-
NAND Flash位翻轉(zhuǎn)是什么？一文讀懂其原理與應(yīng)對(duì)
設(shè)備運(yùn)行中的“間歇性故障”往往令人困惑——開機(jī)異常、程序紊亂，可重新燒錄固件后一切又恢復(fù)正常。當(dāng)這樣的問題與NAND Flash存儲(chǔ)介質(zhì)相遇時(shí)，“位翻轉(zhuǎn)”這一易被忽視的技術(shù)現(xiàn)象，很可能就是幕后根源。本文將從NAND Flash的工作原理切入，清晰闡釋位翻轉(zhuǎn)的本質(zhì)、誘發(fā)因素，進(jìn)而聚焦ECC校驗(yàn)這一核心解決方案，并結(jié)合ZLG致遠(yuǎn)電子M3352核心版的實(shí)踐案例，帶您了解如何應(yīng)對(duì)此類存儲(chǔ)相關(guān)故障。
2025-12-16
-
三星發(fā)布NAND閃存重大突破：新結(jié)構(gòu)功耗直降96%，重塑AI數(shù)據(jù)中心未來
近日，三星電子宣布在存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大突破，其研發(fā)團(tuán)隊(duì)成功開發(fā)出一種新型NAND閃存結(jié)構(gòu)，可將功耗降低超過90%。這一成果有望徹底改變?nèi)斯ぶ悄軘?shù)據(jù)中心、移動(dòng)設(shè)備及其他依賴存儲(chǔ)芯片的終端產(chǎn)品的未來發(fā)展路徑。
2025-11-28
-
NAND價(jià)格飆升沖擊下游，手機(jī)廠商被迫“降容”應(yīng)對(duì)
近期，全球閃存市場迎來新一輪價(jià)格調(diào)整，閃迪（SanDisk）作為行業(yè)巨頭率先行動(dòng)，在11月宣布大幅上調(diào)NAND閃存合約價(jià)格，漲幅高達(dá)50%。這一舉措遠(yuǎn)超市場預(yù)期，成為今年以來的第三次漲價(jià)。此前，閃迪已在4月和9月分別執(zhí)行了10%的普漲政策。與此同時(shí)，美光、三星等存儲(chǔ)大廠也紛紛跟進(jìn)，進(jìn)一步加劇了市場的波動(dòng)。
2025-11-11
-
鎧俠與閃迪發(fā)布下一代3D閃存技術(shù)，實(shí)現(xiàn)4.8Gb/s NAND接口速度
兩家公司在2025年國際固態(tài)電路會(huì)議上展示了這項(xiàng)3D閃存創(chuàng)新技術(shù)，它與公司突破性的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到存儲(chǔ)陣列）技術(shù)1相結(jié)合，采用最新的NAND閃存接口標(biāo)準(zhǔn)Toggle DDR6.0以及SCA（獨(dú)立命令地址）協(xié)議2（一種全新的接口命令地址輸入方式），同時(shí)還整合了PI-LTT（電源隔離低抽頭終端）技術(shù)3（在進(jìn)一步降低功耗方面發(fā)揮了關(guān)鍵作用）。
2025-02-24
-
漫談QLC其三：QLC NAND的主流應(yīng)用
前文所述，老四QLC在爭議中成長，已進(jìn)入當(dāng)打之年，憑借性能、壽命、容量和價(jià)格極致性價(jià)比的特性，配合主控和固件糾錯(cuò)能力和算法方案的日漸成熟，進(jìn)入到消費(fèi)級(jí)SSD和企業(yè)級(jí)SSD主戰(zhàn)場，如今市面上有多款已量產(chǎn)的消費(fèi)級(jí)和企業(yè)級(jí)QLC SSD，進(jìn)入商用。
2023-12-11
-
漫談QLC其二：扛起NAND家族重任，老四QLC
今天，TLC依然為SSD/嵌入式存儲(chǔ)中的主力NAND顆粒，但QLC開始登上舞臺(tái)，發(fā)起挑戰(zhàn)，和2016年那時(shí)的自己相比，QLC實(shí)力大增。NAND家族，從老大SLC開始，到老二MLC和老三TLC，再到今天的老四QLC NAND，發(fā)揮自身優(yōu)勢(shì)，克服自身不足，一代代傳承下來，扛起家族事業(yè)的重任。
2023-11-30
-
漫談QLC其一：QLC定義及應(yīng)用
目前，閃存增容的主要方式有兩種，其一是結(jié)構(gòu)上，由2D NAND到3D NAND，從平面到立體，實(shí)現(xiàn)閃存容量的提升，并隨著堆疊層數(shù)的增加優(yōu)化成本，繼而適應(yīng)市場需求；其二是邏輯上，提升存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)的位數(shù)，即由僅能存儲(chǔ)1位數(shù)據(jù)的SLC，到存儲(chǔ)2位數(shù)據(jù)的MLC，直到如今能存儲(chǔ)4位數(shù)據(jù)的QLC，通過這種方式，提升閃存存儲(chǔ)容量優(yōu)化成本。
