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技術(shù)文章

如何優(yōu)化SiC柵級(jí)驅(qū)動(dòng)電路？

對(duì)于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關(guān)性能優(yōu)勢。它是電壓控制的場效應(yīng)器件，能夠像 IGBT 一樣進(jìn)行高壓開關(guān)，同時(shí)開關(guān)頻率等于或高于低壓硅 MOSFET 的開關(guān)頻率。之前的文章中，我們介紹了SiC MOSFET 特有...

2023-11-29

SiC 柵級(jí)驅(qū)動(dòng)

振動(dòng)場合的電源模塊該如何選型？

在不同的應(yīng)用環(huán)境，該如何進(jìn)行電源模塊的應(yīng)用選型？選擇合適電源模塊可以延長模塊的使用壽命，本文主要是介紹在振動(dòng)場合電源模塊可能出現(xiàn)的一些失效形態(tài)和如何選用可靠的電源模塊。

2023-11-29

振動(dòng)場合電源模塊選型

機(jī)電1-Wire接觸封裝解決方案及其安裝方法

本文介紹已獲專利的適用于機(jī)電接觸應(yīng)用的1-Wire?接觸封裝解決方案，并對(duì)比傳統(tǒng)的封裝解決方案以展示1-Wire接觸封裝解決方案的優(yōu)越性。本文還就如何將該解決方案安裝到配件或耗材提供了建議，并作了機(jī)械規(guī)格和可靠性分析。

2023-11-29

機(jī)電 1-Wire 接觸封裝

有關(guān)Matter的十個(gè)關(guān)鍵問題，你知道正確的答案嗎？

智能家居市場正在快速增長，越來越多的家庭采用聯(lián)網(wǎng)設(shè)備來實(shí)現(xiàn)家庭自動(dòng)化。然而，由于這些聯(lián)網(wǎng)設(shè)備通常運(yùn)行在不同的通信協(xié)議上，極大地阻礙了智能家居系統(tǒng)內(nèi)的互聯(lián)互通，市場上幾乎沒有一家公司的產(chǎn)品能滿足所有智能家居市場的需求。新興的Matter智能家居協(xié)議就是為了解決這一挑戰(zhàn)而創(chuàng)建的。它...

2023-11-28

Matter 智能家居

如何在 3DICC 中基于虛擬原型實(shí)現(xiàn)多芯片架構(gòu)探索

在系統(tǒng)定義和規(guī)劃時(shí)，虛擬原型可以用來分析架構(gòu)設(shè)計(jì)決策可能產(chǎn)生的影響，將系統(tǒng)的功能性和非功能性要求轉(zhuǎn)化為系統(tǒng)的物理硬件屬性，包括裸片的目標(biāo)工藝、面積大小以及不同組成芯片的組裝要求等。根據(jù)不同的解決方案，選擇不同的chiplets和堆疊架構(gòu)，進(jìn)行早期的分析驅(qū)動(dòng)的架構(gòu)探索和優(yōu)化迭代，包括電...

2023-11-28

3DICC 虛擬原型多芯片架構(gòu)

漫談QLC其一：QLC定義及應(yīng)用

目前，閃存增容的主要方式有兩種，其一是結(jié)構(gòu)上，由2D NAND到3D NAND，從平面到立體，實(shí)現(xiàn)閃存容量的提升，并隨著堆疊層數(shù)的增加優(yōu)化成本，繼而適應(yīng)市場需求；其二是邏輯上，提升存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)的位數(shù)，即由僅能存儲(chǔ)1位數(shù)據(jù)的SLC，到存儲(chǔ)2位數(shù)據(jù)的MLC，直到如今能存儲(chǔ)4位數(shù)據(jù)的QLC，通過這種方式，提...

2023-11-28

QLC 閃存

通過碳化硅 TOLL 封裝開拓人工智能計(jì)算的前沿

近些年來，人工智能（AI）的蓬勃發(fā)展推動(dòng)了芯片組技術(shù)的新進(jìn)步。與傳統(tǒng) CPU 相比，現(xiàn)在的芯片組功能更強(qiáng)大，運(yùn)行更高效，但功率消耗也更高。功率消耗的急劇攀升為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員帶來了難題，他們正在努力設(shè)計(jì)既能在更小的空間內(nèi)提供更大功率，又能保證效率和可靠性的電源。

2023-11-28

碳化硅 TOLL 封裝人工智能計(jì)算

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