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技術(shù)文章

MOSFET的寄生電容是如何影響其開關(guān)速度的？

我們應(yīng)該都清楚，MOSFET 的柵極和漏源之間都是介質(zhì)層，因此柵源和柵漏之間必然存在一個寄生電容CGS和CGD，溝道未形成時，漏源之間也有一個寄生電容CDS，所以考慮寄生電容時，MOSFET 的等效電路就成了圖 2 的樣子了。

2020-11-03

MOSFET 寄生電容開關(guān)速度

能一并搞定供電和傳輸數(shù)據(jù)的解決方案

在過程自動化系統(tǒng)中，必須監(jiān)測和測量溫度、壓力、流速、濕度等重要參數(shù)。在工業(yè)4.0時代，以太網(wǎng)是通用通信標準。由于以太網(wǎng)是有線網(wǎng)，而發(fā)送器和傳感器通常需要電源，這樣問題就來了：為何不使用以太網(wǎng)電纜同時進行數(shù)據(jù)傳輸和供電？

2020-11-03

供電傳輸數(shù)據(jù)

簡化汽車和工業(yè)領(lǐng)域的功能安全認證

合理的功能安全設(shè)計離不開嚴謹?shù)膽B(tài)度和大量的文檔參考，也需要投入一定的時間。無論您從事工廠車間還是公路方面的設(shè)計，此白皮書中 TI 的集成電路 (IC) 設(shè)計方法都會為您提供所需的資源，從而簡化功能安全設(shè)計。隨著工業(yè)和汽車領(lǐng)域自動化的出現(xiàn)，人們對功能安全的需求有增無減。

2020-11-03

汽車工業(yè)領(lǐng)域 TI

GaN基電源性能的簡易測試技術(shù)

今天，大多數(shù)電源路線圖都將GaN晶體管作為一個關(guān)鍵平臺集成到其中。與Si-mosfet、igbt和SiC-mosfet相比，GaN晶體管的優(yōu)點意味著工程師們正在將它們廣泛地設(shè)計到他們的系統(tǒng)中。然而，GaN晶體管在開關(guān)電源中的這些進步也使得表征這些電源的性能變得越來越具有挑戰(zhàn)性。在半橋上測量高邊VGS是診斷晶體管...

2020-11-03

GaN晶體管電源性能測試技術(shù)

碳化硅FET推動了電力電子技術(shù)的發(fā)展

碳化硅（SiC）JFET是一種晶體管類型，它提供單位面積上最低的導(dǎo)通電阻RDS（on），是一種性能穩(wěn)定的器件。與傳統(tǒng)的MOSFET器件相比，JFET不易發(fā)生故障，適合斷路器和限流應(yīng)用。例如，如果你用1毫安的電流偏置一個JFET的柵極，并監(jiān)控柵極電壓Vgs，見圖1，你可以監(jiān)控器件的溫度，因為Vgs隨溫度線性降低...

2020-11-03

碳化硅 FET 電力電子技術(shù)

電機逆變器中功率半導(dǎo)體的作用

電動汽車已經(jīng)塑造了世界，并將繼續(xù)在各個層面發(fā)揮作用。它們的使用范圍從簡單的家庭功能自動化的小型電機到可以移動山脈的重型電機?，F(xiàn)在使用的電動機的數(shù)量和種類是驚人的，因此，了解到電動機及其控制系統(tǒng)幾乎占全世界用電量的一半，也許并不奇怪。

2020-11-03

電機逆變器功率半導(dǎo)體

PK傳統(tǒng)開關(guān)，MEMS開關(guān)的N大優(yōu)勢

近日，有媒體報道稱，進入21世紀后，MEMS開關(guān)技術(shù)在經(jīng)過長時間且動蕩的技術(shù)開發(fā)之后，終于有望走向手機應(yīng)用。值得一提的是，這項“有望走入手機”的產(chǎn)品的真正商用化是ADI公司在四年前開創(chuàng)的，目前已經(jīng)在自動測試設(shè)備、測試儀器儀表和高性能RF開關(guān)等領(lǐng)域獲得應(yīng)用。

2020-11-03

傳統(tǒng)開關(guān) MEMS開關(guān) 優(yōu)勢

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