命達不到要求的關鍵元素。如果能做出長壽命電解電容器，使電解電容器的壽命與LED壽命基本相同。那么，電...

2013-05-16

電解電容

安森美推出降低30%開關損耗的截止型IGBT器件

近日，安森美半導體推出新的第二代場截止型(FSII)IGBT器件，降低開關損耗達30%，因而提供更高能效，并轉化為更低的外殼溫度，為設計人員增強系統(tǒng)總體性能及可靠性的選擇。這些新器件針對目標應用進行了優(yōu)化，相比現(xiàn)有器件能降低外殼溫度達20%。

2013-05-16

安森美 IGBT 開關損耗

孰優(yōu)孰劣:氮化鎵場效應晶體管VS硅功率器件?

工程師常常認為當應用需要更高電壓時，使用氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET)在性能方面才更具優(yōu)勢。但是，如果只是考慮開關品質因數(shù)，相比先進的MOSFET器件，200V的eGaN FET器件的優(yōu)勢好像減弱了。GaN場效應晶體管與硅功率器件中低壓降壓轉換器應用中的性能到底怎樣？且聽本文細細分解。

2013-05-16

氮化鎵場效應晶體管硅功率器件

僅有120ns最大傳播延遲的門驅動光電耦合器

近日，Avago Technologies推出二組新高速門驅動光電耦合器產品ACPL-P/W345和ACPL-P/W346，這些器件在設計上為用來保護和驅動功率MOSFET或碳化硅MOSFET的1A和2.5A門驅動光電耦合器，適合如變頻器、電機控制和開關電源(SPS)等高頻率應用。相較于Avago前一代產品，ACPL-P/W345和ACPL-P/W346在傳播延遲...

2013-05-15

光電耦合器傳播延遲

電源轉換新時代的來臨：IR開始商業(yè)裝運GaN器件

IR在業(yè)內率先商業(yè)付運可大幅提高現(xiàn)有電源轉換系統(tǒng)效率的GaN功率器件，預示著電源效率革命性改善新時代的到來。相比當今最先進的硅功率器件技術，氮化鎵技術平臺能夠將客戶的電源應用的性能指數(shù)(FOM)提升10倍。

2013-05-15

IR GaN 電源轉換

硅功率MOSFET前景堪憂？

30年前硅功率MOSFET的出現(xiàn)使市場快速接受開關電源，硅功率MOSFET成為很多應用的必選功率器件。近些年來，MOSFET不可避免地進入到性能瓶頸期；然而與此同時，增強型GaN HEMT器件在開關性能和整個器件帶寬有突破性改善，迅速占領市場。硅功率MOSFET在電源轉換領域的發(fā)展已經走到盡頭了嗎？

2013-05-15

MOSFET 電源轉換 GaN

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