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醫(yī)療穿戴

鐵氧體磁珠的基本原理及應(yīng)用

本文介紹片式鐵氧體磁珠的基本原理和應(yīng)用，內(nèi)容包括：片式鐵氧體磁珠的工作原理，鐵氧體抑制元件的阻抗和插入損耗，鐵氧體磁珠的類別，鐵氧體磁珠的應(yīng)用。

2011-10-31

電磁干擾鐵氧體磁珠磁珠 EMI EMC 電磁兼容

鉭電容在便攜式電池供電醫(yī)療設(shè)備使用的考量因素

本文討論了便攜式醫(yī)療設(shè)備的各種應(yīng)用及其使用的電路。選擇適用于這些便攜式應(yīng)用的電容時，優(yōu)先考慮的電氣參數(shù)是電容的DCL和ESR。本文重點介紹了電容技術(shù)的一般性選擇標(biāo)準(zhǔn)和可以在便攜式醫(yī)療設(shè)備中使用的封裝技術(shù)的進(jìn)展情況。

2011-10-27

鉭電容便攜式電池醫(yī)療設(shè)備電池

醫(yī)療設(shè)備開關(guān)電源維修技術(shù)研究

隨著醫(yī)學(xué)電子技術(shù)的高度發(fā)展，醫(yī)療設(shè)備的種類也越來越多，醫(yī)療設(shè)備與現(xiàn)代醫(yī)療診斷、治療關(guān)系日益密切，任何醫(yī)療設(shè)備都離不開安全穩(wěn)定的電源，且大部分為開關(guān)電源。在日常診斷與治療過程中往往會遇到設(shè)備因電源故障而無法使用，此時就需要醫(yī)療服務(wù)機(jī)構(gòu)的臨床醫(yī)學(xué)工程師結(jié)合自身經(jīng)驗和專業(yè)知識為臨床...

2011-10-27

醫(yī)療設(shè)備開關(guān) 電源 PWM

全球半導(dǎo)體景氣繼續(xù)下降

2011年，全球經(jīng)濟(jì)受到歐債危機(jī)的影響，電子產(chǎn)品需求持續(xù)低迷，電子行業(yè)景氣度持續(xù)走低。在疲弱需求下，中低端產(chǎn)品將成為圣誕節(jié)消費的主體，給中國終端企業(yè)，以及零組件企業(yè)帶來很好的提升市場份額和開發(fā)優(yōu)質(zhì)客戶的機(jī)會。2012年一季度或可成為行業(yè)景氣度變化的時間窗口。

2011-10-25

電子半導(dǎo)體電子產(chǎn)品零組件

MOSFET柵漏電流噪聲分析

柵漏電流大的MOS器件噪聲特性的研究仍是現(xiàn)今研究中活躍的課題。尤其當(dāng)MOS-FET縮減至直接隧穿尺度(<3 nm)時，柵漏電流噪聲模型顯得尤為重要，并可為MOSFET可靠性表征和器件設(shè)計提供依據(jù)。文中基于MOSFET柵氧擊穿效應(yīng)和隧穿效應(yīng)，總結(jié)了柵漏電流噪聲特性，歸納了4種柵漏電流噪聲模型，并對各種模型的...

2011-10-24

MOSFET 柵漏電流噪聲

壓力傳感器2014年將成為頭號MEMS器件

據(jù)IHS iSuppli公司的MEMS與傳感器研究報告，由于價格相對較高，以及在汽車、醫(yī)療與工業(yè)等領(lǐng)域的應(yīng)用范圍不斷擴(kuò)大，壓力傳感器到2014年將成為銷售額最高的微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)器件。

2011-10-21

MEMS 傳感器微機(jī)電系統(tǒng) 壓力傳感器

發(fā)展電子信息產(chǎn)業(yè)需平衡好國內(nèi)外市場

目前，我國電子信息產(chǎn)業(yè)大部分產(chǎn)能處于價值鏈中低端，產(chǎn)業(yè)較易受國際市場波動影響。特別是在金融危機(jī)沖擊下，全球電子信息產(chǎn)品需求萎縮，出口額下降，加之內(nèi)需市場對產(chǎn)業(yè)發(fā)展拉動不足，產(chǎn)業(yè)自主調(diào)控能力弱的問題愈加凸顯。因此，發(fā)展電子信息產(chǎn)業(yè)需平衡好國內(nèi)外市場。

2011-10-21

電子信息產(chǎn)業(yè) 電子電子產(chǎn)品

PCB 板 EMC/EMI 的設(shè)計技巧

隨著IC 器件集成度的提高、設(shè)備的逐步小型化和器件的速度愈來愈高，電子產(chǎn)品中的EMI問題也更加嚴(yán)重。從系統(tǒng)設(shè)備EMC /EMI設(shè)計的觀點來看，在設(shè)備的PCB設(shè)計階段處理好EMC/EMI問題，是使系統(tǒng)設(shè)備達(dá)到電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)最有效、成本最低的手段。本文介紹數(shù)字電路 PCB設(shè)計中的EMI控制技術(shù)。

2011-10-21

EMC EMI PCB

開關(guān)電源中功率晶體管的二次擊穿及防護(hù)

本文分析了晶體管二次擊穿的現(xiàn)象和產(chǎn)生原因，并結(jié)合開關(guān)電源的設(shè)計及生產(chǎn)實際，介紹了緩沖回路的應(yīng)用及其它有關(guān)晶體管防護(hù)措施。

2011-10-20

開關(guān)電源晶體管二次擊穿功率晶體管

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