2023-11-28
-
利用3D NAND克服工業(yè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)問題
隨著對(duì)新特性和功能需求的增加，大容量存儲(chǔ)在嵌入式工業(yè)應(yīng)用中的使用持續(xù)增長。雖然更復(fù)雜的GUI和應(yīng)用已經(jīng)通過增加NAND芯片容量而成為可能;更快的接口和各種托管NAND解決方案的可用性;尋找能夠應(yīng)對(duì)極端環(huán)境需求的足夠固態(tài)存儲(chǔ)解決方案的挑戰(zhàn)仍然存在。幸運(yùn)的是，NAND存儲(chǔ)介質(zhì)和控制器設(shè)計(jì)的發(fā)展意味著現(xiàn)在有更可靠和更具成本效益的選擇。
2022-10-31
-
ADALM2000實(shí)驗(yàn)：TTL逆變器和NAND門
自20世紀(jì)60年代首次生產(chǎn)出集成邏輯門以來，各種數(shù)字邏輯電路技術(shù)層出不窮。本次實(shí)驗(yàn)將研究晶體管-晶體管邏輯(TTL)電路逆變器（非門）和2輸入NAND門配置。
2022-10-20
-
貿(mào)澤與ATP簽訂全球分銷協(xié)議，備貨其存儲(chǔ)和內(nèi)存解決方案
2022年7月21日 – 專注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與ATP Electronics簽訂全球分銷協(xié)議。ATP Electronics是專業(yè)存儲(chǔ)和內(nèi)存解決方案的知名供應(yīng)商。簽訂協(xié)議后，貿(mào)澤將分銷ATP Electronics面向工業(yè)與汽車應(yīng)用的存儲(chǔ)卡、SSD和托管NAND設(shè)備。
2022-07-21
-
KIOXIA鎧俠慶祝NAND閃存發(fā)明35周年
2022年4月25日，中國上海 — 20世紀(jì)90年代的MP3播放器與如今的智能手機(jī)有什么共同之處？如果沒有NAND閃存這一影響力貫穿幾十年的創(chuàng)新技術(shù)，這兩者都將不會(huì)存在。全球存儲(chǔ)器解決方案領(lǐng)導(dǎo)者KIOXIA鎧俠近日宣布，其已達(dá)成一座新的里程碑——2022年是公司發(fā)明NAND閃存的35周年。
2022-05-01
-
適用于工業(yè)應(yīng)用的 NAND 閃存
如今，在 NAND 閃存行業(yè)中，隨處可見存儲(chǔ)密度又達(dá)到新高的各種新聞。閃存早已實(shí)現(xiàn)了 100 層以上的技術(shù)，并且在短期內(nèi)似乎并沒有遇到瓶頸的跡象。
2021-11-15
- 強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手！貿(mào)澤電子攜手ATI，為自動(dòng)化產(chǎn)線注入核心部件
- 瞄準(zhǔn)精準(zhǔn)醫(yī)療，Nordic新型芯片讓可穿戴醫(yī)療設(shè)備設(shè)計(jì)更自由
- 信號(hào)切換全能手：Pickering 125系列提供了從直流到射頻的完整舌簧繼電器解決方案
- 射頻供電新突破：Flex發(fā)布兩款高效DC/DC轉(zhuǎn)換器，專攻微波與通信應(yīng)用
- 電源架構(gòu)革新：多通道PMIC并聯(lián)實(shí)現(xiàn)大電流輸出的設(shè)計(jì)秘籍
- 萬物智聯(lián)，賦能數(shù)字中國 | OFweek 2025（第十屆）物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)大會(huì)圓滿收官！
- RISC-V集成+自動(dòng)化部署：萊迪思sensAI 8.0重構(gòu)邊緣AI技術(shù)實(shí)現(xiàn)路徑
- 泰克 BIM 20005：集成化快速 EIS 方案破解電池生產(chǎn)檢測難題
- 萬有引力極眸G-VX100芯片：打破壟斷，重塑AI眼鏡底層邏輯
- 聚焦核心領(lǐng)域賦能產(chǎn)業(yè)升級(jí) 艾邁斯歐司朗深化中國本土化戰(zhàn)略落地
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
