新一代逆向?qū)ㄐ虸GBT

時(shí)間：2010年05月17日 - 2010年08月16日
英飛凌最新的IGBT將二極管和IGBT集成在同一個(gè)晶粒上,這個(gè)技術(shù)創(chuàng)新為廣大客提供了一個(gè)高性能, 低成本,小封裝的方案. 這種有著寬泛的可調(diào)的開(kāi)通關(guān)斷時(shí)間,卓越的抗電磁干擾, 平穩(wěn)的開(kāi)關(guān)波形,5uS 短路能力和175 oC最高結(jié)溫的新型IG...